三维存储器件以及用于形成三维存储器件的方法技术

公开了三维(3D)存储器件和形成3D存储器件的方法的实施例。在示例中，3D存储器件包括衬底、设置于衬底上的外围器件、设置于外围器件上方的外围互连层、设置于外围互连层上方并电连接到外围互连层的第一源极板、设置于第一源极板上的第一存储器堆叠层、竖直延伸通过第一存储器堆叠层并与第一源极板接触的第一存储器串、以及设置于第一存储器串和外围器件上方并电连接到第一存储器串和外围器件的第一位线。

Three-dimensional memory devices and methods for forming three-dimensional memory devices

An embodiment of a three-dimensional (3D) memory device and a method of forming a three-dimensional memory device is disclosed. In an example, a 3D memory device includes a substrate, a peripheral device mounted on the substrate, a peripheral interconnection layer mounted above the peripheral device, a first source plate mounted above the peripheral interconnection layer and electrically connected to the peripheral interconnection layer, a first memory stacking layer mounted on the first source plate, and a first memory that vertically extends through the first memory stacking layer and contacts the first source plate. The memory string and the first bit line arranged above the first memory string and the peripheral device are electrically connected to the first memory string and the peripheral device.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】三维存储器件以及用于形成三维存储器件的方法
技术介绍
本公开的实施例涉及三维(3D)存储器件及其制造方法。通过改善工艺技术、电路设计、编程算法和制造工艺，平面存储单元被缩放到更小尺寸。然而，随着存储单元的特征尺寸接近下限，平面工艺和制造技术变得具有挑战性且成本高昂。结果，平面存储单元的存储密度接近上限。3D存储器架构能够解决平面存储单元中的密度限制。3D存储器架构包括存储器阵列和用于控制到和来自存储器阵列的信号的外围器件。
技术实现思路
本文公开了3D存储器件及其制造方法的实施例。在一个示例中，一种3D存储器件包括衬底、设置于衬底上的外围器件、设置于外围器件上方的外围互连层、设置于外围互连层上方并电连接到外围互连层的第一源极板、设置于第一源极板上的第一存储器堆叠层、竖直延伸通过第一存储器堆叠层并与第一源极板接触的第一存储器串、以及设置于第一存储器串和外围器件上方并电连接到第一存储器串和外围器件的第一位线。在另一个示例中，一种3D存储器件包括衬底、包括设置于衬底上的复用器的外围器件、设置于外围器件上方的第一存储器堆叠层、竖直延伸通过第一存储器堆叠层的第一存储器串、设置于第一存储器串和复用器上方并本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三维(3D)存储器件，包括：衬底；设置于所述衬底上的外围器件；设置于所述外围器件上方的外围互连层；设置于所述外围互连层上方并电连接到所述外围互连层的第一源极板；设置于所述第一源极板上的第一存储器堆叠层；竖直延伸通过所述第一存储器堆叠层并与所述第一源极板接触的第一存储器串；以及设置于所述第一存储器串和所述外围器件上方并电连接到所述第一存储器串和所述外围器件的第一位线。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种三维(3D)存储器件，包括：衬底；设置于所述衬底上的外围器件；设置于所述外围器件上方的外围互连层；设置于所述外围互连层上方并电连接到所述外围互连层的第一源极板；设置于所述第一源极板上的第一存储器堆叠层；竖直延伸通过所述第一存储器堆叠层并与所述第一源极板接触的第一存储器串；以及设置于所述第一存储器串和所述外围器件上方并电连接到所述第一存储器串和所述外围器件的第一位线。2.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，所述第一源极板包括：与所述外围互连层接触的导电板；以及设置于所述导电板上并与所述第一存储器串的下端接触的半导体板。3.根据权利要求2所述的3D存储器件，其中，所述导电板包括金属硅化物，并且所述半导体板包括多晶硅。4.根据权利要求1-3中的任一项所述的3D存储器件，还包括：设置于所述第一位线上方并电连接到所述外围互连层的第二源极板；设置于所述第二源极板上的第二存储器堆叠层；竖直延伸通过所述第二存储器堆叠层并与所述第二源极板接触的第二存储器串；以及设置于所述第二存储器串和所述外围器件上方并电连接到所述第二存储器串和所述外围器件的第二位线。5.根据权利要求4所述的3D存储器件，其中，所述外围器件包括被配置成选择所述第一存储器串和所述第二存储器串之一的复用器。6.根据权利要求5所述的3D存储器件，其中，所述外围器件还包括通过所述复用器由所述第一存储器串和所述第二存储器串共享的数据缓冲器和驱动器。7.根据权利要求1-6中的任一项所述的3D存储器件，其中，所述第一存储器堆叠层包括交错的多晶硅层和氧化硅层。8.根据权利要求1-7中的任一项所述的3D存储器件，其中，所述第一存储器串包括多个浮置栅。9.一种三维(3D)存储器件，包括：衬底；包括设置于所述衬底上的复用器的外围器件；设置于所述外围器件上方的第一存储器堆叠层；竖直延伸通过所述第一存储器堆叠层的第一存储器串；设置于所述第一存储器串和所述复用器上方并电连接到所述第一存储器串和所述复用器的第一位线；设置于所述第一位线上方的第二存储器堆叠层；竖直延伸通过所述第二存储器堆叠层的第二存储器串；以及设置于所述第二存储器串和所述复用器上方并电连接到所述第二存储器串和所述复用器的第二位线；其中，所述复用器被配置成选择所述第一存储器串和所述第二存储器串之一。10.根据权利要求9所述的3D存储器件，其中，所述外围器件还包括通过所述复用器由所述第一存储器串和所述第二存储器串共享的数据缓冲器和驱动器。11.根据权利要求9或10所述的3D存储器件，还包括：设置于所述外围器件上方的外围互连层；设置于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘峻，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42