一种太阳能电池及其组件制造技术

本技术公开一种太阳能电池及其组件，用于减少电极制备对其它膜层结构和性能的影响。包括基底、第一电极层和第二电极层，基底第一面上具有交错排列的第一掺杂区和第二掺杂区，以及间隔第一掺杂区和第二掺杂区的隔离区，第一掺杂区和第一掺杂区的掺杂类型不同；第一掺杂区包括沿第二面至第一面的方向依次布置的第一隧穿层、第一掺杂多晶硅层和第二隧穿层，第二隧穿层覆盖第一掺杂多晶硅层的表面，第一电极层设置于第二隧穿层上，第一电极层在基底上的投影面积占第一掺杂区在基底上的投影面积的90％～100％；第二电极层设置于第二掺杂区，其在基底上的投影面积占第二掺杂区在基底上的投影面积的90％～100％；隔离区包括设置于第一面上的隧穿层。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及光伏，尤其涉及一种太阳能电池及其组件。

技术介绍

1、背接触(back contact，bc)太阳能电池指发射极和金属接触都处于电池的背面，正面没有金属电极遮挡的电池。与正面有遮挡的电池相比，背接触电池具有更高的短路电流和光电转换效率。隧穿氧化物钝化接触(tunnel oxide passivated contact，topcon)电池中由隧穿氧化层和掺杂多晶硅层组成的钝化接触结构可有效降低硅片表面和金属接触复合速率，叠加topcon和ibc技术的bc电池的效率较高，逐渐成为研究热点。目前叠加topcon和ibc技术的bc电池中，在背面的掺杂多晶硅层上常使用氧化铝和氮化硅的叠层作为钝化减反层，通过烧结或者激光刻蚀的方式，使沉积在钝化减反层上的电极材料可以与掺杂多晶硅层接触。

2、但是制备上述钝化减反层的工艺较为繁琐，而且对于电池背面而言，其接收到的太阳光较少，设置减反层的必要性不是很高。另外，当在钝化减反层上制备金属电极时，如果电极材料是容易腐蚀钝化减反层的材料，比如银，则可以直接在钝化减反层上印刷上银浆，再通过高温烧结的方式使银浆穿本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括基底、第一电极层和第二电极层，所述基底具有相对的第一面和第二面，所述第一面上具有交错排列的第一掺杂区和第二掺杂区，以及用于间隔所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的隔离区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的掺杂类型不同；

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一电极层和/或第二电极层任意位置的厚度为0.5μm-31μm。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂区包括沿所述第二面至所述第一面的方向依次布置的所述第一隧穿层、第二掺杂多晶硅层和所述第二隧穿层，所述第一隧穿层与所述第一面接触，所述第二隧穿层...

【技术特征摘要】

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括基底、第一电极层和第二电极层，所述基底具有相对的第一面和第二面，所述第一面上具有交错排列的第一掺杂区和第二掺杂区，以及用于间隔所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的隔离区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的掺杂类型不同；

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一电极层和/或第二电极层任意位置的厚度为0.5μm-31μm。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂区包括沿所述第二面至所述第一面的方向依次布置的所述第一隧穿层、第二掺杂多晶硅层和所述第二隧穿层，所述第一隧穿层与所述第一面接触，所述第二隧穿层覆盖所述第二掺杂多晶硅层的表面，所述第二电极层设置于所述第二隧穿层上；所述隧穿层为所述第一隧穿层和所述第二隧穿层的叠层；

4.根据权利要求1-3任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一隧穿层的厚度小于或等于2nm；

5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二隧穿层的厚度小于或等于2.5nm。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二隧穿层...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡永安，王志强，程臻君，徐希翔，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：