用于三维存储器件双侧布线的阶梯结构制造技术

公开了用于三维(3D)存储器件双侧布线的阶梯结构的实施例。在示例中，3D存储器件包括衬底、设置在衬底之上并且包括交替堆叠的导体/电介质层对的存储堆叠层、以及存储器串的阵列，每个存储器串垂直延伸穿过存储堆叠层的内部区域。存储堆叠层的外部区域包括设置在衬底上的第一阶梯结构和设置在第一阶梯结构之上的第二阶梯结构。在第一阶梯结构中的沿着远离衬底的垂直方向的导体/电介质层对的第一边缘远离存储器串的阵列横向交错排列。第二阶梯结构中的沿着远离衬底的垂直方向的导体/电介质层对的第二边缘朝向存储器串的阵列横向交错排列。

Ladder structure for two-sided wiring of three-dimensional memory devices

An embodiment of a step structure for bilateral wiring of three-dimensional (3D) memory devices is disclosed. In the example, a 3D memory device includes a substrate, a storage stack layer arranged on the substrate and comprising alternately stacked conductor/dielectric layer pairs, and an array of memory strings, each of which extends vertically through the internal area of the storage stack layer. The external area of the storage stack layer includes a first step structure on the substrate and a second step structure on the first step structure. In the first step structure, arrays are staggered horizontally along the first edge of the conductor/dielectric layer pair in the vertical direction away from the substrate and away from the memory string. In the second step structure, the arrays are arranged horizontally along the second edge of the conductor/dielectric layer pair in the vertical direction away from the substrate towards the memory string.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于三维存储器件双侧布线的阶梯结构
技术介绍
本公开的实施例涉及三维(3D)存储器件及其制造方法。通过改进工艺技术、电路设计、编程算法和制造工艺，将平面存储单元缩放到更小的尺寸。然而，随着存储单元的特征尺寸接近下限，平面工艺和制造技术变得具有挑战性且成本高。结果，平面存储单元的存储密度接近上限。3D存储器架构可以解决平面存储单元中的密度限制。3D存储器架构包括存储阵列和用于控制进出存储阵列的信号的外围设备。
技术实现思路
本文公开了用于3D存储器件双侧布线的阶梯结构的实施例。在一个示例中，3D存储器件包括衬底、设置在衬底之上并且包括交替堆叠的多个导体/电介质层对的存储堆叠层、以及每个垂直延伸穿过存储堆叠层的内部区域的存储器串的阵列。存储堆叠层的外部区域包括设置在衬底上的第一阶梯结构和设置在第一阶梯结构之上的第二阶梯结构。第一阶梯结构中的沿着远离衬底的垂直方向的多个导体/电介质层对的第一边缘远离存储器串的阵列横向交错排列。第二阶梯结构中的沿着远离衬底的垂直方向的多个导体/电介质层对的第二边缘朝向存储器串的阵列横向交错排列。在另一个示例中，3D存储器件包括衬底、设置在衬底之上并且包括交替堆叠的多个本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三维(3D)存储器件，包括：衬底；存储堆叠层，其设置在所述衬底之上，并包括交替堆叠的多个导体/电介质层对；以及存储器串的阵列，每个存储器串垂直延伸穿过所述存储堆叠层的内部区域，其中，所述存储堆叠层的外部区域包括设置在所述衬底上的第一阶梯结构和设置在所述第一阶梯结构之上的第二阶梯结构；所述第一阶梯结构中的沿远离所述衬底的垂直方向的所述多个导体/电介质层对的第一边缘远离所述存储器串的阵列横向交错排列；并且所述第二阶梯结构中的沿远离所述衬底的垂直方向的所述多个导体/电介质层对的第二边缘朝向所述存储器串的阵列横向交错排列。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种三维(3D)存储器件，包括：衬底；存储堆叠层，其设置在所述衬底之上，并包括交替堆叠的多个导体/电介质层对；以及存储器串的阵列，每个存储器串垂直延伸穿过所述存储堆叠层的内部区域，其中，所述存储堆叠层的外部区域包括设置在所述衬底上的第一阶梯结构和设置在所述第一阶梯结构之上的第二阶梯结构；所述第一阶梯结构中的沿远离所述衬底的垂直方向的所述多个导体/电介质层对的第一边缘远离所述存储器串的阵列横向交错排列；并且所述第二阶梯结构中的沿远离所述衬底的垂直方向的所述多个导体/电介质层对的第二边缘朝向所述存储器串的阵列横向交错排列。2.如权利要求1所述的3D存储器件，其中：所述存储堆叠层的所述外部区域还包括设置在所述衬底上的第三阶梯结构和设置在所述第三阶梯结构之上的第四阶梯结构；所述第三阶梯结构中的沿远离所述衬底的垂直方向的所述多个导体/电介质层对的第三边缘远离所述存储器串的阵列横向交错排列；并且所述第四阶梯结构中的沿远离所述衬底的垂直方向的所述多个导体/电介质层对的第四边缘朝向所述存储器串的阵列横向交错排列。3.如权利要求1或2所述的3D存储器件，其中每个所述导体/电介质层对的长度分别从中间导体/电介质层对朝向顶部导体/电介质层对和底部导体/电介质层对减小。4.如权利要求2所述的3D存储器件，其中所述第一阶梯结构和所述第三阶梯结构中的每一个中的导体/电介质层对的第一数量是相同的，并且所述第二阶梯结构和所述第四阶梯结构中的每一个中的导体/电介质层对的第二数量是相同的。5.如权利要求4所述的3D存储器件，其中所述第一数量与所述第二数量相同。6.如权利要求1-5中的任一项所述的3D存储器件，还包括：第一互连层，其设置在所述存储堆叠层之下；以及多个第一通孔触点，每个第一通孔触点与所述第一阶梯结构中的一个导体/电介质层对中的导体层接触，其中每个所述第一通孔触点电连接到所述第一互连层。7.如权利要求6所述的3D存储器件，其中：所述第一互连层和所述存储堆叠层设置在所述衬底的相对侧；并且所述3D存储器件还包括多个第二通孔触点，每个第二通孔触点延伸穿过所述衬底并电连接到所述第一通孔触点之一和所述第一互连层。8.如权利要求1-7中的任一项所述的3D存储器件，还包括：设置在所述存储堆叠层之上的第二互连层；以及多个第三通孔触点，每个第三通孔触点与所述第二阶梯结构中的一个导体/电介质层对中的导体层接触，其中每个所述第三通孔触点电连接到所述第二互连层。9.如权利要求1-8中的任一项所述的3D存储器件，其中：所述第一阶梯结构中的每个相邻导体/电介质层对的所述第一边缘远离所述存储串的阵列横向交错排列，并且所述第二阶梯结构中的每个相邻导体/电介质层对的所述第二边缘朝向所述存储串的阵列横向交错排列。10.如权利要求9所述的3D存储器件，其中所述第一阶梯结构中的每个相邻导体/电介质层对的所述第一边缘的偏移与所述第二阶梯结构中的每个相邻导体/电介质层对的所述第二边缘的偏移相同。11.如权利要求1-10中的任一项所述的3D存储器件，其中，所述存储堆叠层在侧视图中具有大致六边形的形状。12.如权利要求1-11中的任一项所述的3D存储器件，其中，所述多个导体/电介质层对是垂直对称的。13.如权利要求1-12中的任一项所述的3D存储器件，其中，所述多个导体/电介质层对是横向对称的。14.一种三维(3D)存储器件，包括：衬底；存储堆叠层，其设置在所述衬底之上，并包括交替堆叠的多个导体/电介质层对；以及...

【专利技术属性】
技术研发人员：SF·S·鞠，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42