低电容静电放电（ESD）器件制造技术

本公开涉及半导体结构，更具体地，涉及低电容静电放电(ESD)器件及其制造方法。该结构包括：第一结构，其包括部分地延伸在第一阱之上的第一扩散区域、第二扩散区域和第三扩散区域的图案；以及第二结构，其包括在第二阱中的第四扩散区域，第四扩散区域电连接到第一结构以在衬底的体区域上形成可控硅整流器(SCR)。

【技术实现步骤摘要】
低电容静电放电(ESD)器件
本公开涉及半导体结构，更具体地，涉及低电容静电放电(ESD)器件及其制造方法。
技术介绍
高频电路应用(例如，ASIC高速串行(HSS)链路、无线通信中的功率放大器等)需要低电容静电放电(ESD)保护。例如，CMOS技术中的功率放大器容易受到ESD事件的影响，这可以损坏集成电路(IC)，因此需要ESD保护。在正常操作期间，使用例如ESD二极管、ESDNFET等的常规ESD器件倾向具有在ESD关闭时影响电路的高寄生电容。可控硅整流器(SCR)结构是所期望的替代ESD结构，因为与例如ESD二极管和ESDNFET相比，它们提供低电容和高ESD性能。SCR器件是四层固态电流控制器件。四层器件包括形成PNPN结构的p-n-p-n层或形成NPNP结构的n-p-n-p层，其中任一个具有三个P-N结和三个端子。SCR是单向器件(即，只能在一个方向上传导电流)，通常只能通过进入到栅极的电流才能触发(与TRIAC相反，其可以通过施加到它的栅极电极的正电流或负电流正常触发)。
技术实现思路
在本公开的方面中，一种结构包括：第一结构，其包括部分地延伸在第一阱之上的第一扩散区域、第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种结构，包括：第一结构，包括部分地延伸在第一阱之上的第一扩散区域、第二扩散区域和第三扩散区域的图案；以及第二结构，包括在第二阱中的第四扩散区域，所述第四扩散区域电连接到所述第一结构以在衬底的体区域上形成可控硅整流器(SCR)。

【技术特征摘要】
2017.07.20 US 15/6552741.一种结构，包括：第一结构，包括部分地延伸在第一阱之上的第一扩散区域、第二扩散区域和第三扩散区域的图案；以及第二结构，包括在第二阱中的第四扩散区域，所述第四扩散区域电连接到所述第一结构以在衬底的体区域上形成可控硅整流器(SCR)。2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第一结构是部分在掩埋氧化物层和所述第一阱之上的第一鳍结构，并且所述第二结构是在体衬底中的所述第二阱之上的第二鳍结构。3.根据权利要求2所述的结构，其中，所述第一扩散区域是P+扩散区域，所述第一阱是N阱区域，所述第二阱是P阱区域以及所述第四扩散是N+区域，形成PNPNSCR。4.根据权利要求3所述的结构，其中，所述第二鳍结构形成在体衬底材料的边缘处，并且所述第一鳍结构由绝缘体上半导体(SOI)材料形成。5.根据权利要求4所述的结构，其中，所述SOI材料是完全耗尽的SOI材料。6.根据权利要求1所述的结构，其中：所述第一结构是鳍结构；所述第一扩散区域是P+扩散材料；所述第二扩散区域是N+扩散材料；以及所述第三扩散区域是P+扩散材料。7.根据权利要求1所述的结构，还包括包含所述第一扩散区域和第二阱的第一二极管。8.根据权利要求7所述的结构，还包括包含第二鳍结构和所述第二阱的第二二极管。9.根据权利要求8所述的结构，其中，所述第一二极管和所述第二二极管形成在SOI区域的掩埋氧化物层之上。10.根据权利要求1所述的结构，还包括包含交替扩散区域的鳍结构的第一二极管。...

【专利技术属性】
技术研发人员：李由，R·J·小戈捷，S·米特拉，M·于，
申请(专利权)人：格芯公司，
类型：发明
国别省市：开曼群岛,KY