基于切割技术的陶瓷支架围坝成型方法技术

本发明专利技术公开一种基于切割技术的陶瓷支架围坝成型方法，括以下步骤：第1步，对陶瓷板表面将要用于电镀的相应部位进行金属化处理；第2步，通过电镀的方式制作独立线路及环形镀铜层；第3步，使环形镀铜层通过逐层电镀加厚增加到所需高度，形成金属围坝；第4步，通过切割方法将金属围坝的内侧面切除一部分，形成内侧面平整光滑的立体结构。本发明专利技术藉由将金属围坝粗糙的内表面切除，使内表面光滑，可以提高表面的光泽度，反光效果更好。除此之外，通过切割的方式将金属围坝的一部分去除，可以使围坝的壁厚变薄，从而增大围坝内部的空间，使得围坝内可以放置更大颗粒晶片，有利于大功率晶片的配置。

【技术实现步骤摘要】
基于切割技术的陶瓷支架围坝成型方法
本专利技术涉及LED、激光器件、功率器件等相关半导体器件领域技术，尤其是指一种基于切割技术的陶瓷支架围坝成型方法。
技术介绍
对于目前要求气密性封装的光器件来说，通常需要在陶瓷基板上设置金属围坝，利用金属围坝所围构形成的空间可填充封装胶水，从而实现更好的气密性。在陶瓷基板的制备过程中，金属围坝可以是采用逐层电镀的方式垒高，形成一定的高度。然而由于采用电镀时，使得电路表面图形的线宽不能小于300微米，否则会因为图形线路过窄而无法电镀，因此制成LED陶瓷支架的成品后，其金属围坝的宽度均大于300微米，使得由金属围坝围成的内部反光杯空间小，只能容纳小的发光晶片，无法在小空间内实现大功率发光。此外，由于这种逐层电镀增高的方式，会在金属围坝侧壁面形成层痕，反光效果差。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术针对现有技术存在之缺失，其主要目的是提供一种基于切割技术的陶瓷支架围坝成型方法，一方面能获得更光滑的反光面，另一方面获得更大的反光杯内部空间。为实现上述目的，本专利技术采用如下之技术方案：一种基于切割技术的陶瓷支架围坝成型方法，包括以下步骤：第1步，对陶瓷板表面将本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于切割技术的陶瓷支架围坝成型方法，包括以下步骤：第1步，对陶瓷板表面将要用于电镀的相应部位进行金属化处理；第2步，通过电镀的方式制作独立线路及环形镀铜层；第3步，使环形镀铜层通过逐层电镀加厚增加到所需高度，形成金属围坝；其特征在于：第4步，通过切割方法将金属围坝的内侧面切除一部分，形成内侧面平整光滑的立体结构。

【技术特征摘要】
1.一种基于切割技术的陶瓷支架围坝成型方法，包括以下步骤：第1步，对陶瓷板表面将要用于电镀的相应部位进行金属化处理；第2步，通过电镀的方式制作独立线路及环形镀铜层；第3步，使环形镀铜层通过逐层电镀加厚增加到所需高度，形成金属围坝；其特征在于：第4步，通过切割方法将金属围坝的内侧面切除一部分，形成内侧面平整光滑的立体结构。2.根据权利要求1所述的基于切割技术的陶瓷支架围坝成型方法，其特征在于：第4步的切割方法是采用激光切割。3.根据权利要求1所述的基于切割技术的陶瓷支架围坝成型方法，其特征在于：第4步的切割方法是采用CNC切割。4.根据权利要求1所述的基于切割技术的陶瓷支架围坝成型方法，其特征在于：第4步中，当切割为台阶时，台阶顶部的宽度可以小于300微米。5.根据权利要求1所述的基于切割技术的陶瓷支架围坝成型方法，其特征在于：第4步切割后形成反光率达到90%以上的亮面。6.根据权利要求1所述的基于切割技术的陶瓷支架围坝成型方法，其特征在于：所述金属围坝为金属铜围坝，金属围坝的高度H为0.05mm-1.5mm。7.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：单春光，邹冠生，
申请(专利权)人：中山市瑞宝电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44