一种功率器件保护芯片及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种功率器件保护芯片及其制作方法，包括：在第一导电类型的衬底上表面生长第一导电类型的外延层；在所述外延层内形成自上而下呈宽度递减的第一阶梯沟槽和第二阶梯沟槽；形成贯穿所述外延层并延伸至所述衬底的隔离沟槽；在所述第一阶梯沟槽、所述第二阶梯沟槽以及所述隔离沟槽的侧壁形成第一介质层；在所述隔离沟槽内形成第二介质层；在所述第一阶梯沟槽和所述第二阶梯沟槽内的每一级阶梯分别形成金属层；在所述外延层上表面形成第三介质层和正面电极；所述正面电极还贯穿所述第三介质层与所述第一阶梯沟槽和所述第二阶梯沟槽内的金属层连接，节省了芯片面积，并且获得了更高的抗浪涌能力。

【技术实现步骤摘要】
一种功率器件保护芯片及其制作方法
本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种功率器件保护芯片及其制作方法。
技术介绍
浪涌保护芯片是一种用来保护敏感半导体器件，使其免遭瞬态电压浪涌破坏而特别设计的固态半导体器件，它具有箝位系数小、体积小、响应快、漏电流小和可靠性高等优点，因而在电压瞬变和浪涌防护上得到了广泛的应用。低电容浪涌保护芯片适用于高频电路的保护器件，因为它可以减少寄生电容对电路的干扰，降低高频电路信号的衰减。静电放电(ESD)以及其他一些电压浪涌形式随机出现的瞬态电压，通常存在于各种电子器件中。随着半导体器件日益趋向小型化、高密度和多功能，电子器件越来越容易受到电压浪涌的影响，甚至导致致命的伤害。从静电放电到闪电等各种电压浪涌都能诱导瞬态电流尖峰，浪涌保护芯片通常用来保护敏感电路不受到浪涌的冲击。基于不同的应用，浪涌保护芯片可以通过改变浪涌放电通路和自身的箝位电压来起到电路保护作用。目前的功率器件保护芯片为了获得更高的抗浪涌能力，需要的芯片面积越来越大，不能满足现有对芯片面积的需求。
技术实现思路
本专利技术正是基于上述问题，提出了一种功率器件保护芯片及其制作方法，能够节省芯片面本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率器件保护芯片，其特征在于，包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的外延层，生长于所述衬底上表面，所述外延层分别形成有自上而下呈宽度递减的第一阶梯沟槽和第二阶梯沟槽；隔离沟槽，贯穿所述外延层并延伸至所述衬底，所述隔离沟槽位于所述第一阶梯沟槽和所述第二阶梯沟槽之间；第一介质层，形成于所述第一阶梯沟槽、所述第二阶梯沟槽以及所述隔离沟槽的侧壁；第二介质层，形成于所述隔离沟槽内；金属层，分别形成于所述第一阶梯沟槽和所述第二阶梯沟槽内的每一级阶梯；第三介质层，形成于所述外延层上表面；第一正面电极，形成于所述第三介质层的上表面并贯穿所述第三介质层与所述第一阶梯沟槽中的金属层连接；第二正面电极，形...

【技术特征摘要】
1.一种功率器件保护芯片，其特征在于，包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的外延层，生长于所述衬底上表面，所述外延层分别形成有自上而下呈宽度递减的第一阶梯沟槽和第二阶梯沟槽；隔离沟槽，贯穿所述外延层并延伸至所述衬底，所述隔离沟槽位于所述第一阶梯沟槽和所述第二阶梯沟槽之间；第一介质层，形成于所述第一阶梯沟槽、所述第二阶梯沟槽以及所述隔离沟槽的侧壁；第二介质层，形成于所述隔离沟槽内；金属层，分别形成于所述第一阶梯沟槽和所述第二阶梯沟槽内的每一级阶梯；第三介质层，形成于所述外延层上表面；第一正面电极，形成于所述第三介质层的上表面并贯穿所述第三介质层与所述第一阶梯沟槽中的金属层连接；第二正面电极，形成于所述第三介质层的上表面并贯穿所述第三介质层与所述第二阶梯沟槽中的金属层连接。2.根据权利要求1所述的功率器件保护芯片，其特征在于，所述第一阶梯沟槽和所述第二阶梯沟槽的每一级阶梯的高度大致相等。3.根据权利要求1所述的功率器件保护芯片，其特征在于，所述隔离沟槽的宽度大于所述第一阶梯沟槽中宽度最小的阶梯的宽度的50％，所述隔离沟槽的宽度大于所述第二阶梯沟槽中宽度最小的阶梯的宽度的50％。4.根据权利要求1所述的功率器件保护芯片，其特征在于，所述第一阶梯沟槽和所述第二阶梯沟槽的每一级阶梯内填充的金属为不同的金属。5.根据权利要求1所述的功率器件保护芯片，其特征在于，所述第一阶梯沟槽和所述第二阶梯沟槽均为三级阶梯沟槽。6.一种功率器件保护芯片的制作方法，其包...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：深圳市心版图科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44