【技术实现步骤摘要】
形成体及发光模块
本技术是关于一种用于发光二极管封装结构的一形成体,以及关于一种发光二极管封装结构。
技术介绍
在传统的发光二极管封装结构中,发光晶片是设置于导线架上。而为了增加出光效率,通常会在导线架上形成一银层以增加反射率。然而,银层容易与穿透封装胶的硫进行反应而形成黑色的硫化银,称为“黑化现象”。如此一来,传统的发光二极管封装结构经长时间使用后,“黑化现象”将使得其反射率下降,从而造成发光二极管封装结构亮度降低。由此可见,上述现有的方式,显然仍存在不便与缺陷,而有待改进。为了解决上述问题,相关领域莫不费尽心思来谋求解决之道,但长久以来仍未发展出适当的解决方案。
技术实现思路
本技术的一态样是提供一种发光模块,包括一基板、一反射框体、以及一发光晶片。基板包含一第一导线架、一第二导线架及一隔离件。隔离件配置于第一导线架与第二导线架之间以电性隔离第一导线架和第二导线架。其中,第一导线架具有一第一沟槽,第二导线架具有一第二沟槽。反射框体设置于第一导线架和第二导线架之上。反射框体包括一第一底部、一第二底部、以及一围壁。第一底部嵌置于第一沟槽和第二沟槽中,且具有一开口暴露出隔离 ...
【技术保护点】
1.一种发光模块,其特征在于,包括:一基板,包含一第一导线架、一第二导线架及一隔离件,该隔离件配置于该第一导线架与该第二导线架之间以电性隔离该第一导线架和该第二导线架,其中该第一导线架具有一第一沟槽,该第二导线架具有一第二沟槽;一反射框体,设置于该第一导线架和该第二导线架之上,该反射框体包括:一第一底部,嵌置于该第一沟槽和该第二沟槽中,且具有一开口暴露出该隔离件、该第一导线架的一部分以及该第二导线架的一部分;一第二底部,由该第一底部向外横向延伸出,并围绕该第一底部,其中该第二底部的一顶表面高于该第一底部的一顶表面;以及一围壁,毗邻该第二底部的一外侧,并向上延伸至超过该第二底 ...
【技术特征摘要】
1.一种发光模块,其特征在于,包括:一基板,包含一第一导线架、一第二导线架及一隔离件,该隔离件配置于该第一导线架与该第二导线架之间以电性隔离该第一导线架和该第二导线架,其中该第一导线架具有一第一沟槽,该第二导线架具有一第二沟槽;一反射框体,设置于该第一导线架和该第二导线架之上,该反射框体包括:一第一底部,嵌置于该第一沟槽和该第二沟槽中,且具有一开口暴露出该隔离件、该第一导线架的一部分以及该第二导线架的一部分;一第二底部,由该第一底部向外横向延伸出,并围绕该第一底部,其中该第二底部的一顶表面高于该第一底部的一顶表面;以及一围壁,毗邻该第二底部的一外侧,并向上延伸至超过该第二底部的该顶表面,且该围壁围绕该第二底部;以及一发光晶片,设置于该开口上方并电性连接该第一导线架和该第二导线架。2.如权利要求1所述的发光模块,其特征在于,该第一沟槽具有10微米至30微米的一第一深度,且该第二沟槽具有10微米至30微米的一第二深度。3.如权利要求1所述的发光模块,其特征在于,该第一底部的该顶表面高于该第一导线架的一顶表面10微米至30微米,且该第一底部的该顶表面高于该第二导线架的一顶表面10微米至30微米。4.如权利要求3所述的发光模块,其特征在于,该隔离件的一顶表面高于该第一导线架的该顶表面及该第二导线架的该顶表面10微米至30微米。5.如权利要求4所述的发光模块,其特征在于,该第一导线架的该顶表面、该第一底部的一侧壁及该隔离件的一侧壁形成一第一凹槽,且...
【专利技术属性】
技术研发人员:张文凱,陈书伟,郭家彰,黄国维,
申请(专利权)人:隆达电子股份有限公司,
类型:新型
国别省市:中国台湾,71
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