发光二极管显示器制造技术

技术编号:20548539 阅读:32 留言:0更新日期:2019-03-09 21:03
本发明专利技术公开了一种发光二极管显示器,具有显示区与非显示区,且发光二极管显示器包括基板、多个发光二极管、多个突出结构、绝缘导热层以及散热结构。基板具有多个主动元件。发光二极管配置于基板上且阵列排列于显示区。发光二极管分别与这些主动元件之一电性连接。突出结构配置于基板上且位于各发光二极管的至少一侧边。突出结构的高度大于发光二极管的高度。绝缘导热层配置于突出结构上。绝缘导热层覆盖突出结构至少部分面积并延伸至邻近发光二极管的基板的顶面上。散热结构配置于基板上且位于非显示区。绝缘导热层连接至散热结构。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管显示器
本专利技术是有关于一种显示器,且特别是有关于一种发光二极管显示器。
技术介绍
在发光二极管的系统中,载子的复合机制主要有两种,其分别为产生光子(photon)的辐射复合与不会产生光子的非辐射复合。发光二极管的非辐射复合包括萧克利-里德-霍尔复合(Shockley-Read-Hall,)复合及欧杰(Auger)复合,而这两种的非辐射复合则是以声子(phonon)的形式放出,最终转成热。因此,若发光二极管的装置无法即时有效地散热,则大量的热会造成整个装置的温度增加,进而导致发光二极管的发光效率变差,同时也会有色偏问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种发光二极管显示器,具有可提高发光效率并改善色偏现象的功效。本专利技术的发光二极管显示器,具有显示区与非显示区,且发光二极管显示器包括基板、多个发光二极管、多个突出结构、绝缘导热层以及散热结构。基板具有多个主动元件。发光二极管配置于基板上且阵列排列于显示区。发光二极管分别与这些主动元件之一电性连接。突出结构配置于基板上且位于发光二极管的至少一侧边。突出结构的高度大于发光二极管的高度。绝缘导热层配置于突出结构上。绝缘导热层覆盖突出结构至少部分面积并延伸至邻近发光二极管的基板的顶面上。散热结构配置于基板上且位于非显示区。绝缘导热层连接至散热结构。在本专利技术的一实施例中,上述的绝缘导热层接触发光二极管。在本专利技术的一实施例中,上述的绝缘导热层的导热系数大于100W/m.K且电阻率大于108Ω.cm。在本专利技术的一实施例中,上述的绝缘导热层的材料包括氮化铝、碳化硅、氧化铍或氮化硼。在本专利技术的一实施例中,上述的散热结构具有散热材料,且散热材料包括散热胶、散热胶带或金属。在本专利技术的一实施例中,上述的散热结构与发光二极管显示器的框体相连接。在本专利技术的一实施例中,上述的发光二极管显示器更包括高导热层,配置于突出结构上。至少部分绝缘导热层与高导热层于垂直投影于基板的方向上重叠。高导热层的导热系数大于200W/m.K,且部分高导热层连接至散热结构。在本专利技术的一实施例中,上述的高导热层覆盖且直接接触于至少部分绝缘导热层之上。在本专利技术的一实施例中,上述的高导热层的材料包括铜、铝等金属材质或其组合。在本专利技术的一实施例中,上述的发光二极管显示器更包括散热基板,设置于高导热层之上。散热基板直接接触高导热层。在本专利技术的一实施例中,上述的发光二极管显示器更包括多个连接层。各发光二极管分别经由各连接层电性连接至对应的各主动元件之一,且绝缘导热层覆盖连接层。在本专利技术的一实施例中,于基板的垂直方向上,上述的绝缘导热层在显示区内具有一覆盖面积,且覆盖面积至少大于1/3显示区的面积。在本专利技术的一实施例中,上述的绝缘导热层环绕发光二极管。在本专利技术的一实施例中,上述的发光二极管显示器更包括封装胶体,配置于基板上且覆盖发光二极管。封装胶体包括多个绝缘导热粒子,且绝缘导热粒子的导热系数大于100W/m.K且电阻率大于108Ω.cm。在本专利技术的一实施例中,上述的绝缘导热粒子的材料包括氮化铝、碳化硅、氧化铍、氮化硼、氧化铝或氮化硅。基于上述,本专利技术的发光二极管显示器,其包括发光二极管、突出结构、绝缘导热层以及散热结构。其中,突出结构配置于各发光二极管的至少一侧边、绝缘导热层配置于突出结构上且绝缘导热层连接至散热结构。藉此设计,使得本专利技术的发光二极管显示器可利用热传导的方式,将发光二极管所产生的热传导至其侧边的绝缘导热层,再将热传导至与绝缘导热层连接的散热结构来有效地进行散热,以降低整体的发光二极管显示器的温度,进而提高发光二极管显示器的发光效率及并改善色偏现象。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附图式作详细说明如下。附图说明图1A是依照本专利技术一实施例的一种发光二极管显示器的俯视示意图。图1B是图1A的发光二极管显示器沿A-A’的局部剖面示意图。图2是依照本专利技术另一实施例的一种发光二极管显示器的局部剖面示意图。图3是依照本专利技术另一实施例的一种发光二极管显示器的局部剖面示意图。图4是依照本专利技术另一实施例的一种发光二极管显示器的局部剖面示意图。图5A是依照本专利技术另一实施例的一种发光二极管显示器的局部剖面示意图。图5B是依照本专利技术另一实施例的一种发光二极管显示器的局部剖面示意图。其中,附图标记:10、10a、10b、10c、10d:发光二极管显示器100a:显示区100b:非显示区110:基板111:顶面112:基底113:绝缘层114:导电层120:主动元件122:主动元件1221:通道层1222:栅极1223:源极1224:漏极1225:栅绝缘层1226:绝缘层124、124a:驱动控制装置126:扫描线128:数据线130、130a:发光二极管132:第一电极134:第二电极140:突出结构150:绝缘导热层160:散热结构170:封装胶体172:绝缘导热粒子180:高导热层190:连接层210:散热基板H1、H2:高度具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述,但不作为对本专利技术的限定。图1A是依照本专利技术一实施例的一种发光二极管显示器的俯视示意图。图1B是图1A的发光二极管显示器沿A-A’的局部剖面示意图。其中,图1A中省略绘示主动元件122与突出结构140。请同时参照图1A与图1B,在本实施例中,发光二极管显示器10具有显示区100a与非显示区100b,其中非显示区100b为位于显示区100a以外的区域。其中,发光二极管显示器10包括基板110、多个发光二极管130、多个突出结构140、绝缘导热层150以及散热结构160。详细来说,基板110具有驱动元件120,且驱动元件120包括多个主动元件122与驱动控制装置124、124a。其中,主动元件122(图1B中示意地绘示为2个)阵列排列于显示区100a,驱动控制装置124与驱动控制装置124a位于非显示区100b,驱动控制装置124、124a可为集成电路晶片(IC)或其他以半导体材料及制程所制造的开关元件等,亦可为与主动元件122利用相同的制程所制造产生。发光二极管130(图1A中示意地绘示为15个)例如是次毫米发光二极管(miniLED)或微型发光二极管(microLED),配置于基板110上且阵列排列于显示区100a。发光二极管130分别与主动元件122之一电性连接。突出结构140(图1B中示意地绘示为2个)配置于基板110上且位于各发光二极管130的至少一侧边,在部分实施例中,突出结构140于俯视下可为岛状、一条一条的连续图案或网状,但不以此为限。在本实施例中,突出结构140的高度为H1,发光二极管130的高度为H2,且H1大于H2。绝缘导热层150配置于突出结构140上,绝缘导热层150覆盖突出结构140至少部分面积并延伸至邻近发光二极管130的基板110的顶面111上。突出结构140的设置可用以增加绝缘导热层150的覆盖面积,使得热能较易藉由绝缘导热层150传递出去。在本实施例中,如图1B所示,突出结构140可配置于发光二极管130相对的二侧边,但不以此为限。在其他实施例中,突出结构也可配置于发光二极管130的其中一侧边或任意二个以上的侧边。在本实施例中,如图1A所示,绝缘导热层150可配置于发光二极管本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管显示器,其特征在于,具有一显示区与一非显示区,且该发光二极管显示器包括:一基板,具有多个主动元件;多个发光二极管,配置于该基板上且阵列排列于该显示区,且分别与该些主动元件之一电性连接;多个突出结构,配置于该基板上且位于各该些发光二极管的至少一侧边,该些突出结构的高度大于该些发光二极管的高度;一绝缘导热层,配置于该些突出结构上,该绝缘导热层覆盖该些突出结构至少部分面积并延伸至邻近该些发光二极管的该基板的一顶面上;以及一散热结构,配置于该基板上且位于该非显示区,其中该绝缘导热层连接至该散热结构。

