电子元件用图案制造方法及包含该图案的纤维型电子元件技术

本发明专利技术提供一种纤维型电子元件，其包括层叠在纤维丝基板上的电子元件用图案。应用该电子元件用图案时，能够直接在纤维丝基板上制造电子元件，因此能够广泛应用于可穿戴设备等。该电子元件用图案通过包括利用无掩模曝光装置的曝光工序的电子元件用图案形成方法来制造，因此能够通过连续工艺在纤维丝基板上制造电子元件用图案，因此能够提升工艺的效率。

【技术实现步骤摘要】
电子元件用图案制造方法及包含该图案的纤维型电子元件
本专利技术涉及一种电子元件用图案的制造方法以及包含电子元件用图案的纤维型电子元件，涉及一种有助于电子元件的小型化(scalingdown)以及集成化(integration)的同时有助于确保高性能(highperformance)、高柔软性(highflexibility)以及高可靠性(highreliability)的电子元件用图案的制造方法以及包含电子元件用图案的纤维型电子元件。
技术介绍
近来，随着对于可穿戴计算系统(wearablecomputingsystem)的关注度在提高，大量研发以纤维产品的形式进行利用的功能性纤维。例如，不仅研发了发热纤维、显示(display)纤维、触摸(touch)纤维等执行特定功能的纤维，还研发了集成有晶体管(transistor)、电阻等元件的纤维。但是，必然需要用于将纤维束制成织物的织造方法，在这种情况下，不易在保持柔软性等的同时实现对电子纤维的通电以及电子纤维与其它装置之间的连接。以往，如图1所示，在基板上制作电子元件之后，将电子元件转印至纤维上，从而制造纤维型电子元件，或者如图1b所示本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种纤维型电子元件，其特征在于，包括：纤维丝基板；以及电子元件用图案，形成在所述纤维丝基板上。

【技术特征摘要】
2017.07.18 KR 10-2017-0090902;2018.06.25 KR 10-2011.一种纤维型电子元件，其特征在于，包括：纤维丝基板；以及电子元件用图案，形成在所述纤维丝基板上。2.根据权利要求1所述的纤维型电子元件，其特征在于，所述纤维丝基板具有低于50nm的均方根(RMS)表面粗糙度。3.根据权利要求1所述的纤维型电子元件，其特征在于，所述纤维丝基板包含选自透明玻璃纤维、不透明玻璃纤维、金属纤维、透明绝缘性高分子纤维、透明导电性高分子纤维、不透明导电性高分子纤维、无机物半导体纤维、有机物半导体纤维以及氧化物半导体纤维中的一种以上。4.根据权利要求1所述的纤维型电子元件，其特征在于，所述纤维丝基板的纵横比是100以上。5.根据权利要求1所述的纤维型电子元件，其特征在于，所述电子元件用图案为，包括形成在纤维丝基板上的多个电子元件用图案的电子元件用图案阵列，形成有多个所述电子元件用图案阵列，各个电子元件用图案阵列的电子元件用图案具有彼此不同的面积。6.根据权利要求1所述的纤维型电子元件，其特征在于，所述电子元件用图案为包括多个电子元件用图案的电子元件用图案阵列，形成有多个所述电子元件用图案阵列，各个电子元件用图案阵列的电子元件用图案排列成彼此不同的图形。7.根据权利要求1所述的纤维型电子元件，其特征在于，多个所述电子元件用图案层叠在所述纤维丝基板上。8.一种晶体管，其特征在于，包括：纤维丝基板；以及依次形成在所述纤维丝基板上的下部电极、半导体层图案、介电层以及上部电极。9.一种晶体管，其特征在于，包括：纤维丝基板；以及晶体管图案阵列，其包括形成在所述纤维丝基板上的多个晶体管，形成有多个所述晶体管图案阵列，所述晶体管包括依次形成在所述纤维丝基板上的下部电极、半导体层图案、介电层以及上部电极。10.根据权利要求8所述的晶体管，其特征在于，所述半导体层图案是N型半导体层图案或是P型半导体层图案。11.根据权利要求8所述的晶体管，其特征在于，所述下部电极包括漏极以及源极，所述上部电极包括栅极。12.根据权利要求11所述的晶体管，其特征在于，所述漏极和源极彼此隔开，所述半导体层图案包括连接所述漏极与源极的沟道部。13.一种逆变器，其特征在于，包括：纤维丝基板；以及依次形成在所述纤维丝基板上的下部电极、P型活性层、N型活性层、绝缘层以及上部电极。14.一种环形振荡器，其特征在于，包括：纤维丝基板；以及依次形成在所述纤维丝基板上的下部电极、P型活性层、N型活性层、绝缘层、第一接触孔、上部栅极、层间绝缘层、第二接触孔以及上部电极。15.一种在纤维丝基板上形成电子元件用图案的方法，其特征在于，包括如下步骤：在纤维丝基板上形成光刻胶膜；对所述光刻胶膜进行曝光工序、光固化工序以及显影工序，从而形成光刻胶图案；对所述光刻胶图案的上表面以及未形成所述光刻胶图案的纤维丝基板的上表面进行蒸镀工序，从而形成电子元件用图案化层；以及从所述纤维丝基板上去除所述光刻胶图案以及形成在所述光刻胶图案上的电子元件用图案化层，从而形成电子元件用图案，其中，所述曝光工序通过无掩模曝光装置来进行。16.一种在纤维丝基板上形成电子元件用图案的方法，其特征在于，包括如下步骤：在纤维丝基板上形成电子元件用图案化层；在所述电子元件用图案化层上形成光刻胶膜；对所述光刻胶膜进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄善彬，李东洙，全大暎，裵秀康，李承起，李常贤，金兌昱，
申请(专利权)人：韩国科学技术研究院，
类型：发明
国别省市：韩国,KR