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本实用新型公开了一种复合磁场传感器，所述复合磁场传感器包括作为衬底的硅片(1)，在所述硅片(1)的上表面制作有两个N沟道场效应晶体管，分别为第一场效应晶体管(MOSFET1)和第二场效应晶体管(MOSFET2)，在所述(MOSFET1)和(...
该专利属于黑龙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过黑龙江大学授权不得商用。

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