一种离子注入设备制造技术

本实用新型专利技术涉及一种离子注入设备，离子注入腔室的出气口连接组合泵组成尾气排放系统，出气口与组合泵之间的管道为硬管，该硬管为5mm厚的亚克力材质硬管，进气口边缘处设有挡板，挡板尺寸超过进气口的尺寸，可在待注入基板还未移动至出现中断的位置时，阻挡对已注入部分的再次注入，在待注入基板移动至出现中断的位置时，挡板取消阻挡作用，从而可对未注入部分进行补注入，由于在注入中断后，可仅对未注入部分进行补注入，因此可避免再对已注入部分进行离子注入而导致对TFT基板或半导体器件的电学特性的影响，保证了注入剂量，因而保证了产品良率。

【技术实现步骤摘要】
一种离子注入设备
本技术涉及半导体
，尤其涉及一种离子注入设备。
技术介绍
半导体制程中，一般所使用的半导体材料为稳定的硅，为了符合某些制程特性的需求，必须藉由离子植入的方式来改变半导体材料的电子特性，使其形成P型或N型的材料，这时就需要特殊的工艺设备：离子注入机。半导体离子注入设备工作过程中，因离子注入设备内部及设备外壳之间加载20万伏特的直流高电压，同时设备内部在产生束流离子时亦会用到BF3、PH3、ASH3剧毒气体，此类剧毒气体进过反应后残留尾气需经过设备内部干泵排出，经20万伏特的直流高电压区域排出设备进入尾气处理系统，经过直流高压区域尾气排放装置通常为塑料软管，此塑料软管连接与设备内部及外壳之间，起到高低压之间绝缘及剧毒尾气排放密封的作用，在工作过程中，塑料软管经常因表面或内部附着垃圾导致高压放电，击穿软管，导致不能密封，剧毒尾气泄露从而引起安全事故。
技术实现思路
本技术旨在提供一种离子注入设备。本技术的目的是这样实现的：一种离子注入设备，包括离子源装置，离子源装置产生用于离子注入的离子束，所述离子源装置通过引出系统连接离子注入腔室，引出系统为引出缝和引出电极，离子源装置产生的离子束经由引出缝后由引出电极发送至离子注入腔室，离子注入腔室的离子束入口连接引出电极，离子注入腔室内还设有基板承载台用于承载待注入基板，离子注入设备还包括为离子注入腔室注入金属气体源的注入源，注入源连接加热装置将注入源内的金属氧化物气化，同时注入源连接离子注入腔室的进气口送入气体源，基板承载台处设有放电系统为提供等离子体供应电源，离子注入腔室的出气口连接组合泵组成尾气排放系统，出气口与组合泵之间的管道为硬管，该硬管为5mm厚的亚克力材质硬管，进气口边缘处设有挡板，挡板尺寸超过进气口的尺寸。作为优选，挡板在进气口边缘处设有转轴，挡板相对转轴进行转动。作为优选，所述放电系统包括射频电源和脉冲电源。本技术设计的离子注入设备，通过设置挡板，可在待注入基板还未移动至出现中断的位置时，阻挡对已注入部分的再次注入，在待注入基板移动至出现中断的位置时，挡板取消阻挡作用，从而可对未注入部分进行补注入，由于在注入中断后，可仅对未注入部分进行补注入，因此可避免再对已注入部分进行离子注入而导致对TFT基板或半导体器件的电学特性的影响，保证了注入剂量，因而保证了产品良率，由于尾气排放系统的硬管采用了5mm厚的亚克力材质，能承受20万伏特高压不被击穿导通，起到了很好的绝缘作用，有很好的密封性能，即使发生放电现象亦不会击穿尾排管导致特气泄露，杜绝了离子注入设备因高压放电经常击穿排风管引起毒气泄露安全事故发生，确保了芯片生产线稳定顺利生产。附图说明图1为本技术的结构示意图。图中：1、离子源装置；2、引出系统；3、引出缝；4、引出电极；5、离子注入腔室；6、离子束入口；7、注入源；8、加热装置；9、基板承载台；10、进气口；11、放电系统；12、出气口；13、组合泵；14、硬管；15、挡板；16、转轴。具体实施方式下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。在本技术的描述中，除非另有规定和限定，需要说明的是，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是机械连接或电连接，也可以是两个元件内部的连通，可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。