一种复合磁场传感器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种复合磁场传感器，所述复合磁场传感器包括作为衬底的硅片(1)，在所述硅片(1)的上表面制作有两个N沟道场效应晶体管，分别为第一场效应晶体管(MOSFET1)和第二场效应晶体管(MOSFET2)，在所述(MOSFET1)和(MOSFET2)上分别集成有第一巨磁电阻(GMR1)和第二巨磁电阻(GMR2)，以实现对外加磁场的测量。本实用新型专利技术所述的复合磁场传感器，结构简单，体积小，集成化程度高，其制作工艺操作方便，易于实现，适合大规模工业应用。

【技术实现步骤摘要】
一种复合磁场传感器
本技术涉及磁场传感器
，具体涉及一种复合磁场传感器。
技术介绍
随着科学技术的迅速发展，传感器技术倍受重视，尤其是广泛应用于现代工业和电子产品的磁场传感器。目前，在磁场传感器中应用的磁敏元件，包括霍尔元件、磁阻元件、磁敏二极管、磁敏晶体管等，这些元件在磁场测量范围内都会存在一定的温度漂移问题，导致其难以实现具有低温漂特性的弱磁场测量。因此，为了达到具有低温漂特性的弱磁场测量，亟需提供一种具有温度补偿结构的复合磁场传感器。
技术实现思路
为了克服上述问题，本专利技术人进行了锐意研究，结果发现:在单晶硅片上并联设置两个N沟道场效应晶体管，并连接有漏端负载电阻，构成差分电路结构，然后在栅极上各集成一个巨磁电阻，所述巨磁电阻通过感应外加磁场产生阻值变化，进而引起场效应晶体管栅极电压改变，导致沟道漏源电流的变化，从而引起输出电压改变，实现对外加弱磁场的测量，且温度漂移小，从而完成了本技术。具体来说，本技术的目的在于提供以下方面：本技术提供了一种复合磁场传感器，其中，所述复合磁场传感器包括作为衬底的硅片1，在所述硅片1的上表面制作有两个N沟道场效应晶体管，分别为第一场效应晶体管本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种复合磁场传感器，其特征在于，所述复合磁场传感器包括作为衬底的硅片(1)，在所述硅片(1)的上表面制作有两个N沟道场效应晶体管，分别为第一场效应晶体管MOSFET1和第二场效应晶体管MOSFET2，在所述MOSFET1和MOSFET2上分别集成有第一巨磁电阻(GMR1)和第二巨磁电阻(GMR2)，以实现对外加磁场的测量。

【技术特征摘要】
1.一种复合磁场传感器，其特征在于，所述复合磁场传感器包括作为衬底的硅片(1)，在所述硅片(1)的上表面制作有两个N沟道场效应晶体管，分别为第一场效应晶体管MOSFET1和第二场效应晶体管MOSFET2，在所述MOSFET1和MOSFET2上分别集成有第一巨磁电阻(GMR1)和第二巨磁电阻(GMR2)，以实现对外加磁场的测量。2.根据权利要求1所述的复合磁场传感器，其特征在于，在所述硅片(1)的上表面设置有二氧化硅层。3.根据权利要求1所述的复合磁场传感器，其特征在于，在所述硅片(1)的上表面制作有N沟道场效应晶体管的源区和漏区，所述源区和漏区均为n+型掺杂，在所述源区和漏区的表面蒸镀金属铝层，分别形成第一场效应晶体管(MOSFET1)的第一源极(S1)和第一漏极(D1)、第二场效应晶体管(MOSFET2)的第二源极(S2)和第二漏极(D2)。4.根据权利要求3所述的复合磁场传感器，其特征在于，在所述源区和漏区之间制作有栅极，包括第一场效应晶体管(MOSFET1)的第一栅极(G1)和第二场效应晶体管(MOSFET2)的第二栅极(G2)。5.根据权利要求4所述的复合磁场传感器，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵晓锋，郝建东，李易，王璐，温殿忠，
申请(专利权)人：黑龙江大学，
类型：新型
国别省市：黑龙江,23