发光元件制造技术

本发明专利技术公开一种发光元件，具有一基板；一发光叠层，位于基板之上；一第一保护层，位于发光叠层之上；一反射层，位于第一保护层之上；一阻障层，位于反射层之上；一第二保护层，位于阻障层之上；以及一导电接触层，位于第二保护层之上，其中导电接触层包含一第一导电部与一第二导电部，第一导电部的上表面表面积相同或近似于第二导电部的上表面表面积。

【技术实现步骤摘要】
发光元件本申请是中国专利技术专利申请(申请号：201310653613.0，申请日：2013年12月06日，专利技术名称：发光元件)的分案申请。
本专利技术涉及一种发光元件，特别是涉及一种具有导电接触层的发光元件，例如倒装式(FlipChip)发光二极管。
技术介绍
光电元件目前已经广泛地使用在光学显示装置、交通号志、数据储存装置、通讯装置、照明装置与医疗器材上，例如发光二极管(Light-emittingDiode；LED)。此外，上述的LED可与其他元件组合连接以形成一发光装置。图6为现有的发光装置结构示意图，如图6所示，一发光装置5包含一具有一电路54的次载体(submount)52；一焊料56(solder)位于上述次载体52上，通过此焊料56将LED51固定于次载体52上并使LED51与次载体52上的电路54形成电连接，其中LED51包含有一基板53；以及一电连接结构58，以电连接LED51的电极55与次载体52上的电路54；其中，上述的次载体52可以是导线架(leadframe)或大尺寸镶嵌基底(mountingsubstrate)。
技术实现思路
一发光元件具有一基板；一发光叠层，位于基板之上；一第一保护层，位于发光叠层之上；一反射层，位于第一保护层之上；一阻障层，位于反射层之上；一第二保护层，位于阻障层之上；以及一导电接触层，位于第二保护层之上，其中导电接触层包含一第一导电部与一第二导电部，第一导电部的上表面表面积相异于第二导电部的上表面表面积。一发光元件具有一基板；一发光叠层，位于基板之上；一第一保护层，位于发光叠层之上；一反射层，位于第一保护层之上；一阻障层，位于反射层之上；一第二保护层，位于阻障层之上；以及一导电接触层，位于第二保护层之上，其中导电接触层包含一第一导电部与一第二导电部，第一导电部的上表面表面积等于第二导电部的上表面表面积。附图说明图1A绘示本申请案一实施例的发光元件的上视图；图1B为本申请案图1A沿线A-A’所示的发光元件的剖面示意图；图1C为本申请案图1A沿线B-B’所示的发光元件的剖面示意图；图1D为本申请案图1A沿线B-B’所示的另一实施例的发光元件的剖面示意图；图1E为本申请案图1A的发光元件的立体图。图2A绘示本申请案另一实施例的发光元件的上视图；图2B为本申请案图2A沿线C-C’所示的发光元件的剖面示意图；图3为本申请案一实施例的光源产生装置的示意图；图4为本申请案一实施例的背光模块的示意图；图5为本申请案一实施例的灯泡分解示意图；图6为现有的发光装置结构示意图。主要元件符号说明1、2、60：发光元件10：基板11：第一保护层12：发光叠层121、20：第一电极122：第一半导体层123：第二电极124：发光层125、202：接触部126：第二半导体层127、204：延伸部1270：顶面1272：底面1274：侧面13：反射层15：阻障层17：第二保护层172：第一通孔174：第二通孔19：导电接触层190：第一导电部191：第二导电部192：第一垫高部193：第二垫高部204：连接部3：光源产生装置31：光源32：电源供应系统33：控制元件4：背光模块41：光学元件5：发光装置51：LED52：次载体53：基板54：电路56：焊料58：电连接结构55：电极61：灯罩62：透镜63：载体64：照明模块63：载体65：灯座66:散热槽67:连结部68:电子连结器d：间距h1：第一高度h2：第二高度w1：第一宽度w2：第二宽度θ：夹角具体实施方式本专利技术的实施例会被详细地描述，并且绘制于附图中，相同或类似的部分会以相同的号码在各附图以及说明出现。图1A为本申请案一实施例的发光元件的上视图，图1B为图1A沿线A-A’的剖面示意图。如图1A及图1B所示，一发光元件1具有一基板10；一发光叠层12，位于基板10之上；一第一保护层11，位于发光叠层12之上；一反射层13，位于第一保护层11之上；一阻障层15，位于反射层13之上，包覆且围绕反射层13；一第二保护层17，位于阻障层15之上，包覆且围绕第一保护层11、反射层13、及阻障层15；以及一导电接触层19，位于第二保护层17之上。发光叠层12具有一第一半导体层122，位于基板10之上；一发光层124，位于第一半导体层122之上；一第二半导体层126，位于发光层124之上。发光元件更包含多个第一电极121，位于第一半导体层之上，以及一第二电极123，位于第二半导体层126之上。其中，第一电极121具有一接触部125与一延伸部127。此实施例中，多个第一电极121是物理上彼此分离，例如空间上彼此分离，且经由第一导电部190(详见下方描述)电连接，可减少需被移除的发光叠层12，降低发光面积的损失。第二保护层17具有一第一通孔172，位于接触部125之上，如图1B所示；以及一第二通孔174，位于阻障层15之上，如图1A所示。导电接触层19用以接受外部电压和散热，具有一第一导电部190与一第二导电部191，是由单一或多种金属材料所构成。金属材料包含但不限于铜(Cu)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、钛(Ti)、铂(Pt)、铅(Pb)、锡金合金(AuSn)、铜-锡(Cu-Sn)、铜-锌(Cu-Zn)、铜-镉(Cu-Cd)、锡-铅-锑(Sn-Pb-Sb)、锡-铅-锌(Sn-Pb-Zn)、镍-锡(Ni-Sn)、镍-钴(Ni-Co)、金合金(Aualloy)、金-铜-镍-金(Au-Cu-Ni-Au)或上述材料的组合等。第一电极121的延伸部127自接触部125向外延伸，使延伸部127得以在第一半导体层122上覆盖较多的面积以利电流分散。于附图中，延伸部127的另一端是位于第二导电部191下方，但本专利技术并不限于此，延伸部127的另一端也可以突出于第二导电部191的投影面积之外。第一导电部190经由第一通孔172与第一电极121的接触部125电连接，电流可自第一导电部190经由第一电极121传导至第二导电部191下方的第一半导体层122。第二导电部191经由第二通孔174与阻障层15电连接，电流可自第二导电部191经由阻障层15、反射层13及第二电极123传导至第二半导体层126。如图1B所示，第一导电部190具有一第一宽度w1与第二导电部191具有一第二宽度w2，本实施例的第一宽度w1小于第二宽度w2。第一导电部190与第二导电部191之间的间距d至少约为50微米，较佳约为70～150微米。例如发光元件1在与一基座(未显示)的焊接制作工艺之前会先将锡膏分别涂布在第一导电部190与第二导电部191之上，若间距d小于50微米，焊接制作工艺时的第一导电部190与第二导电部191之上的锡膏会易于相互接触，导致短路。或是在发光元件1与基座共晶键合时因对位不准，而造成第一导电部190与第二导电部191与基座上电极错位而导致短路。一实施例中，第一导电部190具有一第一高度h1，第一高度h1是第一导电部190的上表面与基板10的上表面之间的距离；第二导电部191具有一第二高度h2，第二高度h2是第二导电部191的上表面与基板10的上表面之间的距离，其中第一高度h1约略等于第二高度h2，因此，不会因为第一导电部190与第二导电部191的高度差异而导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光元件，其特征在于，包含︰发光叠层，包含：第一半导体层；第二半导体层，位于该第一半导体层之上；以及发光层，位于该第一半导体层与该第二半导体层之间；第一电极，位于该第一半导体层之上，其中该第一电极包含接触部及延伸部；第一保护层，位于该发光叠层之上，包含第一通孔；以及第一导电部，位于该第一保护层之上，经由该第一通孔与该第一电极电连接；以及第二导电部，位于该第二半导体层上，该第一导电部与该第二导电部空间上彼此分离，其中该延伸部包含一端突出于该第二导电部的投影面积之外。

