半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置包括：设置在衬底上的第一存储器部、第一外围电路部和第二外围电路部；位于所述第二外围电路部上的第二存储器部；以及位于所述第二外围电路部和所述第二存储器部之间的布线部，其中，所述第一存储器部包括多个第一存储单元，每个所述第一存储单元包括单元晶体管和连接到所述单元晶体管的电容器，所述第二存储器部包括多个第二存储单元，每个所述第二存储单元包括彼此串联连接的可变电阻元件和选择元件，并且所述布线部包括多个线图案，至少一个所述线图案和至少一个所述电容器位于距离所述衬底相同的水平高度处，其中，所述第二存储单元距离所述衬底比所述的至少一个所述电容器高。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置相关申请的交叉引用本专利申请要求于2017年7月21日提交的第10-2017-0092882号韩国专利申请的优先权，通过引用将上述申请的全部公开内容包含于此。
本专利技术构思涉及半导体装置，并且更具体地，涉及包括具有不同的操作特性的存储单元的半导体装置。
技术介绍
半导体装置可以包括存储器件和逻辑器件。存储器件存储数据。通常，半导体存储器件可以包括易失性存储器件和非易失性存储器件。易失性存储器件，例如动态随机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储器(SRAM)，是在没有电的情况下丢失存储的数据的存储器件。非易失性存储器件，例如可编程只读存储器(PROM)、可擦除可编程只读存储器(EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)和闪速存储器件，是在没有电的情况下不丢失存储的数据的存储器件。下一代半导体存储器件例如磁性随机存取存储器(MRAM)和相变随机存取存储器(PRAM)是高性能且低功耗的器件。下一代半导体存储器件包括这样的材料，即，其电阻根据所施加的电流或电压而改变，并且即使所施加的电流或电压中断，其电阻仍继续保持。
技术实现思路
根据本专利技术构思的示例性实施例，一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：设置在衬底上的第一存储器部、第一外围电路部和第二外围电路部；位于所述第二外围电路部上的第二存储器部；以及位于所述第二外围电路部和所述第二存储器部之间的布线部，其中，所述第一存储器部包括多个第一存储单元，每个所述第一存储单元包括单元晶体管和连接到所述单元晶体管的电容器，所述第二存储器部包括多个第二存储单元，每个所述第二存储单元包括彼此串联连接的可变电阻元件和选择元件，并且所述布线部包括多个线图案，至少一个所述线图案和至少一个所述电容器相对于所述衬底位于相同的水平高度处，其中，所述第二存储单元距离所述衬底比所述的至少一个所述电容器高。

【技术特征摘要】
2017.07.21 KR 10-2017-00928821.一种半导体装置，所述半导体装置包括：设置在衬底上的第一存储器部、第一外围电路部和第二外围电路部；位于所述第二外围电路部上的第二存储器部；以及位于所述第二外围电路部和所述第二存储器部之间的布线部，其中，所述第一存储器部包括多个第一存储单元，每个所述第一存储单元包括单元晶体管和连接到所述单元晶体管的电容器，所述第二存储器部包括多个第二存储单元，每个所述第二存储单元包括彼此串联连接的可变电阻元件和选择元件，并且所述布线部包括多个线图案，至少一个所述线图案和至少一个所述电容器相对于所述衬底位于相同的水平高度处，其中，所述第二存储单元距离所述衬底比所述的至少一个所述电容器高。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二存储器部还包括多条第一导电线和多条与所述第一导电线交叉的第二导电线，其中，所述第二存储单元设置在所述第一导电线和所述第二导电线之间。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一外围电路部包括第一外围晶体管，并且所述第二外围电路部包括第二外围晶体管，其中，所述第一外围晶体管和所述第二外围晶体管相对于所述衬底位于相同的水平高度处。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述第一外围晶体管驱动至少一个所述第一存储单元，并且所述第二外围晶体管驱动至少一个所述第二存储单元。5.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括位于所述第一存储器部和所述第一外围电路部上的第一布线部，其中，所述第一布线部包括多个第一线图案，并且其中，所述布线部是第二布线部，并且所述线图案是第二线图案。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第一外围电路部包括第一外围晶体管，其中，所述第一外围晶体管电连接到对应的一个第一线图案。7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述第二外围电路部包括第二外围晶体管，其中，所述第二外围晶体管电连接到对应的一个第二线图案。8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述第一外围晶体管和所述第二外围晶体管相对于所述衬底位于相同的水平高度处。9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述的至少一个所述电容器包括：电连接到对应的单元晶体管的端子的第一电极；覆盖所述第一电极的第二电极；以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的介电层。10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述单元晶体管包括位于所述衬底上的栅电极和位于所述栅电极的相对的两侧的源极/漏极区域，其中，所述栅电极的至少一部分在所述衬底中。11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述可变电阻元件包括能够在结晶态和非晶态之间发生相变的材料，并且所述选择元件包括非晶的硫属元素化物材料。12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，所述可变电阻元件包括硫属元素以及Ge、Sb、Bi、Pb、Sn、Ag、As、S、Si、In、Ti、Ga、P、O或C。13.一种半导体装置，所述半导体装置包括：包括第一器件区域和第二器件区域的衬底；位于所述第一器件区域上的第一存储器部；位于所述第二器件区域上...

【专利技术属性】
技术研发人员：金成禹，金奉秀，金英培，许基宰，高宽协，洪亨善，黄有商，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR