【技术实现步骤摘要】
一种SONOS存储结构及其制造方法
本专利技术涉及半导体器件及其制造领域，尤其设计一种SONOS存储结构及其制造方法。
技术介绍
自从早年德州仪器的JackKilby博士专利技术了集成电路之时起，科学家们和工程师们已经在半导体器件和工艺方面作出了众多专利技术和改进。近50年来，半导体尺寸已经有了明显的降低，这转化成不断增长的处理速度和不断降低的功耗。迄今为止，半导体的发展大致遵循着摩尔定律，摩尔定律大致是说密集集成电路中晶体管的数量约每两年翻倍。现在，半导体工艺正在朝着20nm以下发展，其中一些公司正在着手14nm工艺。这里仅提供一个参考，一个硅原子约为0.2nm，这意味着通过20nm工艺制造出的两个独立组件之间的距离仅仅约为一百个硅原子。目前在集成电路中，传统体硅工艺的SONOS技术中，一个存储单元包括两个独立的晶体管结构，为一个存储管和一个选择管与之搭配，存储管部分具有SONOS(Silicon(栅极)-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon(衬底))结构，用以存储电荷，通过不同的Vt状态来实现数据存储。选择管部分为传统的MOS管，用以作为存储...
【技术保护点】
1.一种SONOS存储结构，包括衬底和形成在所述衬底上的选择管栅极和存储管栅极，其特征在于，所述衬底为复合衬底，所述复合衬底由下至上依次具有硅基体层、掩埋氧化物层和硅表面层，所述硅基体层的上部为存储管阱区；所述选择管栅极和所述存储管栅极形成在所述硅表面层上；所述选择管栅极包括选择管第一栅极和选择管第二栅极，所述选择管第一栅极和所述选择管第二栅极分别位于所述存储管栅极两侧，并与所述存储管栅极通过所述存储管栅极两侧的第一侧墙电性隔离；以及所述选择管第一栅极和所述选择管第二栅极外侧的所述硅表面层上表面分别形成有与所述选择管第一栅极和所述选择管第二栅极毗邻的硅外延层。
【技术特征摘要】
1.一种SONOS存储结构，包括衬底和形成在所述衬底上的选择管栅极和存储管栅极，其特征在于，所述衬底为复合衬底，所述复合衬底由下至上依次具有硅基体层、掩埋氧化物层和硅表面层，所述硅基体层的上部为存储管阱区；所述选择管栅极和所述存储管栅极形成在所述硅表面层上；所述选择管栅极包括选择管第一栅极和选择管第二栅极，所述选择管第一栅极和所述选择管第二栅极分别位于所述存储管栅极两侧，并与所述存储管栅极通过所述存储管栅极两侧的第一侧墙电性隔离；以及所述选择管第一栅极和所述选择管第二栅极外侧的所述硅表面层上表面分别形成有与所述选择管第一栅极和所述选择管第二栅极毗邻的硅外延层。2.如权利要求1所述的SONOS存储结构，其特征在于，所述选择管第一栅极和所述选择管第二栅极关于所述存储管栅极对称。3.如权利要求1所述的SONOS存储结构，其特征在于，所述存储管栅极与所述硅表面层之间具有ONO存储层，所述选择管第一栅极、所述选择管第二栅极与所述硅表面层之间具有栅氧层。4.如权利要求3所述的SONOS存储结构，其特征在于，所述硅外延层的高度高于所述栅氧层的高度。5.如权利要求3所述的SONOS存储结构，其特征在于，所述第一侧墙还包括延伸至所述硅表面层上表面的延伸部，所述延伸部与所述硅外延层邻接，所述选择管第一栅极与所述选择管第二栅极形成在所述延伸部上方，所述栅氧层为所述延伸部。6.如权利要求4所述的SONOS存储结构，其特征在于，所述栅氧层为去除所述延伸部后，形成在所述硅表面层上表面的氧化层。7.如权利要求1所述的SONOS存储结构，其特征在于，所述硅基体层的上部具有深阱区，所述存储管阱区位于所述深阱区的上部；以及所述存储管阱区和所述硅基体层均为第一掺杂类型，所述深阱区为不同于所述第一掺杂类型的第二掺杂类型，其中，所述第一掺杂类型为P型，所述第二掺杂类型为N型；或所述第一掺杂类型为N型，所述第二掺杂类型为P型。8.一种SONOS存储结构的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底为复合衬底，所述复合衬底由下至上依次具有硅基体层、掩埋氧化物层和硅表面层，所述硅基体层的上部形成有存储管阱区；在所述硅表面层上形成存储管栅极，所述存储管栅极的两侧表面形成有第一侧墙；以及在所述存储管栅极两侧的所述硅表面层上外延生长硅外延层，并形成选择管第一栅极和选择管第二栅极，其中...
【专利技术属性】
技术研发人员：唐小亮，陈广龙，辻直树，邵华，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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