光掩模坯料、光掩模坯料制造方法和光掩模制造方法技术

本发明专利技术涉及一种光掩模坯料、光掩模坯料制造方法和光掩模制造方法。提供光掩模坯料，其包括透明衬底、在该衬底上的含铬材料的第一膜和与该第一膜邻接设置的含有硅/氧的材料的第二膜。该第二膜包括与该第一膜邻接的第一层和在膜厚方向上与该第一层间隔的第二层。该第一层的氧含量低于该第二层的氧含量。在该第一膜的蚀刻过程中，该设置防止蚀刻速率在该第一膜与该第二膜之间的界面处加速。

Manufacturing methods of photomask blank, photomask blank and photomask blank

The invention relates to a photomask blank, a photomask blank manufacturing method and a photomask manufacturing method. A photomask blank is provided, comprising a transparent substrate, a first film of a chromium-containing material on the substrate and a second film of a material containing silicon/oxygen adjacent to the first film. The second film includes a first layer adjacent to the first film and a second layer spaced from the first layer in the direction of film thickness. The oxygen content in the first layer is lower than that in the second layer. During the etching process of the first film, the setting prevents the etching rate from accelerating at the interface between the first film and the second film.

【技术实现步骤摘要】
光掩模坯料、光掩模坯料制造方法和光掩模制造方法相关申请的交叉引用本非临时申请在35U.S.C.§119(a)下要求2017年7月28日在日本提交的专利申请No.2017-146718的优先权，由此通过引用将其全部内容并入本文。
本专利技术涉及光掩模坯料、该光掩模坯料的制备方法以及由该光掩模坯料生产光掩模的方法，由该光掩模坯料生产在半导体集成电路等的微细加工中使用的光掩模。
技术介绍
在半导体
中，为了电路图案的进一步小型化而继续努力研究和开发。近来，向更高集成度的大规模集成电路的挑战使得对电路图案的进一步小型化、写入图案的尺寸减小和用于单元构成层间连接的接触孔图案的小型化的需求不断增加。因此，在形成这样的精细图案的光刻中使用的光掩模的制造中，需要能够精确地写入更精细的电路图案或掩模图案的技术以满足小型化的需求。通常，在半导体衬底上形成图案中光刻采用缩小投影。因此，光掩模图案通常具有将在半导体衬底上形成的图案尺寸的约4倍的尺寸。在目前普遍使用的光刻中，待写入的电路图案具有远小于用于曝光的光的波长的尺寸。如果使用只是电路特征尺寸的4倍放大率的光掩模图案，由于曝光过程中产生的影响例如本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.光掩模坯料，其被加工为透射光掩模，该透射光掩模用于使用波长至多250nm的曝光光形成图案的光刻,该光掩模坯料包括：透明衬底，第一膜，其设置在该衬底上并且由含铬材料形成，该含铬材料可通过使用氯气和氧气的气体混合物的氯/氧系干蚀刻来蚀刻并且耐受使用含氟气体的氟系干蚀刻，和第二膜，其与该第一膜邻接地设置并且由含有硅/氧的材料形成，该含有硅/氧的材料在该第一膜的氯/氧系干蚀刻过程中基本上未被蚀刻，在将该第一膜图案化时该第二膜用作蚀刻掩模，该第二膜包括与该第一膜邻接的区域和在膜厚方向上与该邻接的区域间隔的一侧，该邻接的区域的氧含量低于该间隔的一侧的氧含量。

【技术特征摘要】
2017.07.28 JP 2017-1467181.光掩模坯料，其被加工为透射光掩模，该透射光掩模用于使用波长至多250nm的曝光光形成图案的光刻,该光掩模坯料包括：透明衬底，第一膜，其设置在该衬底上并且由含铬材料形成，该含铬材料可通过使用氯气和氧气的气体混合物的氯/氧系干蚀刻来蚀刻并且耐受使用含氟气体的氟系干蚀刻，和第二膜，其与该第一膜邻接地设置并且由含有硅/氧的材料形成，该含有硅/氧的材料在该第一膜的氯/氧系干蚀刻过程中基本上未被蚀刻，在将该第一膜图案化时该第二膜用作蚀刻掩模，该第二膜包括与该第一膜邻接的区域和在膜厚方向上与该邻接的区域间隔的一侧，该邻接的区域的氧含量低于该间隔的一侧的氧含量。2.根据权利要求1所述的光掩模坯料，其中形成该第二膜的含有硅/氧的材料含有氮和碳中的一者或两者。3.根据权利要求1所述的光掩模坯料，其中该第二膜的与该第一膜邻接的区域不含氧。4.根据权利要求1所述的光掩模坯料，其中该第二膜由多层组成，该多层包括与该第一膜邻接的第一层和与该第一层邻接的第二层，该第一层的氧含量低于该第二层的氧含量。5.根据权利要求4所述的光掩模坯料，其中形成该第二膜的含有硅/氧的材料含有氮和碳中的一者或两者。6.根据权利要求4所述的光掩模坯料，其中该第一层不含氧。7.根据权利要求6所述的光掩模坯料，其中该第一层为Si或SiN层，并且该第二层为S...

【专利技术属性】
技术研发人员：高坂卓郎，金子英雄，入江重夫，川浦直树，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP