【技术实现步骤摘要】
同时生长多根氟化物晶体材料的坩埚
本技术涉及氟化物晶体用坩埚的
，特别涉及同时生长多根氟化物晶体材料的坩埚。
技术介绍
所谓晶体生长是物质在特定的物理和化学条件下由气相、液相或固相形成晶体的过程。人类在数千年前就会晒盐和制糖。人工模仿天然矿物并首次合成成功的是刚玉宝石(α氧化铝)一法国化学家A。维尔纳叶约在1890年开始试验用氢氧焰熔融氧化铝粉末，以生长宝石，这个方法一直沿用至今，仍是生长轴承用宝石种装饰品宝石的主要方法。第二次世界大战后，由于天然水晶作为战略物资而引起人们的重视，科学家们又专利技术了水热法生长人工水晶。人们还在超高压下合成了金刚石，在高温条件下生长了成分复杂的云母等重要矿物，以补充天然矿物的不足。20世纪50年代。锗、硅单晶的生长成功，促进了半导体技术和电子工业的发展。20世纪60年代，由于研制出红宝石和钇铝石榴石单晶，为激光技术打下了牢固的基础。氟化物晶体生长技术中，坩埚下降法是使用比较多的方法，这种方法的生产效率和单晶产率决定了晶体材料的成本。目前单坩埚法和多坩埚法是根据客户要求来提高生产效率的手段，但这两种方法的产率还没有达到很高的水平。
技术实现思路
为了克服
技术介绍
的不足，本技术提供同时生长多根氟化物晶体材料的坩埚，主要解决了现在的坩埚不能很好的同时生长多根氟化物晶体的问题。本技术所采用的技术方案是：同时生长多根氟化物晶体材料的坩埚，包括埚体，所述埚体内设有埚套，所述埚套轴向设有若干通槽，所述埚体内壁底部设有籽晶阱，各个所述通槽均与所述籽晶阱连通。所述埚套与所述埚体可拆卸连接。所述埚套外壁与所述埚体内壁卡接配合。所述通槽底部与所述...
【技术保护点】
1.同时生长多根氟化物晶体材料的坩埚，包括埚体（1），其特征在于：所述埚体内设有埚套（2），所述埚套（2）轴向设有若干通槽（21），所述埚体内壁底部设有籽晶阱（11），各个所述通槽均与所述籽晶阱连通。
【技术特征摘要】
1.同时生长多根氟化物晶体材料的坩埚，包括埚体（1），其特征在于：所述埚体内设有埚套（2），所述埚套（2）轴向设有若干通槽（21），所述埚体内壁底部设有籽晶阱（11），各个所述通槽均与所述籽晶阱连通。2.根据权利要求1所述的同时生长多根氟化物晶体材料的坩埚，其特征在于：所述埚套与所述埚体可拆卸连接。3.根据权利要求2所述的同时生长多根氟化物晶体材料的坩埚，其特征在于：所述埚套外壁与所述埚体（1）内壁卡接配合。4.根据权利要求3所述的同时生长多根氟化...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭宗海，张可生，
申请(专利权)人：秦皇岛本征晶体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：河北,13
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