【技术实现步骤摘要】
一种压电晶片及其制作方法
本专利技术涉及一种超薄晶片，尤其是涉及超薄压电晶片的制作方法。
技术介绍
以往表面声波滤波器是在钽酸锂或铌酸锂单晶衬底上制作叉指电极，随着应用端的需求发展使得更高表面传播速度的复合衬底因应而生，但器件的特性容易受到压电薄膜厚度不均匀的影响，该不均匀会影响表层叉指电极的间距产生频率飘移，影响最终器件性能表现。在目前公开的压电材料薄膜制造方法中仅提到使用CMP（化学机械抛光）的方式抛到目标厚度，但由于对整个单一材质的表面进行CMP无法有效的控制薄膜均匀性与厚度准确性，导致制程能力不佳良率过低。
技术实现思路
本专利技术提供一种压电晶片，在减薄工艺中能保持良好的厚度均匀性，包括压电材料和至少被压电材料部分包裹的抗磨材料，压电材料由压电晶体材料构成，特别是单晶压电晶体材料，压电材料是晶体的主要组成部分，抗磨材料硬度大于压电材料，抗磨材料做为晶片的移除截止部。在本专利技术中，在减薄工艺中，移除截止部的移除速度小于压电材料，减缓或者阻止压电材料继续被移除。在本专利技术的一些实施例中，晶片具有支撑基板，支撑基板与压电材料连接。在本专利技术的一些实施例中，晶...
【技术保护点】
1.一种压电晶片，其特征在于，包括压电材料和至少被压电材料部分包裹的抗磨材料，压电材料由压电晶体材料构成，抗磨材料硬度大于压电材料，抗磨材料做为晶片的移除截止部。
【技术特征摘要】
1.一种压电晶片，其特征在于，包括压电材料和至少被压电材料部分包裹的抗磨材料，压电材料由压电晶体材料构成，抗磨材料硬度大于压电材料，抗磨材料做为晶片的移除截止部。2.根据权利要求1所述的一种压电晶片，其特征在于，晶片已经过或将经过减薄工艺，减薄工艺包括研磨、抛光。3.根据权利要求1所述的一种压电晶片，其特征在于，晶片具有支撑基板，支撑基板与压电材料连接。4.根据权利要求2所述的一种压电晶片，其特征在于，在减薄工艺中，移除截止部的移除速度小于压电材料，减缓或者阻止压电材料被移除。5.根据权利要求1所述的一种压电晶片，其特征在于，晶片在未减薄前，晶片的其中一面为待减薄面，移除截止部距晶片待减薄面的距离为晶片的待移除厚度。6.根据权利要求1所述的一种压电晶片，其特征在于，晶片在减薄工艺完成之后，移除截止部暴露在晶片的研磨一面。7.根据权利要求1所述的一种压电晶片，其特征在于，移除截止部的材料包括钨、铝、铜、钽，或者上述金属的合金，或者为上述的氮化物、氧化物。8.根据权利要求1所述的一种压电晶片，其特征在于，抗磨材料外观与压电材料外观不同。9.根据权利要求1所述的一种压电晶片，其特征在于，移除截止部靠近晶片边缘。10.根据权利要求1所述的一种压电晶片，其特征在于，移除截止部关于晶片中心对称分布。11.根据权利要求1所述的一种压电晶片，其特征在于，压电材料包括钽酸锂或者铌酸锂。12.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：枋明辉，林彦甫，杨胜裕，
申请(专利权)人：福建晶安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35
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