The invention discloses a mask and design method, the mask comprises a transparent part forming mask pattern and the transparent part, diffraction grating structure region of the transparent part arranged adjacent to the edge of the light, and the grating diffraction grating structure in the region is parallel to the adjacent transparent part the edge. The mask of the invention, the light in the mask in part, diffraction grating structure design of the area adjacent to the edge of the transparent part, thus making the area change of polyimide film exposure energy, the morphology of polyimide thin film after changing the exposure, and finally after heat curing treatment can be obtained without polyimide film tilt and solve the packaging process of IC circuit in the subsequent, tilt adverse effects on solder ball filling.
【技术实现步骤摘要】
光罩及其设计方法
本专利技术涉及半导体制造技术,特别涉及一种IC制造过程中封装阶段的光刻中的所使用的一种光罩以及所述光罩的设计方法。
技术介绍
在半导体制造技术中,在IC(integratedcircuit,集成电路)的封装阶段,会在包含有芯片的基底表面涂覆一层polyimide(聚酰亚胺)薄膜以对基底起到保护作用;之后利用光刻手段对polyimide薄膜进行曝光、显影以及加热固化处理,最终在polyimide薄膜中所需要的部分形成沟槽,以露出基底中所需要与外界电连接的导电层部分;之后在沟槽中填充焊球以与外界进行电连接。在polyimide薄膜在加热固化处理后,其形貌会发生一些不希望发生的变化,因此现有的对polyimide薄膜的处理还有待改进之处。以下结合附图对该过程以及所出现的问题具体介绍如下。如图1所示,在包含有芯片的基底1表面涂覆一层polyimide薄膜2以对基底1起到保护作用。随后,如图2所示,利用光刻手段对polyimide薄膜2进行曝光处理。曝光时利用光罩(mask)3将所需要的图形复制到polyimide薄膜2上。作为光刻胶的一种,polyimide薄膜2为负胶,其特点是曝光时,被光照射之处显影后会保留于基底1表面,被光罩3遮挡而未被光照射之处在显影后会从基底1去除。因此,光罩2中的不透光部分需要与基底1表面需要与外界电连接的导电层部分相对应。随后,如图3所示,对polyimide薄膜2进行显影并加热固化处理。显影之后,polyimide薄膜2中形成了沟槽4,基底1中需要与外界进行电连接的部分暴露于沟槽4的底部。经过加热固化处理后,保留于 ...
【技术保护点】
一种光罩,包括形成光罩图案的透光部分和不透光部分,其特征在于:所述透光部分设有相邻于所述不透光部分边缘的衍射光栅结构区域,且所述衍射光栅结构区域的光栅条纹平行于与之相邻的不透光部分的边缘;其中,所述衍射光栅结构区域的光栅常数为:
【技术特征摘要】
1.一种光罩,包括形成光罩图案的透光部分和不透光部分,其特征在于:所述透光部分设有相邻于所述不透光部分边缘的衍射光栅结构区域,且所述衍射光栅结构区域的光栅条纹平行于与之相邻的不透光部分的边缘;其中,所述衍射光栅结构区域的光栅常数为:其中,X为所述衍射光栅结构区域中到所述不透光部分边缘的垂直距离,C为利用所述光罩曝光时与入射光波长相关的常数,d为光栅常数。2.根据权利要求1所述的光罩,其特征在于:所述衍射光栅结构区域中,远离所述不透光部分的光栅常数大于靠近所述不透光部分的光栅常数。3.根据权利要求1所述的光罩,其特征在于:所述衍射光栅结构区域的光栅常数d小于1um。4.根据权利要求1所述的光罩,其特征在于:所述衍射光栅结构区域的宽度小于60um。5.根据权利要求2所述的光罩,其特征在于:所述衍射光栅结构区域的光栅常数小于光刻手段对聚酰亚胺polyimide薄膜进行曝光的分辨率。6.一种光罩的设计方法,包括:设计所述光罩中透光部分和不透光部分的分布,以形成所述光罩的图案;利用所述光罩对基片表面涂覆的聚酰亚胺polyimide薄膜进行曝光、显影并加热固化处理;以x轴表示polyimide薄膜与所形成的沟槽边缘的距离值,以y轴表示polyimide薄膜的厚度,通过测量获取加热固化处理后的所述polyimide薄膜的厚度与所述距离值之间的第一函数关系的曲线;以所述polyimide薄膜中部的平坦区域所对应的第一函数关系的曲线中的平行于所述x轴的直线部分为轴线,对所述第一函数关系的曲线进...
【专利技术属性】
技术研发人员:曹存朋,朱晓峥,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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