The present invention relates to a method for manufacturing sensors, in particular temperature sensors, comprising at least one conductive layer and at least one additional layer, in particular a passivation layer and/or an insulating layer. According to the invention, the conductive layer and/or the additional layer, in particular the passivation layer and/or the insulation layer, are manufactured by aerosol deposition (aerosol deposition method, ADM).
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】制造传感器的方法、传感器及传感器的用途本专利技术涉及一种用于制造传感器，尤其是温度传感器的方法，所述传感器包含至少一个导电层和至少一个额外层，尤其是钝化层和/或绝缘层。本专利技术还涉及一种传感器，尤其是温度传感器，其包含至少一个导电层和至少一个额外层，尤其是钝化层和/或绝缘层，其中所述传感器优选地是通过根据本专利技术的方法而制造。此外，本专利技术涉及一种根据本专利技术的传感器在车辆中的用途。在温度传感器中提供钝化层以防止毒性污染是为人所知。举例来说，在热敏电阻器的铂结构上涂覆钝化涂层。举例来说，使用PVD或厚膜方法来涂覆钝化层。然而，以此方式而涂覆的钝化层并不完全地防漏。在PVD方法中，将钝化材料，尤其是氧化铝材料(Al2O3)转化成气相且在传感器的表面上冷凝为膜。除了此方法中发生的茎生长(stemgrowth)以外，通过蒸发而沉积的材料的相状态也是劣势。举例来说，所使用的氧化铝是以γ相存在，γ相在温度曝露下转化成稳定的α相。此类相变换可与高达约8％的体积收缩相关联。此类体积收缩会在所涂覆的钝化层中导致裂痕。通过溅镀方法的涂覆也展示所描述的劣势，在溅镀方法中，使用标...
【技术保护点】
1.一种用于制造传感器，尤其是温度传感器的方法，所述传感器包含至少一个导电层和至少一个额外层，尤其是钝化层和/或绝缘层，其特征在于所述导电层和/或所述额外层，尤其是所述钝化层和/或所述绝缘层是通过气溶胶沉积(气溶胶沉积方法，ADM)制造。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.10.11 DE 102016119340.21.一种用于制造传感器，尤其是温度传感器的方法，所述传感器包含至少一个导电层和至少一个额外层，尤其是钝化层和/或绝缘层，其特征在于所述导电层和/或所述额外层，尤其是所述钝化层和/或所述绝缘层是通过气溶胶沉积(气溶胶沉积方法，ADM)制造。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于以下步骤：a)提供传感器载体；b)将所述至少一个导电层直接或间接涂覆于所述传感器载体上；c)通过气溶胶沉积(ADM)来涂覆所述至少一个额外层，尤其是所述钝化层和/或所述绝缘层。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于在所述气溶胶沉积中，尤其是在步骤(c)中，使用以下粉末：a)基底材料的纯度为至少94wt.％的氧化铝(Al2O3)；和/或b)基底材料的纯度为至少94wt.％的氧化镁(MgO)；和/或c)组成为Mg2TiO5、MgTiO3或MgTi2O5，基底材料的总纯度为至少98wt.％的钛酸镁；和/或d)二元氧化锆合金(ZrO2)，其具有稳定剂氧化钇，尤其是0wt.％至20wt.％的氧化钇，和/或CaO，且尤其是0wt.％至15wt.％的CaO，和/或MgO，尤其是0wt.％至15wt.％的MgO，所述二元氧化锆合金(ZrO2)的基底材料的总纯度为至少98wt.％；e)如d)中所规定的三元合金(氧化锆ZrO2)，其具有由以下成分形成的其它添加剂：Nb2O5，尤其是0wt.％至30wt.％的Nb2O5，和/或Ta2O5，尤其是0wt.-％至30wt.％的Ta2O5，所述三元合金(氧化锆ZrO2)的基底材料的总纯度为至少98wt.％。4.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的方法，尤其根据权利要求3所述的方法，其特征在于在所述气溶胶沉积中，尤其是在步骤(c)中，使用基底材料的纯度为至少95％的粉末，其中尤其使用基底材料的纯度为至少95％的氧化铝(Al2O3)和/或氧化镁(MgO)和/或氧化锆(氧化锆(ZrO2))，尤其经稳定的氧化锆(氧化锆(ZrO2))，的所述粉末或其任何混合物。5.根据权利要求1至4中任一权利要求所述的方法，其特征在于在所述气溶胶沉积中，尤其是在步骤(c)中，将惰性气体，尤其是氦气(He)和/或氩气(Ar)和/或氮气(N2)和/或氧气(O2)用作运载气体，和/或使用不超过150℃的温度处理。6.根据权利要求2至5中任一权利要求所述的方法，其特征在于结构化所述至少一个导电涂层，和/或以经结构化形式将所述至少一个导电涂层间接或直接涂覆于所述传感器载体上。7.一种传感器，尤其是温度传感器，其包含至少一个导电层和至少一个额外层，尤其是钝化层和/或绝缘层，其中所述传感器优选地是通过根据权利要求1至6中任一权利要求所述的方法制造，其特征在于至少一个层，尤其是所述钝化层和/或所述绝缘层是通过气溶胶沉积(气溶胶沉积方法，ADM)制造。8.根据权利要求7所述的传感器，其特征在于使用气溶胶沉积制造的至少一个层包含a)基底材料的纯度为至少94wt.％的氧化铝(Al2O3)；和/或b)基底材料的纯度为至少94wt.％的氧化镁(MgO)；和/或c)组成为Mg2TiO5、MgTiO3或MgTi2O5，基底材料的总纯度为至少98wt.％的钛酸镁...
【专利技术属性】
技术研发人员：K·温兰德，S·迭蒂曼，M·津凯维奇，R·莫斯，M·舒伯特，M·图尔维特，
申请(专利权)人：贺利氏传感器科技有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE
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