半导体晶圆加工方法、系统及系统的清洁方法技术方案

本公开实施例提供一种半导体晶圆加工方法、系统及系统的清洁方法。上述半导体晶圆加工系统的清洁方法包括在一真空腔室中，将一清洁装置放置于一掩模静电座上方。通过上述掩模静电座将上述清洁装置的一聚合物材料层吸附于上述掩模静电座。当上述清洁装置吸附于上述掩模静电座且经过一第一时间时，将上述清洁装置与上述掩模静电座分离。

【技术实现步骤摘要】
半导体晶圆加工方法、系统及系统的清洁方法
本专利技术实施例涉及一种半导体晶圆加工系统的清洁方法，特别涉及掩模静电座的清洁方法。
技术介绍
半导体集成电路(IC)产业已快速成长一段时日。IC材料与设计的技术进步，使每一代的IC比前一代的IC更小且其电路更复杂。新一代的IC具有较大的功能密度(比如固定芯片面积中的内连线元件数目)，与较小的尺寸(比如制程形成的最小构件或连线)。制程尺寸缩小往往有利于增加制程效率并降低相关成本。制程尺寸缩小会增加制程复杂度，但制程尺寸缩小的优点显而易见，因此需要更小的IC制程。举例来说，对高分辨率光刻制程的需求持续成长。光刻技术之一为极紫外光(EUV)光刻技术。极紫外光光刻技术利用极紫外光曝光掩模，以于基板上形成图案。一般而言，极紫外光光刻技术所用的掩模称作极紫外光(EUV)掩模，而极紫外光光刻技术所用的光波长介于约1nm至约100nm之间。现有的光刻技术通常适用于特定目的，而无法用于所有领域。举例来说，重复使用极紫外光刻制程中的极紫外光掩模将产生一些问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种半导体晶圆加工系统的清洁方法。上述半导体晶圆加工系统的清洁方法包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体晶圆加工系统的清洁方法，包括下列步骤：在一真空腔室中，将一清洁装置放置于一掩模静电座上方；通过该掩模静电座将该清洁装置的一聚合物材料层吸附于该掩模静电座；以及当该清洁装置吸附于该掩模静电座且经过一第一时间时，将该清洁装置与该掩模静电座分离。

【技术特征摘要】
1.一种半导体晶圆加工系统的清洁方法，包括下列步骤：在一真空腔室中，将一清洁装置放置于一掩模静电座上方；通过该掩模静电座将该清洁装置的一聚合物材料层吸附于该掩模静电座；以及当该清洁装置吸附于该掩模静电座且经过一第一时间时，将该清洁装置与该掩模静电座分离。2.如权利要求1所述的半导体晶圆加工系统的清洁方法，还包括：当该清洁装置吸附于该掩模静电座之后，将一半导体晶圆放置于一晶圆座上方；利用一射线源进行一光刻制程，在进行该光刻制程期间该射线源用以产生极紫外光线，以对该半导体晶圆曝光。3.如权利要求2所述的半导体晶圆加工系统的清洁方法，还包括：在将该清洁装置与该掩模静电座分离后，判断该掩模静电座表面是否需要被清洁；以及若该掩模静电座表面需要被清洁，则将该清洁装置放置于该掩模静电座上方，通过该掩模静电座将该清洁装置的该聚合物材料层吸附于该掩模静电座，以及当该清洁装置吸附于该掩模静电座且经过一第二时间时，将该清洁装置与该掩模静电座分离；其中，该第二时间大于该第一时间。4.如权利要求3所述的半导体晶圆加工系统的清洁方法，还包括：若该掩模静电座表面不需要被清洁，则在该清洁装置与该掩模静电座分离且经过一间隔时间时，将该清洁装置放置于该掩模静电座上方，通过该掩模静电座将该清洁装置的该聚合物材料层吸附于该掩模静电座，以及当该清洁装置吸附于该掩模静电座且经过该第一时间时，将该清洁装置与该掩模静电座分离。5.一种半导体晶圆加工方法，包括下列步骤：在一真空腔室中，将一清洁装置放置于一掩模静电座上方；通过该掩模静电座将该清洁装置的一聚合物材料层吸附于该掩模静电座；当该清洁装置吸附于该掩模静电座后，将一半导体晶圆放置于一晶圆座上方；对该半导体晶圆进行一第一半导体制程；以及进行该第一半导体制程之后，将该清洁装置与该掩模静电座分离，且将该半导体晶圆与该晶圆座分离。6.如权利要求5所述的半导体晶圆加工方法，还包括：在将该清洁装置与该掩模静电座分离后，判断该掩模静电座表面是否需要被清洁；若该掩模静电座表面需要被清洁，则将该清洁装置放置于该掩模静电座上方，通过该掩模静电座将该清洁装置的该聚合物材料层吸附于该掩模静电座，以及当该清洁装置吸附于该掩模静电座且经过一第一时...

【专利技术属性】
技术研发人员：李宗彦，卢玟铵，郭爵旗，许哲彰，周佳信，傅中其，陈立锐，郑博中，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71