The invention relates to a temperature sensor includes a substrate (1); platinum resistance (2), arranged in the substrate (1); the protective layer (4), covering the platinum resistance (2); cover layer (5), covering the protective layer (4); the cover layer (5) containing Al2O3 and SiO2. According to the invention, the cover layer (5) also includes a Y2O3.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及温度传感器。
技术介绍
本专利技术的温度传感器在具有权利要求1的前序列出的特征的温度传感器的基础上作出。从US6,617,956B1和US7,233,226B2可以知道这样的温度传感器。US6,617,956B1和US7,233,226B2公开了包括铂电阻的温度传感器，其中铂电阻布置在衬底上并且由Al2O3的保护陶瓷层覆盖。薄保护层被Al2O3、MgO和SiO2的混合物的覆盖层覆盖。已知温度传感器仅能够在最高为1000℃温度下使用，并且在如此高温下的扩展使用后显示出了明显的电阻漂移。
技术实现思路
本专利技术的一个目的是提高温度传感器的耐温性和降低电阻漂移。根据权利要求1的温度传感器解决了该问题。本专利技术的进一步的有益效果来自于从属权利要求。耐温性的提高通过以下温度传感器来实现，该温度传感器包括：衬底、布置在衬底上的铂电阻、覆盖铂电阻的保护层，以及覆盖保护层的覆盖层，其中覆盖层包含Al2O3、SiO2,和Y2O3。通过加入Y2O3到Al2O3和SiO2，可提供使得层扩散明显减少的覆盖层。因此，覆盖层较少地倾向于形成气孔并且能够提供承受较高的温度的可靠密封。而且，层扩散减少意味着可在更高的温度下阻止覆盖层和铂电阻的材料之间的接触并因此减少电阻漂移。较少量的Y2O3足以提高主要包含Al2O3和SiO2的层的耐热性。例如，覆盖层可包含5％或更多重量的Y2O3。在本专利技术的改...
【技术保护点】
一种温度传感器，包括：衬底(1)；铂电阻(2)，布置在所述衬底(1)上；保护层(4)，覆盖所述铂电阻(2)；覆盖层(5)，覆盖所述保护层(4)；所述覆盖层(5)包含Al2O3和SiO2；其特征在于，所述覆盖层(5)还包含Y2O3。
【技术特征摘要】
1.一种温度传感器，包括：
衬底(1)；
铂电阻(2)，布置在所述衬底(1)上；
保护层(4)，覆盖所述铂电阻(2)；
覆盖层(5)，覆盖所述保护层(4)；
所述覆盖层(5)包含Al2O3和SiO2；
其特征在于，所述覆盖层(5)还包含Y2O3。
2.根据权利要求1所述的温度传感器，其特征在于，所述覆盖层(5)
包含至少5％重量的Y2O3，优选至少10％重量的Y2O3。
3.根据前述权利要求任一项所述的温度传感器，其特征在于，所述覆
盖层(5)包含的SiO2的重量大于Al2O3的重量。
4.根据前述权利要求任一项所述的温度传感器，其特征在于，所述覆盖
层(5)包含的Al2O3的重量大于Y2O3的重量。
5.根据前述权利要求任一项所述的温度传感器，其特征在于，所述覆盖
层(5)包含小于30％重量的Y2O3，优选为...
【专利技术属性】
技术研发人员：凯瑟琳·欧苏利文，安东尼·赫利希，安东尼·马赫，巴拉苏博拉马尼姆·维德海纳森，陈阳，
申请(专利权)人：森萨塔科技百慕大有限公司，
类型：发明
国别省市：百慕大群岛;BM
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