【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于遮盖温度传感器的套管,具有这种套管的测温装置,将这种套管与测温装置连接在一起的方法以及合金的应用
本专利技术涉及的是一种用于遮盖传感器,特别是用于遮盖温度传感器的套管,特别是防护罩。本专利技术还涉及一种特别是应用于涡轮增压内燃机的测温装置,包括传感器,特别是温度传感器,尤其是铂传感器。此外,本专利技术还涉及一种将套管,特别是本专利技术的套管,与测温装置,特别是本专利技术的测温装置,连接在一起的方法。本专利技术还涉及合金在制造用于遮盖传感器的套管方面的应用。
技术介绍
众所周知,使用套管来遮盖温度感测器即温度传感器。目前的这类套管是由多个套管组装而成的,它们的形状互不相同且被焊接成单独一个套管。此外,现有技术所揭示的套管具有较低的耐热性,因为当前所知的可成型,特别是可深拉的套管材料仅能承受950℃的温度。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种改进型套管,其能承受超过950℃的温度。此外,本专利技术的套管的制造成本较低,易于制造,其中本专利技术的套管优选由单独一个构件构成。本专利技术的另一目的是提供一种改进型测温装置,其在耐热性方面同样有所改进。优选地,本专利技术 ...
【技术保护点】
1.一种用于遮盖传感器,特别是用于遮盖温度传感器(70)的套管(10),特别是防护罩,其特征在于,所述套管(10)由镍铬铝铁合金构成,其中所述合金具有10.0‑30.0wt%的铬(Cr),0.5‑5.0wt%的铝(Al),0.5‑15.0wt%的铁(Fe)和50.0‑89.0wt%的镍(Ni)。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.06.27 DE 102016111736.61.一种用于遮盖传感器,特别是用于遮盖温度传感器(70)的套管(10),特别是防护罩,其特征在于,所述套管(10)由镍铬铝铁合金构成,其中所述合金具有10.0-30.0wt%的铬(Cr),0.5-5.0wt%的铝(Al),0.5-15.0wt%的铁(Fe)和50.0-89.0wt%的镍(Ni)。2.根据权利要求1所述的套管(10),其特征在于,所述合金具有25.0-28.0wt%的铬(Cr),2.0-3.0wt%的铝(Al),1.0-11.0wt%的铁(Fe),0.01-0.2wt%的硅(Si),0.005-0.5wt%的锰(Mn),0.01-0.20wt%的钇(Y),0.02-0.60wt%的钛(Ti),0.01-0.2wt%的锆(Zr),0.0002-0.05wt%的镁(Mg),0.0001-0.05wt%的钙(Ca),0.03-0.11wt%的碳(C),0.003-0.05wt%的氮(N),0.0005-0.008wt%的硼(B),0.0001-0.010wt%的氧(O),0.001-0.030wt%的磷(P),最大0.010wt%的硫(S),最大0.5wt%的钼(Mo),最大0.5wt%的钨(W)和剩余的镍(Ni)。3.根据权利要求1或2所述的套管(10),其特征在于,所述合金具有杂质,特别是工艺相关杂质,其中特定而言,所述杂质的含量设定为最大0.5wt%的铜(Cu)、最大0.002wt%的铅(Pb)、最大0.002wt%的锌(Zn)、最大0.002wt%的锡(Sn)。4.根据权利要求2或3所述的套管(10),其特征在于,在钛(Ti)、锆(Zr)、氮(N)与碳(C)间满足以下交互作用:(1)0>7.7C-x·a<1.0(2)其中在PN>0时,a=PN(3)或者在PN≤0时,a=0(4)且x=(1.0Ti+1.06Zr)/(0.251Ti+0.132Zr)(5)其中PN=0.251Ti+0.132Zr-0.857N,其中Ti、Zr、N、C为相关元素的浓度(单位为wt%)。5.根据权利要求1至4中任一项所述的套管(10),其特征在于,所述合金具有24.3-26.3wt%的铬(Cr),特别是25.3wt%的铬(Cr),2.1-2.4wt%的铝(Al),特别是2.27wt%的铝(Al),9.0-10.5wt%的铁(Fe),特别是9.8wt%的铁(Fe),0.03-0.07wt%的硅(Si),特别是0.05wt%的硅(Si),0.01-0.03wt%的锰(Mn),特别是0.02wt%的锰(Mn),0.05-0.09wt%的钇(Y),特别是0.07wt%的钇(Y),0.15-0.20wt%的钛(Ti),特别是0.18wt%的钛(Ti),0.04-0.08wt%的锆(Zr),特别是0.06wt%的锆(Zr),0.01-0.015wt%的镁(Mg),特别是0.013wt%的镁(Mg),0.0015-0.0025wt%的钙(Ca),特别是0.002wt%的钙(Ca),0.05-0.09wt%的碳(C),特别是0.075wt%的碳(C),0.02-0.025wt%的氮(N),特别是0.023wt%的氮(N),0.0025-0.0035wt%的硼(B),特别是0.003wt%的硼(B),0.001-0.001...
【专利技术属性】
技术研发人员:M·穆齐奥尔,K·温兰德,M·巴赫曼,S·迭蒂曼,P·皮奇尤斯,
申请(专利权)人:贺利氏传感器科技有限公司,
类型:发明
国别省市:德国,DE
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