一种横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法，该横向双扩散金属氧化物半导体器件包括：半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有漂移区；在所述漂移区中形成有阱区和漏区，在所述阱区中有源区和沟道；在所述漂移区中形成有位于所述阱区和所述漏区之间的深沟槽隔离结构，在所述深沟槽隔离结构的底部形成有交替设置的第一P型注入区和第一N型注入区，所述第一P型注入区和所述第一N型注入区沿所述阱区到所述漏区的方向延伸。该横向双扩散金属氧化物半导体器件可以降低导通电阻且表面不形成高电场。该横向双扩散金属氧化物半导体器件的制作方法具有类似的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法。
技术介绍
在高压MOS管的发展过程中，主要有垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)和横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)两种类型。虽然垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)导通电阻小，占用版图面积也小，但是它是纵向结构，不易和低压CMOS电路兼容。而横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)具有更好的热稳定性和频率稳定性、更高的增益和耐久性、更低的反馈电容和热阻，以及恒定的输入阻抗和更简单的偏流电路，因此，在目前得到了比较广泛的应用。在目前的高压LDMOS器件中，常规结构SingleResurf(SR，Resurf即reducesurfacefield降低表面电场技术)、DoubleResurf(DR)、TripleResurf(TR)以及mutiResurfLDMOS器件已经广泛的应用。想要在同等耐压基础上得到更低的导通电阻，则需要使用super-junction(SJ，超结)技术。然而，目前为止SJ技术仅被成熟应用在垂直分离晶体管(ve本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种横向双扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有漂移区；在所述漂移区中形成有阱区和漏区，在所述阱区中有源区和沟道；在所述漂移区中形成有位于所述阱区和所述漏区之间的深沟槽隔离结构，在所述深沟槽隔离结构的底部形成有交替设置的第一P型注入区和第一N型注入区，所述第一P型注入区和所述第一N型注入区沿所述阱区到所述漏区的方向延伸。

【技术特征摘要】
1.一种横向双扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有漂移区；在所述漂移区中形成有阱区和漏区，在所述阱区中有源区和沟道；在所述漂移区中形成有位于所述阱区和所述漏区之间的深沟槽隔离结构，在所述深沟槽隔离结构的底部形成有交替设置的第一P型注入区和第一N型注入区，所述第一P型注入区和所述第一N型注入区沿所述阱区到所述漏区的方向延伸。2.根据权利要求1所述的横向双扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，在所述深沟槽隔离结构的侧壁上形成有交替设置的第二P型注入区和第二N型注入区。3.根据权利要求2所述的横向双扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述第二P型注入区和所述第二N型注入区沿垂直于所述半导体衬底的方向延伸。4.根据权利要求1所述的横向双扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，在所述深沟槽隔离结构的靠近所述阱区的一侧形成有与所述阱区导电类型相同的第三注入区；在所述深沟槽隔离结构的靠近所述漏区的一侧形成有与所述漏区导电类型相同的第四注入区。5.根据权利要求1所述的横向双扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述第一P型注入区的宽度自所述阱区和所述漏区中与所述第一P型注入区的导电类型相同的一侧向与所述第一P型注入区的导电类型相反的一侧逐渐减小；所述第一N型注入区的宽度自所述阱区和所述漏区中与所述第一N型注入区的导电类型相同的一侧向与所述第一N型注入区的导电类型相反的一侧逐渐减小。6.根据权利要求1-5中的任意一项所述的横向双扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述半导体衬底为体硅衬底或绝缘体上硅衬底。7.一种横向双扩散金属氧化物半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成漂移区；在所述漂移区形成阱区和漏区，在所述阱区中形成源区和沟道；在所述漂移区中形成位于所述阱区和所述漏区之间的深沟槽...

【专利技术属性】
技术研发人员：何乃龙，张森，李许超，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32