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一种方法包括在载体上方形成释放膜，在释放膜上方形成聚合物缓冲层，在聚合物缓冲层上形成金属柱，将金属柱密封在密封材料中，对密封材料实施平坦化以暴露金属柱，在密封材料和金属柱上方形成再分布结构，以及分解释放膜的第一部分。分解后留下释放膜的第二部...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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