The invention provides a method for patterning a semiconductor film by using a mask combination and a mask combination. The mask combination comprises a first mask and a second mask, in which the first mask comprises a plurality of first shading areas, a plurality of first light transmission areas and at least one first light shielding island, and the first light shielding island covers the first light shielding area and the first light transmission area; the boundary of the first light shielding Island is not connected with the boundary of the mask plate; A plurality of second shading areas, a plurality of second shading areas and at least one second shading island, the second shading island covers the second shading area and the second light transmission area, the boundary of the second shading island does not contact the boundary of the mask plate, the first shading area and the second light transmission area complement each other, and the first light transmission area and the second light transmission area complement each other. The first transmission island and the second transmission island have the same shape and size and overlap with each other.
【技术实现步骤摘要】
掩膜版组合和使用掩膜版组合将半导体薄膜图形化的方法
本专利技术涉及电子显示领域,尤其涉及一种掩膜版组合和使用掩膜版组合将半导体薄膜图形化的方法。
技术介绍
由于OLED显示装置不需要背光即可实现显示,目前已经得到了广泛的应用。现阶段,中小尺寸的OLED面板的制作工艺中,蒸镀是很重要的一个工艺环节。在蒸镀制程中,用于图形定义的工具为金属掩模版,可分为精密金属掩膜板和通用金属掩模版。精密金属掩膜板用于像素定义,主要用于R、G、B像素层和掺杂材料蒸镀。通用金属掩模版用于共通层图形定义,主要用于电子注入层、空穴注入层、电子传输层和空穴传输层等的材料蒸镀。目前,出现了一种新型的类似“地中海”式的屏幕需求,如图1所示,即显示屏的显示区中存在一块被显示区包裹的非显示区,所述非显示区通常用于设置摄像头或其他非显示元件。在目前形成所述“地中海”式的显示屏的方法为通常为暴力切割,即显示区域制作完成之后通过激光切割去除“地中海”区的显示元件,镶嵌其他非显示元件。然而暴力切割会严重损坏发光元件,且难以精确控制。
技术实现思路
本专利技术提供一种掩膜版组合和使用掩膜版组合将半导体薄膜图形化的方 ...
【技术保护点】
1.一种掩膜版组合,其特征在于,包括第一掩膜版和第二掩膜版,所述第一掩膜版和第二掩膜版具有相同的形状和大小,其中,所述第一掩膜版包括多个第一遮光区、多个第一透光区和至少一个第一遮光岛,所述多个第一遮光区和第一透光区彼此平行,且在所述第一掩膜版上间隔分布,所述第一遮光岛覆盖部分所述第一遮光区和第一透光区;所述第一遮光岛的边界不与所述掩膜版的边界相连;所述第二掩膜版包括多个第二遮光区、多个第二透光区和至少一个第二遮光岛,所述多个第二遮光区和第二透光区彼此平行,且在所述第二掩膜版上间隔分布,所述第二遮光岛覆盖部分所述第二遮光区和第二透光区;所述第二遮光岛的边界不与所述掩膜版的边界 ...
【技术特征摘要】
1.一种掩膜版组合,其特征在于,包括第一掩膜版和第二掩膜版,所述第一掩膜版和第二掩膜版具有相同的形状和大小,其中,所述第一掩膜版包括多个第一遮光区、多个第一透光区和至少一个第一遮光岛,所述多个第一遮光区和第一透光区彼此平行,且在所述第一掩膜版上间隔分布,所述第一遮光岛覆盖部分所述第一遮光区和第一透光区;所述第一遮光岛的边界不与所述掩膜版的边界相连;所述第二掩膜版包括多个第二遮光区、多个第二透光区和至少一个第二遮光岛,所述多个第二遮光区和第二透光区彼此平行,且在所述第二掩膜版上间隔分布,所述第二遮光岛覆盖部分所述第二遮光区和第二透光区;所述第二遮光岛的边界不与所述掩膜版的边界相接触;其中,所述第一遮光区和所述第二遮光区互补设置,所述第一透光区和所述第二透光区互补设置;所述第一透光岛和所述第二透光岛具有相同的形状、尺寸和位置,且彼此重叠设置。2.根据权利要求1所述的掩膜版组合,其特征在于,所述第一透光岛和所述第二透光岛的形状包括但不限于圆形、椭圆形、三角形、矩形、多边形、心形。3.根据权利要求2所述的掩膜版组合,其特征在于,所述第一掩膜版和第二掩膜版为带状等间距图形,所述第一遮光区、第一透光区、第二遮光区和第二透光区为平行于所述第一掩膜版和第二掩膜版的对称轴的带状图形。4.根据权利要求3所述的掩膜版组合,其特征在于,所述带状图形的宽度小于或等于5μm。5.根据权利要求1所述的掩膜版组合,其特征在于,所述第一掩膜版和第二掩膜版为矩形,所述第一遮光区、第一透光区、第二遮光区和第二透光区为平行于所述第一掩膜版和第二掩膜版的一条边的带状图形,所述带状图形具有相同的形状和尺寸,所述第一遮光区的位置与所示第二透光区的位置重合,所述第二遮光区的位置与所示第一透光区的位置重合。6.一种使用掩膜版组合将半导体薄膜图形化的方法,其特征在于,所述掩膜版组合包括第一掩膜版和第二掩膜版,所述第一掩膜版和第二掩膜版具有...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙朴,
申请(专利权)人:武汉华星光电半导体显示技术有限公司,
类型:发明
国别省市:湖北,42
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