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本公开涉及半导体结构，更具体地，涉及低电容静电放电(ESD)器件及其制造方法。该结构包括：第一结构，其包括部分地延伸在第一阱之上的第一扩散区域、第二扩散区域和第三扩散区域的图案；以及第二结构，其包括在第二阱中的第四扩散区域，第四扩散区域电连...
该专利属于格芯公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯公司授权不得商用。

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