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本发明提供了一种SONOS存储结构及其制造方法，SONOS存储结构包括衬底和形成在衬底上的选择管栅极和存储管栅极，其中，衬底为复合衬底，包括具有硅基体层、掩埋氧化物层和硅表面层，硅基体层的上部为存储管阱区；选择管栅极和存储管栅极形成在硅表面...
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