【技术实现步骤摘要】
本技术的实施例涉及一种功率半导体器件。具体来讲，涉及一种包括自举电路(bootstrap circuit)的功率半导体器件，例如高电压集成电路(high voltageintegrated circuit；hvic)器件。
技术介绍
1、通常来讲，功率半导体期间可以包括高电压部以及低电压部，此外，为了确保所述高电压部稳定工作而可以使用自举电路。所述自举电路，可以包括：电容器，通过与所述高电压部连接而提供电力。
2、所述自举电路，可以包括：二极管，在所述低电压部输出低电压的期间内将所述电容器连接到驱动电压而对所述电容器进行充电，而在所述高电压部输出高电压的期间内防止所述驱动电源与所述高电压部电性连接。但是，在所述高电压直接加载于所述二极管的情况下，可能会导致所述二极管受损，因此，在所述高电压部与所述二极管之间可以配备有用于防止所述高电压被加载到所述二极管的单独的晶体管。
3、在使用所述单独的晶体管的情况下，可能会导致所述功率半导体器件的大小的增加，与此同时，在对所述电容器进行充电的期间内，电子移动距离也会因为所述单...
【技术保护点】
1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的功率半导体器件，其特征在于：
4.根据权利要求2所述的功率半导体器件，其特征在于：
5.根据权利要求4所述的功率半导体器件，其特征在于：
6.根据权利要求5所述的功率半导体器件，其特征在于：
7.根据权利要求4所述的功率半导体器件，其特征在于：
8.根据权利要求2所述的功率半导体器件，其特征在于：
9.根据权利要求8所述的功率半导体器件，其特征在于：p>
10.根据...
【技术特征摘要】
1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的功率半导体器件，其特征在于：
4.根据权利要求2所述的功率半导体器件，其特征在于：
5.根据权利要求4所述的功率半导体器件，其特征在于：
6.根据权利要求5所述的功率半导体器件，其特征在于：
7.根据权利要求4所述的功率半导体器件，其特征在于：
8.根据权利要求2所述的功率半导体器件，其特征在于：
9.根据权利要求8所述的功率半导体器件，其特征在于：
10.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于：
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【专利技术属性】
技术研发人员：申洪植，
申请(专利权)人：DBHiTek株式会社，
类型：新型
国别省市：
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