太阳能电池所使用硅片的清洗方法技术

技术编号:20728266 阅读:47 留言:0更新日期:2019-03-30 18:40
本发明专利技术提供了一种太阳能电池所使用硅片的清洗方法,包括:将硅片置于第一臭氧溶液中进行预清洗;将所述硅片置于氢氧化钠溶液中,并使得所述硅片在所述氢氧化钠溶液中发生鼓泡循环反应,以去除所述硅片的至少部分单面损伤层;利用第二臭氧溶液清洗所述硅片表面;将所述硅片置于氟化氢与氯化氢的混酸溶液中进行清洗。本发明专利技术可有利于降低了成本,还可有效保障清洗效果与硅片质量。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池所使用硅片的清洗方法
本专利技术涉及光伏领域,尤其涉及太阳能电池所使用硅片的清洗方法。
技术介绍
随着近几年光伏太阳能电池技术的快速更新替代,单晶硅电池工艺技术效率提升路线愈发成熟,促生了P型PERC、N型PERT\PERL\HIT等电池技术研发应用,这些高效电池市场占有率逐年递增,并进一步激发了行业对更高效率电池技术开发的热情。目前高效率电池技术的关键不仅仅在于所使用硅片追求更高的品质,其过程工艺洁净的控制、工艺参数和制备极限的挑战以及表面钝化处理也尤为重要。目前行业内传统P型单晶硅太阳能电池表面处理主要是形成绒面结构,其处理目的是因为一般光线照射在电池片表面时超过30%的光子将会被损失掉,而将硅片表面进行制绒处理是减少光损失的常用方法之一。制绒后的硅片表面光线倾斜耦合进入硅片同时形成多次反射吸收,避免了电池电流的降低从而提高电池转换效率。其处理主要流程包括:含碱的双氧水中预清洗、碱制绒,以及含碱的双氧水后清洗等。然而,若采用该流程,含碱双氧水溶液对去损伤层或制绒后的硅片表面清洗不仅容易增加硅片表面的粗糙度且其氧化性有限,还不利于有效去除金属离子及颗粒。另一方面,在硅片清本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳能电池所使用硅片的清洗方法,其特征在于,包括:将硅片置于第一臭氧溶液中进行预清洗;将所述硅片置于氢氧化钠溶液中,并使得所述硅片在所述氢氧化钠溶液中发生鼓泡循环反应,以去除所述硅片的至少部分单面损伤层;利用第二臭氧溶液清洗所述硅片表面;将所述硅片置于氟化氢与氯化氢的混酸溶液中进行清洗。

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池所使用硅片的清洗方法,其特征在于,包括:将硅片置于第一臭氧溶液中进行预清洗;将所述硅片置于氢氧化钠溶液中,并使得所述硅片在所述氢氧化钠溶液中发生鼓泡循环反应,以去除所述硅片的至少部分单面损伤层;利用第二臭氧溶液清洗所述硅片表面;将所述硅片置于氟化氢与氯化氢的混酸溶液中进行清洗。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述氢氧化钠溶液的质量浓度的取值范围为1.5%至25%,所述氢氧化钠溶液的温度的取值范围为78℃到84℃,所述鼓泡循环反应的时间的取值范围为3分钟至15分钟;所述至少部分单面损伤层的厚度的取值范围为3微米至12微米。3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述氢氧化钠溶液的质量浓度的取值范围为5%至25%,所述鼓泡循环反应的时间的取值范围为4分钟至8分钟。4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述氢氧化钠溶液的质量浓度的取值范围为1.5%至3%,所述鼓泡循环反应的时间的取值范围为6分钟至15分钟,所述至少部分单面损伤层的厚度的取值范围为2微米至5微米。5.根据权利要求1至4任一项所述的方法,其特征在于,所述第一臭氧溶液的浓度的取值范围为10ppm至40pp...

【专利技术属性】
技术研发人员:张婷王举亮郭永刚杜喜霞
申请(专利权)人:国家电投集团西安太阳能电力有限公司国家电投集团西安太阳能电力有限公司西宁分公司国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司青海黄河上游水电开发有限责任公司
类型:发明
国别省市:陕西,61

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