一种提高正向光的LED芯片及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种提高正向光的LED芯片及其制备方法，涉及半导体发光器件机制备技术领域，包括：衬底、N型GaN层、MQW层、P型GaN层、上电极、下电极以及金属反射墙；其中，N型GaN层未被MQW层以及P型GaN层覆盖的第一表面区域与MQW层以及P型GaN层形成台阶结构；上电极位于P型GaN层上；金属反射墙位于N型GaN层的第一表面区域上，且包围MQW层与P型GaN层，以形成一墙体；下电极位于N型GaN层的第一表面区域上，且位于金属反射墙以及MQW层之间。通过切割道区域内设有金属反射墙，金属反射墙制备于台阶结构上，形成墙体包围MQW层与P型GaN层。保证了有源发光层MQW层向外辐射的光，经由金属反射墙的反射作用，增加了光的反射，从而提高正向出光。

【技术实现步骤摘要】
一种提高正向光的LED芯片及其制备方法
本专利技术涉及半导体发光器件机制备
，具体而言，涉及一种提高正向光的LED芯片及其制备方法。
技术介绍
LED作为一种高效、绿色环保的新型固态照明光源，具有体积小、重量轻、寿命长、可靠性高及使用功耗低等优点，因而在照明领域得到了广泛的应用，同时LED在手机、显示屏等背光方面的应用也愈来愈热门。现有的LED芯片在发光时一般离散型较大，从侧面的出光损失较大，对于一些正向光要求比较严苛的应用，光照强度略显不足。所以如何提高LED芯片的正向出光能力迫在眉睫。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种提高正向光的LED芯片及其制备方法，能够有效提升LED芯片的正向出光能力。第一方面，本专利技术提供了一种提高正向光的LED芯片，包括：衬底、N型GaN层、MQW层、P型GaN层、上电极、下电极以及金属反射墙；所述N型GaN层位于所述衬底上；所述MQW层位于所述N型GaN层上；所述P型GaN层位于所述MQW层上；其中，所述N型GaN层未被MQW层以及P型GaN层覆盖的第一表面区域与MQW层以及P型GaN层形成台阶结构；所述上电极位于所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种提高正向光的LED芯片，其特征在于，包括：衬底；N型GaN层，位于所述衬底上；MQW层，位于所述N型GaN层上；P型GaN层，位于所述MQW层上；其中，所述N型GaN层未被MQW层以及P型GaN层覆盖的第一表面区域与MQW层以及P型GaN层形成台阶结构；上电极，位于所述P型GaN层上；金属反射墙，位于所述N型GaN层的第一表面区域上，且包围所述MQW层与所述P型GaN层，以形成一墙体；下电极，位于所述N型GaN层的第一表面区域上，且位于所述金属反射墙与所述MQW层之间。

【技术特征摘要】
1.一种提高正向光的LED芯片，其特征在于，包括：衬底；N型GaN层，位于所述衬底上；MQW层，位于所述N型GaN层上；P型GaN层，位于所述MQW层上；其中，所述N型GaN层未被MQW层以及P型GaN层覆盖的第一表面区域与MQW层以及P型GaN层形成台阶结构；上电极，位于所述P型GaN层上；金属反射墙，位于所述N型GaN层的第一表面区域上，且包围所述MQW层与所述P型GaN层，以形成一墙体；下电极，位于所述N型GaN层的第一表面区域上，且位于所述金属反射墙与所述MQW层之间。2.根据权利要求1所述的提高正向光的LED芯片，其特征在于，所述金属反射墙的内侧面为斜坡面，所述斜坡面的上坡方向朝向所述金属反射墙的外侧面。3.根据权利要求2所述的提高正向光的LED芯片，其特征在于，所述MQW层与P型GaN层叠加后的高度为12000-15000埃。4.根据权利要求1所述的提高正向光的LED芯片，其特征在于，所述金属反射墙、所述上电极、所述下电极的材料相同，为以下金属组合之一：Cr/Al/Ti/Pt/Ti/Pt/Au、Ni/Al/Ti/Pt/Ti/Pt/Au。5.根据权利要求1所述的提高正向光的LED芯片，其特征在于，还包括：ITO透明导电层，位于所述P型GaN层与所述上电极之间；所述ITO透明导电层的厚度为600-2300埃。6...

【专利技术属性】
技术研发人员：许英朝，蔡立鹤，
申请(专利权)人：厦门理工学院，
类型：发明
国别省市：福建,35