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本发明提供一种功率器件保护芯片及其制作方法，包括：在第一导电类型的衬底上表面生长第一导电类型的外延层；在所述外延层内形成自上而下呈宽度递减的第一阶梯沟槽和第二阶梯沟槽；形成贯穿所述外延层并延伸至所述衬底的隔离沟槽；在所述第一阶梯沟槽、所述第...
该专利属于深圳市心版图科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市心版图科技有限公司授权不得商用。

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