【技术特征摘要】
2018.03.28 TW 1071108131.一种发光二极管显示器,其特征在于,具有一显示区与一非显示区,且该发光二极管显示器包括:一基板,具有多个主动元件;多个发光二极管,配置于该基板上且阵列排列于该显示区,且分别与该些主动元件之一电性连接;多个突出结构,配置于该基板上且位于各该些发光二极管的至少一侧边,该些突出结构的高度大于该些发光二极管的高度;一绝缘导热层,配置于该些突出结构上,该绝缘导热层覆盖该些突出结构至少部分面积并延伸至邻近该些发光二极管的该基板的一顶面上;以及一散热结构,配置于该基板上且位于该非显示区,其中该绝缘导热层连接至该散热结构。2.如权利要求1所述的发光二极管显示器,其特征在于,该绝缘导热层接触该些发光二极管。3.如权利要求1所述的发光二极管显示器,其特征在于,该绝缘导热层的导热系数大于100W/m.K且电阻率大于108Ω.cm。4.如权利要求3所述的发光二极管显示器,其特征在于,该绝缘导热层的材料包括氮化铝、碳化硅、氧化铍或氮化硼。5.如权利要求1所述的发光二极管显示器,其特征在于,该散热结构具有一散热材料,该散热材料包括散热胶、散热胶带或金属。6.如权利要求5所述的发光二极管显示器,其特征在于,该散热结构与该发光二极管显示器的一框体相连接。7.如权利要求1所述的发光二极管显示器,其特征在于,更包括:一高导热层,配置于该突出结构上,且至少部分...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄柏荣刘品妙蔡正晔
申请(专利权)人:友达光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾,71

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