LED发光基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

技术编号:20245029 阅读:35 留言:0更新日期:2019-01-30 00:04
本发明专利技术提供了一种LED发光基板及其制作方法、显示装置,属于显示技术领域。其中,LED发光基板,包括驱动基板和位于所述驱动基板上的LED芯片,所述驱动基板上设置有薄膜晶体管和驱动所述LED芯片发光的驱动电极,还包括:位于所述LED芯片和所述薄膜晶体管之间的散热图形,所述散热图形与所述LED芯片的驱动电极电连接。本发明专利技术的技术方案能够保证LED发光基板的显示效果。

【技术实现步骤摘要】
LED发光基板及其制作方法、显示装置
本专利技术涉及显示
,特别是指一种LED发光基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
LED(LightEmittingDiode,发光二极管)属于半导体二极管的一种,是一种依靠半导体PN结的单向导电性发光的光电元件,LED是目前世界范围市场上广泛使用的照明元件,具有体积小,亮度高,耗电量低,发热少,使用寿命长,环保等优点,并且具有丰富多彩的颜色种类,深受消费者的喜爱。MicroLED(微LED)即LED芯片微缩化和矩阵化技术。指的是在一个芯片上集成高密度微小尺寸的LED芯片阵列,其中每一个LED芯片可定址、单独驱动点亮,能够将相邻两个LED芯片的像素点距离从毫米级降低至微米级,提高显示效果,同时,MicroLED还具有节能高效、解析度高、体积小、薄型化等优点。MicroLED需要在一片显示面板的尺寸范围内嵌入数百万颗LED芯片,LED芯片的外延结构通常需要在衬底材料(如蓝宝石衬底)上生长完成,再切割剥离后转印至驱动基板上。转印的温度一般在250~300℃,加之转印压力的存在,现有技术在转印LED时,会使得驱动基板上的薄膜晶体管受到高压及高温的影响,会导致薄膜晶体管膜层破裂,薄膜晶体管特性漂移,严重影响MicroLED的显示效果。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种LED发光基板及其制作方法、显示装置,能够保证LED发光基板的显示效果。为解决上述技术问题,本专利技术的实施例提供技术方案如下:一方面,提供一种LED发光基板,包括驱动基板和位于所述驱动基板上的LED芯片,所述驱动基板上设置有薄膜晶体管和驱动所述LED芯片发光的驱动电极,还包括:位于所述LED芯片和所述薄膜晶体管之间的散热图形,所述散热图形与所述LED芯片的驱动电极电连接。进一步地,还包括:位于所述LED芯片和所述薄膜晶体管之间的压力释放结构。进一步地,所述散热图形与所述驱动电极同层同材料设置。进一步地,所述LED芯片与所述薄膜晶体管之间设置有绝缘层,所述压力释放结构为贯穿所述绝缘层的过孔。进一步地,所述散热图形的厚度大于5000埃。本专利技术实施例还提供了一种显示装置,包括如上所述的LED发光基板。本专利技术实施例还提供了一种LED发光基板的制作方法,包括形成驱动基板、将LED芯片转印到所述驱动基板上,所述驱动基板上设置有薄膜晶体管和驱动所述LED芯片发光的驱动电极,所述制作方法包括:在向所述驱动基板上转印LED芯片之前,在待转印区域和所述薄膜晶体管之间形成与所述驱动电极电连接的散热图形。进一步地,所述制作方法还包括:在向所述驱动基板上转印LED芯片之前,在待转印区域和所述薄膜晶体管之间形成压力释放结构。进一步地,形成所述散热图形包括:通过一次构图工艺形成所述散热图形和所述驱动电极。进一步地,形成所述压力释放结构包括:对所述待转印区域和所述薄膜晶体管之间的绝缘层进行构图,形成贯穿所述绝缘层的过孔。本专利技术的实施例具有以下有益效果:上述方案中,在LED芯片和薄膜晶体管之间设置散热图形,所述散热图形与所述LED芯片的驱动电极电连接,通过散热图形可以将转印时产生的热量散发出去,减少转印高温对薄膜晶体管器件的影响,保证薄膜晶体管的性能,进而保证LED发光基板的显示效果。附图说明图1为现有LED发光基板的示意图;图2为本专利技术实施例LED发光基板的示意图。附图标记1衬底基板2缓冲层3栅绝缘层4层间绝缘层5平坦层6钝化层7连接图形8驱动电极9LED芯片10有源层11源电极12栅电极13漏电极14散热图形15过孔16黑矩阵具体实施方式为使本专利技术的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。本专利技术的实施例针对现有技术中在转印LED时,会使得驱动基板上的薄膜晶体管受到高压及高温的影响,会导致薄膜晶体管膜层破裂,薄膜晶体管特性漂移,严重影响MicroLED的显示效果的问题,提供一种LED发光基板及其制作方法、显示装置,能够保证LED发光基板的显示效果。