A photolithography process for GPP production includes: S1, photolithography of silicon wafers; S2, groove etching of silicon wafers after photolithography; S3, electrophoresis of silicon wafers after groove etching to generate passivation layer; S4, removal of oxide layer; S5, gold plating of silicon wafers; S6, scribing; P and N alignment marks of silicon wafers during photolithography of S1; White square dotted lines are used; the S4 is wet etched to remove the oxide layer. Compared with the original process, the invention has the advantages of adopting \Hui\ typesetting mark and white square dotted datum line, retaining clear datum line on the surface of silicon wafer after removing the oxide layer by wet method, and facilitating the P and N face plate of silicon wafer and the following cutting track to follow.
【技术实现步骤摘要】
一种GPP生产的光刻版工艺
本申请属于GPP生产
，具体地说，涉及一种GPP生产的光刻版工艺。
技术介绍
GPP是Glassivationpassivationparts的缩写，是玻璃钝化类器件的统称。该产品就是在现有产品普通硅整流扩散片的基础上对拟分割的管芯P/N结面四周烧制一层玻璃，玻璃与单晶硅有很好的结合特性，使P/N结获得最佳的保护，免受外界环境的侵扰，提高器件的稳定性，信赖性极佳。也因此GPP在电子领域的应用越来越广泛。相应的GPP生产工艺，越来越受到行业内的关注，如何更有效、更快速、更高品质的生产GPP成为一个课题。光刻版工艺目的是在硅片上光刻出相应的图形，便于后续按此图形进行沟槽腐蚀。光刻工艺后续需要采用打砂工艺进行氧化层的去除。目前常用的光刻版工艺P、N两面对版标记是“十”字，N面的图形是黑方块白线条。P、N两面重叠的“十”字对版标记在进行沟槽腐蚀时会因为硅片P、N两面均存在横向和纵向的多重腐蚀，而造成硅片的腐蚀击穿或过薄。
技术实现思路
有鉴于此，本申请所要解决的技术问题是提供了一种GPP生产的光刻版工艺来实现玻璃钝化，方便硅片P、N面对版的同...
【技术保护点】
1.一种GPP生产的光刻版工艺，步骤包括：S1、对硅片进行光刻；S2、对光刻后的硅片进行沟槽腐蚀；S3、对沟槽腐蚀后的硅片进行电泳，生成钝化层；S4、去除氧化层；S5、对硅片表面镀金；S6、划片，其特征在于：所述S1光刻时硅片的P、N面对版标记采用“回”字对版标记。
【技术特征摘要】
1.一种GPP生产的光刻版工艺，步骤包括：S1、对硅片进行光刻；S2、对光刻后的硅片进行沟槽腐蚀；S3、对沟槽腐蚀后的硅片进行电泳，生成钝化层；S4、去除氧化层；S5、对硅片表面镀金；S6、划片，其特征在于：所述S1光刻时硅片的P、N面对版标记采用“回”字对版标记。2.根据权利要求1所述GPP生产的光刻版工艺，其特征在于：所述S4采用湿法刻蚀去除氧化层。3.根据权利要求2所述GPP生产的光刻版工艺，其特征在于：所述湿法刻蚀去除氧化层具体为湿法BOE去除氧化层。4.根据权利要求1-3任一所述GPP生产的光刻版工艺，其特征在于：所述S1光刻时硅片采用白方块点划线式基准...
【专利技术属性】
技术研发人员：梁效峰，王彦君，孙晨光，徐长坡，陈澄，武卫，王晓捧，史丽萍，杨玉聪，牛慧锋，
申请(专利权)人：天津环鑫科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：天津,12
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