微显示器件及其制备方法、显示面板技术

本发明专利技术提供了一种微显示器件及其制备方法、显示面板，涉及LED显示领域，该微显示器件包括：半导体衬底；以及，形成在半导体衬底上的全彩色显示阵列；其中，全彩色显示阵列包括至少一个RGB像素，RGB像素包括红、绿、蓝像素单元，RGB像素通过分子束外延法制备工艺直接形成在半导体衬底上。通过利用掩模MBE法制备RGB像素各自独立的全彩色发光阵列，缓解了现有技术中存在的像素间串扰的技术问题，能够实现全彩显示，改善了微显示器件的发光效果。该微显示器件红、绿、蓝像素单元的发光层采用同样的量子阱材料，有利于降低工艺难度，且全在高真空下完成，在降低工艺难度的同时可避免因工艺交替而引入的杂质和缺陷。

【技术实现步骤摘要】
微显示器件及其制备方法、显示面板
本专利技术涉及LED显示
，尤其是涉及一种微显示器件及其制备方法、显示面板。
技术介绍
目前，现有的LED微显示器是通过将整块LED器件键合在IC驱动阵列上的方式制作的，该种方式由于像素之间不独立，导致像素间串扰的问题。针对以上问题，目前尚未提出有效的解决方案。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种微显示器件及其制备方法、显示面板，以缓解现有技术中存在的像素间串扰的技术问题。第一方面，本专利技术实施例提供了一种微显示器件，包括：半导体衬底；以及，形成在所述半导体衬底上的全彩色显示阵列，其中，所述全彩色显示阵列包括至少一个RGB像素(红绿蓝像素，又称全彩色像素)，所述RGB像素包括R(Red，红色)像素单元、G(绿色，Green)像素单元和B(Blue，蓝色)像素单元，所述RGB像素通过分子束外延法(MolecularBeamEpitaxy，MBE)制备工艺直接形成在所述半导体衬底上。本专利技术实施例通过使用MBE法制备处RGB像素各自独立的全彩色显示阵列(又称为RGB像素阵列或全彩色发光阵列)，缓解了现有技术中存在的串扰问题，实现微显示器件的全彩显示，此外，通过MBE掩模生长法可直接制备出的各自独立的RGB像素阵列，均是在高真空下完成，可避免因工艺交替而引入的杂质和缺陷。结合第一方面，本专利技术实施例提供了第一方面的第一种可能的实施方式，其中，所述R像素单元、所述G像素单元、所述B像素单元均包括通过分子束外延法依次沉积的N型GaN外延层(N-GaN外延层)、InGaN多量子阱(Multi-QuantumWell，MQW)层(即InGaNMQW)、P型GaN层(P-GaN)、电流拓展层、P型电极(P电极)；其中，所述R像素单元、所述G像素单元和所述B像素单元的InGaN多量子阱层的In含量不同。通过在InGaN多量子阱层中调整In的组分比例来调整带隙，进而达到RGB波段的调整。具体实现时，可以在制备该层时，利用MBE法配合相对应的像素单元(或像素单元阵列)的掩膜板在高真空下制备得到，实现了将RGB像素阵列的至少一个R像素单元或至少一个G像素单元或至少一个B像素单元的同时制备，实现全彩色像素阵列的发光层的制备；换而言之，当RGB像素为一个，R像素单元、G像素单元、B像素单元也均为一个时，利用MBE法配合相对应的像素单元的掩膜板依次制备R像素单元、G像素单元、B像素单元，最终制备得到包括作为发光层的一个RGB像素的全彩色像素阵列；当RGB像素为多个，R像素单元、G像素单元、B像素单元也均为多个时，利用MBE法配合相对应的像素单元阵列的掩膜板在高真空下依次完成RGB像素阵列的多个R像素单元或多个G像素单元或多个B像素单元的同时制备，最后得到包括作为发光层的多个RGB像素的全彩色像素阵列。结合第一方面的第一种可能的实施方式，本专利技术实施例提供了第一方面的第二种可能的实施方式，其中，所述R像素单元中InGaN多量子阱层的In组分的原子比含量为0.15-0.25；所述G像素单元中InGaN多量子阱层的In组分的原子比含量为0.35-0.4；所述B像素单元中InGaN多量子阱层的In组分的原子比含量为0.4-0.5。结合第一方面，本专利技术实施例提供了第一方面的第三种可能的实施方式，其中，所述RGB像素为多个，所述微显示器件还包括：在相邻的所述RGB像素之间形成的黑色遮光墙。通过在相邻的RGB像素之间制备黑色遮光墙，可以防止相邻像素之间漏电。结合第一方面，本专利技术实施例提供了第一方面的第四种可能的实施方式，其中，所述半导体衬底为蓝宝石衬底。第二方面，本专利技术实施例提供了一种显示面板，包括：驱动背板以及如第一方面及其可能的实施方式中任一项所述的微显示器件，所述驱动背板与所述微显示器件通过倒装焊键合。第三方面，本专利技术实施例还提供一种微显示器件的制备方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成全彩色显示阵列；其中，所述全彩色显示阵列包括至少一个RGB像素，所述RGB像素包括R像素单元、G像素单元和B像素单元，所述RGB像素通过分子束外延法制备工艺直接形成在所述半导体衬底上。结合第三方面，本专利技术实施例提供了第三方面的第一种可能的实施方式，其中，所述在所述半导体衬底上形成全彩色显示阵列，包括：通过分子束外延法配合带有像素阵列图案的镂空金属掩模板，将不同In组分含量的N-GaN/InGaNMQW/P-GaN/电流扩展层/P型电极的结构阵列制备在所述半导体衬底上。结合第三方面的第一种可能的实施方式，本专利技术实施例提供了第三方面的第二种可能的实施方式，其中，所述R像素单元中InGaNMQW的In组分的原子比含量为0.15-0.25；所述G像素单元中InGaNMQW的In组分的原子比含量为0.35-0.4；B像素单元中InGaNMQW的In组分的原子比含量为0.4-0.5。结合第三方面，本专利技术实施例提供了第三方面的第二种可能的实施方式，其中，所述RGB像素为多个，所述方法还包括：在相邻的所述RGB像素之间制备黑色遮光墙。本专利技术实施例带来了以下有益效果：本专利技术实施例提供的微显示器件及其制备方法、显示面板，其中，该微显示器件包括：半导体衬底；以及，形成在所述半导体衬底上的全彩色显示阵列，其中，所述全彩色显示阵列包括至少一个RGB像素，所述RGB像素包括R像素单元、G像素单元和B像素单元，所述RGB像素通过分子束外延法制备工艺直接形成在所述半导体衬底上。因此，本专利技术实施例提供的技术方案，通过利用掩模MBE法制备RGB像素各自独立的全彩色发光阵列，缓解了现有技术中存在的像素间串扰的技术问题，改善了像素发光效果。本专利技术的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。为使本专利技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。附图说明为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种微显示器件的示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种微显示器件的像素单元的结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的一种微显示器件的结构图；图4为本专利技术实施例提供的一种显示面板的结构图；图5为本专利技术实施例提供的一种显示装置的示意图；图6为本专利技术实施例提供的一种微显示器件的制备方法的流程图；图7为本专利技术实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程图；图8为本专利技术实施例提供的一种显示面板的制备方法的应用流程图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。目前，现有的LED微显示器是通过将整块LE本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微显示器件，其特征在于，包括：半导体衬底；以及，形成在所述半导体衬底上的全彩色显示阵列，其中，所述全彩色显示阵列包括至少一个RGB像素，所述RGB像素包括R像素单元、G像素单元和B像素单元，所述RGB像素通过分子束外延法制备工艺直接形成在所述半导体衬底上。