本专利技术实施例提供一种LED发光基板,包括驱动基板和位于所述驱动基板上的LED芯片,所述驱动基板上设置有薄膜晶体管和驱动所述LED芯片发光的驱动电极,还包括:位于所述LED芯片和所述薄膜晶体管之间的散热图形,所述散热图形与所述LED芯片的驱动电极电连接。本实施例中,在LED芯片和薄膜晶体管之间设置散热图形,所述散热图形与所述LED芯片的驱动电极电连接,通过散热图形可以将转印时产生的热量散发出去,减少转印高温对薄膜晶体管器件的影响,保证薄膜晶体管的性能,进而保证LED发光基板的显示效果。进一步地,LED发光基板还包括:位于所述LED芯片和所述薄膜晶体管之间的压力释放结构。本实施例中,在LED芯片和薄膜晶体管之间设置压力释放结构,通过压力释放结构可以将转印时的压力释放,减少转印压力对薄膜晶体管器件的影响,保证薄膜晶体管的性能,进而保证LED发光基板的显示效果。进一步地,所述散热图形与所述驱动电极同层同材料设置。这样,散热图形可以与驱动电极通过同一次构图工艺同时形成,能够在不增加构图工艺的基础上,形成散热图形,将转印时产生的热量散发出去,减少转印高温对薄膜晶体管器件的影响,保证薄膜晶体管的性能,进而保证LED发光基板的显示效果。具体地,所述LED芯片与所述薄膜晶体管之间设置有绝缘层,所述压力释放结构为贯穿所述绝缘层的过孔。进一步地,为了保证散热图形有效地将转印时产生的热量散发出去,所述散热图形的厚度大于5000埃。本专利技术实施例还提供了一种显示装置,包括如上所述的LED发光基板。所述显示装置可以为:电视、显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件,其中,所述显示装置还包括柔性电路板、印刷电路板和背板。本专利技术实施例还提供了一种LED发光基板的制作方法,包括形成驱动基板、将LED芯片转印到所述驱动基板上,所述驱动基板上设置有薄膜晶体管和驱动所述LED芯片发光的驱动电极,所述制作方法包括:在向所述驱动基板上转印LED芯片之前,在待转印区域和所述薄膜晶体管之间形成与所述驱动电极电连接的散热图形。本实施例中,在LED芯片和薄膜晶体管之间设置散热图形,所述散热图形与所述LED芯片的驱动电极电连接,通过散热图形可以将转印时产生的热量散发出去,减少转印高温对薄膜晶体管器件的影响,保证薄膜晶体管的性能,进而保证LED发光基板的显示效果。进一步地,所述制作方法还包括:在向所述驱动基板上转印LED芯片之前,在待转印区域和所述薄膜晶体管之间形成压力释放结构。本实施例中,在LED芯片和薄膜晶体管之间设置压力释放结构,通过压力释放结构可以将转印时的压力释放,减少转印压力对薄膜晶体管器件的影响,保证薄膜晶体管的性能,进而保证LED发光基板的显示效果。进一步地,形成所述散热图形包括:通过一次构图工艺形成所述散热图形和所述驱动电极。这样,能够在不增加构图工艺的基础上,形成散热图形,将转印时产生的热量散发出去,减少转印高温对薄膜晶体管器件的影响,保证薄膜晶体管的性能,进而保证LED发光基板的显示效果。具体地,形成所述压力释放结构包括:对所述待转印区域和所述薄膜晶体管之间的绝缘层进行构图,形成贯穿所述绝缘层的过孔。下面结合附图以及具体的实施例对本专利技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LED发光基板,包括驱动基板和位于所述驱动基板上的LED芯片,所述驱动基板上设置有薄膜晶体管和驱动所述LED芯片发光的驱动电极,其特征在于,还包括:位于所述LED芯片和所述薄膜晶体管之间的散热图形,所述散热图形与所述LED芯片的驱动电极电连接。

【技术特征摘要】
1.一种LED发光基板,包括驱动基板和位于所述驱动基板上的LED芯片,所述驱动基板上设置有薄膜晶体管和驱动所述LED芯片发光的驱动电极,其特征在于,还包括:位于所述LED芯片和所述薄膜晶体管之间的散热图形,所述散热图形与所述LED芯片的驱动电极电连接。2.根据权利要求1所述的LED发光基板,其特征在于,还包括:位于所述LED芯片和所述薄膜晶体管之间的压力释放结构。3.根据权利要求1所述的LED发光基板,其特征在于,所述散热图形与所述驱动电极同层同材料设置。4.根据权利要求2所述的LED发光基板,其特征在于,所述LED芯片与所述薄膜晶体管之间设置有绝缘层,所述压力释放结构为贯穿所述绝缘层的过孔。5.根据权利要求1所述的LED发光基板,其特征在于,所述散热图形的厚度大于5000埃。6.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-5中任一项所述的LED发光基...

【专利技术属性】
技术研发人员:薛大鹏
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:北京,11

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