背照式图像传感器制造技术

背照式图像传感器包括设置在衬底中的像素区域、布置在衬底的前侧表面上并与像素区域电连接的布线层、设置在衬底的背侧表面上的滤色器层、设置在滤色器层上的微透镜阵列以及被配置为将像素区域彼此电隔离的隔离区域。每个隔离区域包括深沟槽隔离区域和设置在深沟槽隔离区域上的浅沟槽隔离区域。

Back-illuminated image sensor

The back-illuminated image sensor includes a pixel area arranged in the substrate, a wiring layer arranged on the front surface of the substrate and electrically connected with the pixel area, a color filter layer arranged on the back surface of the substrate, a microlens array arranged on the color filter layer, and an isolation area configured to electrically isolate the pixel areas from each other. Each isolation area includes a deep groove isolation area and a shallow groove isolation area set on the deep groove isolation area.

【技术实现步骤摘要】
背照式图像传感器
技术介绍
本专利技术涉及一种背照式图像传感器及其制造方法。通常，图像传感器是将光学图像转换为电信号的半导体器件，并且可以被分类或归类为电荷耦合器件(CCD)或CMOS图像传感器(CIS)。CMOS图像传感器包括单位像素，每个单位像素包括光电二极管和MOS晶体管。CMOS图像传感器使用开关法顺序地检测单位像素的电信号，从而形成图像。CMOS图像传感器可以分为前照式图像传感器和背照式图像传感器。前侧照明图像传感器可以包括形成在衬底中的光电二极管、形成在衬底的前侧表面上的晶体管、形成在衬底的前侧表面上的布线层以及形成在布线层上的滤色器层和微透镜阵列层。与前照式图像传感器相比，背照式图像传感器可以具有改进的光接收效率。背照式图像传感器可以包括形成在衬底的前侧表面上的晶体管和布线层、形成在衬底的后侧表面上的阻光图案和抗反射层、形成在阻光图案和抗反射层上的钝化层以及形成在钝化层上的滤色器层和微透镜阵列。同时，在形成布线层之后，可以执行背面研磨工艺以减小衬底的厚度。然而，通过背面研磨工艺可以去除用作衬底中的吸气部位的体微缺陷(BMD)或衬底背侧表面上的多晶硅层。因此，衬底可能在衬底的背本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.背照式图像传感器，包括：像素区域，其设置在衬底中；布线层，其设置在所述衬底的前侧表面上并与所述像素区域电连接；滤色器层，其设置在所述衬底的背侧表面上；微透镜阵列，其设置在所述滤色器层上；和隔离区域，其被配置为将所述像素区域彼此电隔离，其中，每个所述隔离区域包括深沟槽隔离区域和设置在所述深沟槽隔离区域上的浅沟槽隔离区域。

【技术特征摘要】
2017.07.26 KR 10-2017-00947611.背照式图像传感器，包括：像素区域，其设置在衬底中；布线层，其设置在所述衬底的前侧表面上并与所述像素区域电连接；滤色器层，其设置在所述衬底的背侧表面上；微透镜阵列，其设置在所述滤色器层上；和隔离区域，其被配置为将所述像素区域彼此电隔离，其中，每个所述隔离区域包括深沟槽隔离区域和设置在所述深沟槽隔离区域上的浅沟槽隔离区域。2.如权利要求1所述的背照式图像传感器，其中所述深沟槽隔离区域包括掺杂杂质的多晶硅。3.如权利要求1所述的背照式图像传感器，其中所述浅沟槽隔离区域包括氧化硅。4.如权利要求1所述的背照式图像传感器，其中所述浅沟槽隔离区域包括衬垫绝缘层和设置在所述衬垫绝缘层上的氧化硅区域。5.如权利要求1所述的背照式图像传感器，其中所述深沟槽隔离区域从所述浅沟槽隔离区域延伸到所述衬底的背侧表面。6.如权利要求1所述的背照式图像传感器，其中每个所述像素区域包括：电荷累积区域，其设置在所述衬底中；和前侧钉扎层，其设...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩昌勋，
申请(专利权)人：DBHiTek株式会社，
类型：新型
国别省市：韩国,KR