LED发光基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种LED发光基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，LED发光基板，包括驱动基板和位于所述驱动基板上的LED芯片，所述驱动基板上设置有薄膜晶体管和驱动所述LED芯片发光的驱动电极，还包括：位于所述LED芯片和所述薄膜晶体管之间的散热图形，所述散热图形与所述LED芯片的驱动电极电连接。本发明专利技术的技术方案能够保证LED发光基板的显示效果。

【技术实现步骤摘要】
LED发光基板及其制作方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，特别是指一种LED发光基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
LED(LightEmittingDiode，发光二极管)属于半导体二极管的一种，是一种依靠半导体PN结的单向导电性发光的光电元件，LED是目前世界范围市场上广泛使用的照明元件，具有体积小，亮度高，耗电量低，发热少，使用寿命长，环保等优点，并且具有丰富多彩的颜色种类，深受消费者的喜爱。MicroLED(微LED)即LED芯片微缩化和矩阵化技术。指的是在一个芯片上集成高密度微小尺寸的LED芯片阵列，其中每一个LED芯片可定址、单独驱动点亮，能够将相邻两个LED芯片的像素点距离从毫米级降低至微米级，提高显示效果，同时，MicroLED还具有节能高效、解析度高、体积小、薄型化等优点。MicroLED需要在一片显示面板的尺寸范围内嵌入数百万颗LED芯片，LED芯片的外延结构通常需要在衬底材料(如蓝宝石衬底)上生长完成，再切割剥离后转印至驱动基板上。转印的温度一般在250～300℃，加之转印压力的存在，现有技术在转印LED时，会使得驱动基板上的薄膜晶体管受到高压及高温本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LED发光基板，包括驱动基板和位于所述驱动基板上的LED芯片，所述驱动基板上设置有薄膜晶体管和驱动所述LED芯片发光的驱动电极，其特征在于，还包括：位于所述LED芯片和所述薄膜晶体管之间的散热图形，所述散热图形与所述LED芯片的驱动电极电连接。

【技术特征摘要】
1.一种LED发光基板，包括驱动基板和位于所述驱动基板上的LED芯片，所述驱动基板上设置有薄膜晶体管和驱动所述LED芯片发光的驱动电极，其特征在于，还包括：位于所述LED芯片和所述薄膜晶体管之间的散热图形，所述散热图形与所述LED芯片的驱动电极电连接。2.根据权利要求1所述的LED发光基板，其特征在于，还包括：位于所述LED芯片和所述薄膜晶体管之间的压力释放结构。3.根据权利要求1所述的LED发光基板，其特征在于，所述散热图形与所述驱动电极同层同材料设置。4.根据权利要求2所述的LED发光基板，其特征在于，所述LED芯片与所述薄膜晶体管之间设置有绝缘层，所述压力释放结构为贯穿所述绝缘层的过孔。5.根据权利要求1所述的LED发光基板，其特征在于，所述散热图形的厚度大于5000埃。6.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-5中任一项所述的LED发光基...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛大鹏，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11