一种掩模板保护方法技术

本发明专利技术公开了一种掩模板保护方法，包括：步骤一、准备全新的掩模板，并对其进行预处理；步骤二、在掩模板上沉积一层纳米薄膜；步骤三、将铝箔贴敷在掩模板外表面；步骤四、去除覆盖在掩模孔上的多余铝箔。采用本发明专利技术的掩模板保护方法对传统掩模板进行保护后，可通过更换铝箔实现掩模版的重复利用，从而大大降低掩模成本。

【技术实现步骤摘要】
一种掩模板保护方法
本专利技术属于材料表面改性
，具体涉及一种掩模板保护方法。
技术介绍
掩模技术被广泛应用于各种印刷工艺、物理气相沉积或化学气相沉积工艺中，在各种气相沉积应用中，掩模不可避免地会被沉积材料所污染，当污染物积累到一定程度后，将导致掩模无法继续使用。由于掩模的制备成本都非常高昂，如果使用寿命过短的话，这必然大大增加了镀膜的成本。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术提出一种掩模板保护方法，通过实现掩模的重复利用来降低掩模成本。实现上述技术目的，达到上述技术效果，本专利技术通过以下技术方案实现：一种掩模板保护方法，包括：对掩模板做预处理；在掩模板内外表面沉积一层厚度为20-200nm的纳米薄膜；将厚度为25-250um的铝箔贴敷在掩模板外表面上；去除覆盖在掩模板掩模孔上的铝箔。作为本专利技术的进一步改进，所述在掩模板内外表面沉积一层厚度为20-200nm的纳米薄膜，具体为：采用磁控溅射、蒸发或多弧离子镀方法在掩模板内外表面沉积一层厚度为20-200nm的纳米薄膜。作为本专利技术的进一步改进，所述纳米薄膜的材料为铬、镍、钛、铝或其合金。作为本专利技术的进一步改进，所述纳米薄膜的材料为类金刚石或石墨。作为本专利技术的进一步改进，所述将厚度为25-250um的铝箔贴敷在掩模板外表面上，具体包括以下子步骤：(3.1)将铝箔覆盖在掩模板的外表面上；(3.2)采用真空吸合后，利用毛刷或橡胶球将铝箔于掩模板贴合。作为本专利技术的进一步改进，所述去除覆盖在掩模板掩模孔上的铝箔，具体为：采用激光雕刻工艺去除覆盖在掩模板掩模孔上的铝箔。与现有技术相比，本专利技术的有益效果：与传统掩模板污染后直接废弃不同，采用本专利技术的掩模板保护方法保护掩模板后，可通过撕除铝箔和重新贴敷铝箔使掩模板可以重复利用，从而大大降低生产成本。附图说明图1为本专利技术一种实施例的掩模板保护方法的流程示意图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。下面结合附图对本专利技术的应用原理作详细的描述。现有技术中，在各种气相沉积应用，掩模不可避免地会被沉积材料所污染，当污染物积累到一定程度后，将导致掩模无法继续使用。由于掩模的制备成本都非常高昂，如果使用寿命过短的话，这必然大大增加了镀膜的成本，为此，本专利技术提供了一种掩模板保护方法，可通过撕除铝箔和重新贴敷铝箔使掩模板可以重复利用，从而大大降低生产成本；具体地，如图1所示，本专利技术的掩模板保护方法包括：步骤(1)：对掩模板做预处理；在本专利技术的一种具体实施例中，具体包括以下子步骤：准备全新的掩模板，放入去离子水中常温超声清洗10分钟；然后放入酒精中超声清洗2分钟，清洗完成后放入设定温度为120℃的烘箱中烘干30分钟；步骤(2)：在掩模板内外表面沉积一层厚度为20-200nm的纳米薄膜，覆盖纳米薄膜的作用是对掩模板表面的多孔性氧化物进行封堵，在本专利技术的一种具体实施例中，具体包括以下子步骤：将烘干的掩模板放入磁控溅射设备的真空腔体，待真空抽至5×10-3pa时，充入氩气使动态维持0.5pa气压，打开磁控溅射电源，采用金属钛靶溅射沉积薄膜，厚度约为50nm后取出掩模板；所述纳米薄膜的材料为铬、镍、钛、铝或其合金，还可以是类金刚石或石墨；步骤(3)将厚度为25-250um的铝箔贴敷在掩模板外表面上，在本专利技术的一种具体实施例中，具体包括以下子步骤：将镀完膜的掩模板放置在真空吸台上，在掩模板的外表面上平铺一层长宽比掩模板大5％的厚度为100um的铝箔，采用辊轴压合铝箔和掩模板，同时打开真空吸台，利用真空将铝箔与掩模板吸合，然后再用橡胶球压在位于掩模板孔位置的铝箔上，使铝箔与掩模板孔边缘形成贴合后的折痕；本专利技术中之所以采用25-250um的铝箔是因为成本最低，且市面有售；步骤(4)去除覆盖在掩模板掩模孔上的铝箔；在本专利技术的一种具体实施例中，具体包括以下子步骤：使用深圳大族激光EP-12A风冷式端面泵浦激光打标机进行处理，中心频率为15～20kHZ，使用功率为12～13W，扫射速度为20mm/s。将掩模板放置于激光台上，设置激光参数，电流大小为12A，有效矢量步长为0.001mm，有效矢量延时30us，空矢量步长0.03mm，空矢量延时20us，激光开时间120us，激光关时间500us，跳转延时500us，拐弯延时5us，Q频率3kHZ，Q释放时间8us。沿着掩模板各个孔的边缘激光刻蚀铝箔，重新获得掩模孔。以上显示和描述了本专利技术的基本原理和主要特征和本专利技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本专利技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本专利技术的原理，在不脱离本专利技术精神和范围的前提下，本专利技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本专利技术范围内。本专利技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掩模板保护方法，其特征在于，包括：对掩模板做预处理；在掩模板内外表面沉积一层厚度为20‑200nm的纳米薄膜；将厚度为25‑250um的铝箔贴敷在掩模板外表面上；去除覆盖在掩模板掩模孔上的铝箔。

【技术特征摘要】
1.一种掩模板保护方法，其特征在于，包括：对掩模板做预处理；在掩模板内外表面沉积一层厚度为20-200nm的纳米薄膜；将厚度为25-250um的铝箔贴敷在掩模板外表面上；去除覆盖在掩模板掩模孔上的铝箔。2.根据权利要求1所述的一种掩模板保护方法，其特征在于：所述在掩模板内外表面沉积一层厚度为20-200nm的纳米薄膜，具体为：采用磁控溅射、蒸发或多弧离子镀方法在掩模板内外表面沉积一层厚度为20-200nm的纳米薄膜。3.根据权利要求1所述的一种掩模板保护方法，其特征在于：所述纳米薄膜材料为...

【专利技术属性】
技术研发人员：李东滨，吴疆，谷义伟，王德苗，金浩，冯斌，
申请(专利权)人：浙江大学昆山创新中心，
类型：发明
国别省市：江苏,32