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用于三维存储器件双侧布线的阶梯结构制造技术
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文档序号:20290627
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公开了用于三维(3D)存储器件双侧布线的阶梯结构的实施例。在示例中,3D存储器件包括衬底、设置在衬底之上并且包括交替堆叠的导体/电介质层对的存储堆叠层、以及存储器串的阵列,每个存储器串垂直延伸穿过存储堆叠层的内部区域。存储堆叠层的外部区域包...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。
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