如图1所示，一种离子注入设备，包括离子源装置1，离子源装置1产生用于离子注入的离子束，所述离子源装置1通过引出系统2连接离子注入腔室5，引出系统2为引出缝3和引出电极4，离子源装置1产生的离子束经由引出缝3后由引出电极4发送至离子注入腔室5，离子注入腔室5的离子束入口6连接引出电极4，离子注入腔室5内还设有基板承载台用于承载待注入基板，离子注入设备还包括为离子注入腔室5注入金属气体源的注入源7，注入源7连接加热装置8将注入源7内的金属氧化物气化，同时注入源7连接离子注入腔室5的进气口10送入气体源，基板承载台9处设有放电系统11为提供等离子体供应电源，离子注入腔室5的出气口12连接组合泵13组成尾气排放系统，出气口12与组合泵13之间的管道为硬管14，该硬管14为5mm厚的亚克力材质硬管，进气口10边缘处设有挡板15，挡板15尺寸超过进气口10的尺寸。作为优选，挡板15在进气口10边缘处设有转轴16，挡板15相对转轴16进行转动。作为优选，所述放电系统11包括射频电源和脉冲电源。本技术设计的离子注入设备，通过设置挡板，可在待注入基板还未移动至出现中断的位置时，阻挡对已注入部分的再次注入，在待注入基板移动至出现中断的位置时，挡板取消阻挡作用，从而可对未注入部分进行补注入，由于在注入中断后，可仅对未注入部分进行补注入，因此可避免再对已注入部分进行离子注入而导致对TFT基板或半导体器件的电学特性的影响，保证了注入剂量，因而保证了产品良率，由于尾气排放系统的硬管采用了5mm厚的亚克力材质，能承受20万伏特高压不被击穿导通，起到了很好的绝缘作用，有很好的密封性能，即使发生放电现象亦不会击穿尾排管导致特气泄露，杜绝了离子注入设备因高压放电经常击穿排风管引起毒气泄露安全事故发生，确保了芯片生产线稳定顺利生产。在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本技术的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。尽管已经示出和描述了本技术的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本技术的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本技术的范围由权利要求及其等同物限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种离子注入设备，其特征在于，包括离子源装置，离子源装置产生用于离子注入的离子束，所述离子源装置通过引出系统连接离子注入腔室，引出系统为引出缝和引出电极，离子源装置产生的离子束经由引出缝后由引出电极发送至离子注入腔室，离子注入腔室的离子束入口连接引出电极，离子注入腔室内还设有基板承载台用于承载待注入基板，离子注入设备还包括为离子注入腔室注入金属气体源的注入源，注入源连接加热装置将注入源内的金属氧化物气化，同时注入源连接离子注入腔室的进气口送入气体源，基板承载台处设有放电系统为提供等离子体供应电源，离子注入腔室的出气口连接组合泵组成尾气排放系统，出气口与组合泵之间的管道为硬管，该硬管为5mm厚的亚克力材质硬管，进气口边缘处设有挡板，挡板尺寸超过进气口的尺寸。

【技术特征摘要】
1.一种离子注入设备，其特征在于，包括离子源装置，离子源装置产生用于离子注入的离子束，所述离子源装置通过引出系统连接离子注入腔室，引出系统为引出缝和引出电极，离子源装置产生的离子束经由引出缝后由引出电极发送至离子注入腔室，离子注入腔室的离子束入口连接引出电极，离子注入腔室内还设有基板承载台用于承载待注入基板，离子注入设备还包括为离子注入腔室注入金属气体源的注入源，注入源连接加热装置将注入源内的金属氧化物气化，同时注入源连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：王开军，
申请(专利权)人：苏州同冠微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32