LTHC在形成封装件中作为电荷阻挡层、封装件及其形成方法技术

一种方法包括在载体上方形成释放膜，在释放膜上方形成聚合物缓冲层，在聚合物缓冲层上形成金属柱，将金属柱密封在密封材料中，对密封材料实施平坦化以暴露金属柱，在密封材料和金属柱上方形成再分布结构，以及分解释放膜的第一部分。分解后留下释放膜的第二部分。在聚合物缓冲层中形成开口以暴露金属柱。本发明专利技术的实施例还提供了LTHC在形成封装件中作为电荷阻挡层、封装件及其形成方法。

LTHC as a charge barrier layer, package and its forming method in forming package

One method includes forming a release film above the carrier, forming a polymer buffer layer over the release film, forming a metal column on the polymer buffer layer, sealing the metal column in the sealing material, flattening the sealing material to expose the metal column, forming a redistribution structure over the sealing material and the metal column, and decomposing the first part of the release film. The second part of the release film is left after decomposition. An opening is formed in the polymer buffer layer to expose the metal column. The embodiments of the present invention also provide LTHC as a charge barrier layer, a package and a forming method thereof in a forming package.

【技术实现步骤摘要】
LTHC在形成封装件中作为电荷阻挡层、封装件及其形成方法
本专利技术的实施例一般地涉及半导体
，更具体地，涉及LTHC在形成封装件中作为电荷阻挡层、封装件及其形成方法。
技术介绍
随着半导体技术的发展，半导体芯片/管芯变得越来越小。同时，需要将更多功能集成到半导体管芯中。因此，半导体管芯需要具有封装到更小的面积中的越来越多数量的I/O焊盘，并且I/O焊盘的密度随着时间快速增加。结果，封装半导体管芯变得更加困难，这对封装件的产量有不利影响。传统的封装技术可以分成两类。在第一类中，晶圆上的管芯被切割之前，对其进行封装。这种封装技术具有一些有利的特征，例如更大的产量和更低的成本。此外，需要较少的底部填充物或模塑料。但是，这种封装技术也存在缺点。由于管芯的尺寸变得越来越小，并且相应的封装件只能是扇入型封装件，其中，每个管芯的I/O焊盘受限于直接位于相应管芯的表面上方的区域。通过有限的管芯面积中，I/O焊盘的数量由于I/O焊盘的间距的限制而受到限制。如果要减小焊盘的间距，则可能出现焊桥。此外，在固定焊球尺寸的要求下，焊球必须具有一定的尺寸，这转而限制了可以封装在管芯表面上的焊球的数量。在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于形成封装件的方法，包括：在载体上方形成释放膜；在所述释放膜上方形成聚合物缓冲层；在所述聚合物缓冲层上形成金属柱；将所述金属柱密封在密封材料中；对所述密封材料实施平坦化以暴露所述金属柱；在所述密封材料和所述金属柱上方形成再分布结构；分解所述释放膜的第一部分，其中，在所述分解之后留下所述释放膜的第二部分；以及在所述聚合物缓冲层中形成开口以暴露所述金属柱。

【技术特征摘要】
2017.07.28 US 62/538,192;2018.02.28 US 15/907,4091.一种用于形成封装件的方法，包括：在载体上方形成释放膜；在所述释放膜上方形成聚合物缓冲层；在所述聚合物缓冲层上形成金属柱；将所述金属柱密封在密封材料中；对所述密封材料实施平坦化以暴露所述金属柱；在所述密封材料和所述金属柱上方形成再分布结构；分解所述释放膜的第一部分，其中，在所述分解之后留下所述释放膜的第二部分；以及在所述聚合物缓冲层中形成开口以暴露所述金属柱。2.根据权利要求1所述的用于形成封装件的方法，还包括：将封装组件接合到所述金属柱；以及在所述封装组件与所述释放膜的第二部分之间分配底部填充物。3.根据权利要求1所述的用于形成封装件的方法，其中，通过将激光束投射在所述释放膜上来实施分解所述释放膜的第一部分。4.根据权利要求1所述的用于形成封装件的方法，其中，所述释放膜包括聚合物基材和炭黑颗粒。5.根据权利要求1所述的用于形成封装件的方法，还包括在所述聚合物缓冲层中形成开口之前去除所述释放膜的第二部分。6.根据权利要求1所述的用于形成封装件的方法，其中，所述开口延伸到所述聚合物缓冲层和所述释放膜的第二部分这两者中。7.根据权利要求1所述的用于形成封装件的方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖怡仁，林忠仪，郑锡圭，陈承先，刘国洲，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71