【技术特征摘要】
1.一种微显示器件，其特征在于，包括：半导体衬底；以及，形成在所述半导体衬底上的全彩色显示阵列，其中，所述全彩色显示阵列包括至少一个RGB像素，所述RGB像素包括R像素单元、G像素单元和B像素单元，所述RGB像素通过分子束外延法制备工艺直接形成在所述半导体衬底上。2.根据权利要求1所述的微显示器件，其特征在于，所述R像素单元、所述G像素单元、所述B像素单元均包括通过分子束外延法依次沉积的N型GaN外延层、InGaN多量子阱层、P型GaN层、电流拓展层、P型电极；其中，所述R像素单元、所述G像素单元和所述B像素单元的InGaN多量子阱层的In含量不同。3.根据权利要求2所述的微显示器件，其特征在于，所述R像素单元中InGaN多量子阱层的In组分的原子比含量为0.15-0.25；所述G像素单元中InGaN多量子阱层的In组分的原子比含量为0.35-0.4；所述B像素单元中InGaN多量子阱层的In组分的原子比含量为0.4-0.5。4.根据权利要求1所述的微显示器件，其特征在于，所述RGB像素为多个，所述微显示器件还包括：在相邻的所述RGB像素之间形成的黑色遮光墙。5.根据权利要求1所述的微显示器件，其特征在于，所述半导体衬底为蓝宝石衬底...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭建利，
申请(专利权)人：北京蜃景光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11