【技术特征摘要】
2012.12.07 TW 1011463391.一种发光元件，其特征在于，包含︰发光叠层，包含：第一半导体层；第二半导体层，位于该第一半导体层之上；以及发光层，位于该第一半导体层与该第二半导体层之间；第一电极，位于该第一半导体层之上，其中该第一电极包含接触部及延伸部；第一保护层，位于该发光叠层之上，包含第一通孔；以及第一导电部，位于该第一保护层之上，经由该第一通孔与该第一电极电连接；以及第二导电部，位于该第二半导体层上，该第一导电部与该第二导电部空间上彼此分离，其中该延伸部包含一端突出于该第二导电部的投影面积之外。2.一种发光元件，其特征在于，包含︰发光叠层，包含：第一半导体层；第二半导体层，位于该第一半导体层之上；以及发光层，位于该第一半导体层与该第二半导体层之间；第一电极，位于该第一半导体层之上，其中该第一电极包含接触部及延伸部；第一保护层，位于该发光叠层之上，包含第一通孔；以及第一导电部，位于该第一保护层之上，经由该第一通孔与该第一电极电连接；以及第二导电部，位于该第二半导体层上，该第一导电部与该第二导电部空间上彼此分离，其中该第一导电部的上表面表面积相异于该第二导电部的上表面表面积，介于该第一导电部与该第二导电部之间的距离是至少为50微米。3.如权利要求1或2所述的发光元件，其中该第一导电部具...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪详竣，柯淙凯，沈建赋，陈昭兴，王佳琨，陈宏哲，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71