包括辅助电路的静态随机存取存储器制造技术

本发明专利技术公开包括辅助电路的静态随机存取存储器。根据本发明专利技术一实施例，静态随机存取存储器可包括：位单元部，包括连接在第一接地电压节点及第二接地电压节点之间的至少一个位单元；以及控制部，包括用于对上述第一接地电压节点与上述第二接地电压节点之间的连接进行控制的第一晶体管、使上述第一接地电压节点的第一接地电压浮动的第二晶体管以及使上述第二接地电压节点的第二接地电压浮动的第三晶体管，并利用上述第一晶体管、上述第二晶体管及上述第三晶体管来对供给至上述位单元部的上述第一接地电压及上述第二接地电压进行控制。

【技术实现步骤摘要】
包括辅助电路的静态随机存取存储器本申请要求于2017年7月18日提交且申请号为10-2017-0090981的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用结合在本申请中。
本专利技术涉及包括辅助电路的静态随机存取存储器，并涉及利用辅助电路控制基于列(column)的接地电压来提高读取(read)动作及写入(write)动作的效率性的静态随机存取存储器。
技术介绍
在6TSRAM中，难以提供读取动作与写入动作之间均衡且稳定的读取动作和写入动作。为了解决这种问题，提出了适用辅助电路的方法。当包括辅助电路的静态随机存取存储器的单元利用位交替(bit-interleaving)结构来执行写入动作时，在行半选择位单元(rowhalf-selectedcell)利用基于列的写入辅助电路和基于列的读取辅助电路的情况下，需要在所有行适用辅助功能，因此消耗大量的电力，当结合基于行(row)的写入辅助电路和基于列的读取辅助电路时，多个行半选择位单元相比于多个选择位单元有所增加，因此可能消耗大量的电力。因而，基于列的写入辅助电路和基于行的读取辅助电路可以为消耗适当电力的辅助电路结构。但是，在利用现有技术的基于列的辅助电路来执行写入动作的情况下，所有选择行的单元地线(GNDH)需要比地线(GND)增加150mV，当执行写入动作时，处于所有选择行所有单元的地线高150mV，因此，消耗额外的能量，由于使用由额外的电压引起的选择行单元的地线，可能会产生用于能量及区域(area)的费用。因此，需要提出用于改善如上所述的问题的辅助电路。现有技术文献专利文献(专利文献1)韩国公开专利第10-2015-0128871号，“速度得到提高的被写入辅助的存储器”(专利文献2)韩国公开专利第10-2015-0040986号，“具有记录辅助电路的SRAM读取首选位单元”(专利文献3)韩国登记专利第10-1420255号，“SRAM单元记录功能性的改善”(专利文献4)韩国公开专利第10-2012-0008254号，“包括辅助电路的静态随机存取存储器”
技术实现思路
本专利技术提供包括辅助电路的静态随机存取存储器。本专利技术提供利用辅助电路控制基于列的接地电压来提高读取动作及写入动作的效率性的静态随机存取存储器。本专利技术提供如下的静态随机存取存储器，即，在写入动作中，使整合接地电压浮动(floating)后，从未选择列(unselectedcolumn)的位线或位线棒向整合接地电压提供电流，从而即使不消耗额外的能量也可以使整合接地电压上升。本专利技术提供如下的静态随机存取存储器，即，在写入动作中，由于仅增加在所选择的位单元的接地电压中的用于写入第一数据的数据节点的接地电压，通过增加数据翻转(dataflip)的可能性来提高所选择的位单元的写入能力。本专利技术提供如下的静态随机存取存储器，即，在写入动作中，非选择的位单元(unselectedcell)的位线或位线棒被释放(discharge)预设时间后，通过使整合接地电压上升来确保行半选择位单元的读取稳定性。本专利技术提供如下的静态随机存取存储器，即，在读取动作中，在字线的电压被转换为高电平之前，利用耦合(coupling)现象来将整合接地电压降低为负电压(negativevoltage)，并基于接地电压控制读取辅助电路的效果来降低所选择的位单元的读取延迟。根据本专利技术一实施例，静态随机存取存储器可包括：位单元部，包括连接在第一接地电压节点及第二接地电压节点之间的至少一个位单元；以及控制部，包括用于对上述第一接地电压节点与上述第二接地电压节点之间的连接进行控制的第一晶体管、使上述第一接地电压节点的第一接地电压浮动的第二晶体管以及使上述第二接地电压节点的第二接地电压浮动的第三晶体管，并利用上述第一晶体管、上述第二晶体管及上述第三晶体管来对供给至上述位单元部的上述第一接地电压及上述第二接地电压进行控制。根据本专利技术一实施例，当执行与从上述位单元部中选择的位单元有关的写入动作时，静态随机存取存储器可通过关闭上述第一晶体管、开启上述第二晶体管、关闭上述第三晶体管来使上述第二接地电压节点的第二接地电压浮动。根据本专利技术一实施例，当执行与所选择的上述位单元有关的写入动作时，静态随机存取存储器使上述第二接地电压节点的第二接地电压浮动后，可将与所选择的上述位单元相连接的字线的电压从低(low)电平转换为高(high)电平。根据本专利技术一实施例，当执行与所选择的上述位单元有关的写入动作时，静态随机存取存储器可向与上述位单元部相连接的第一位线施加电源电压，并可向与上述位单元部相连接的第二位线施加接地电压。根据本专利技术一实施例，静态随机存取存储器还可包括用于切断与输入于上述位单元部的上述第一接地电压及述第二接地电压相关的整合接地电压的第四晶体管。根据本专利技术一实施例，静态随机存取存储器还可包括相邻位单元部，上述相邻位单元部包括连接在第三接地电压节点及第四接地电压节点之间的至少一个相邻位单元。根据本专利技术一实施例，静态随机存取存储器还包括：第五晶体管，用于对上述第三接地电压节点与上述第四接地电压节点之间的连接进行控制；第六晶体管，使上述第三接地电压节点的第三接地电压浮动；以及第七晶体管，使上述第四接地电压节点的第四接地电压浮动，上述静态随机存取存储器可利用上述第五晶体管、上述第六晶体管及上述第七晶体管来对供给至上述相邻位单元部的上述第三接地电压及上述第四接地电压进行控制。根据本专利技术一实施例，对与上述相邻位单元部相连接的第三位线或第四位线的电源电压进行释放后，静态随机存取存储器可通过关闭上述第四晶体管来使上述整合接地电压浮动。根据本专利技术一实施例，静态随机存取存储器还可包括交叉耦合部，上述交叉耦合部包括用于对在上述位单元部与上述控制部之间的电压共享进行控制的多个晶体管以及用于对上述第一位线与上述第二位线的电压共享进行控制的多个晶体管。根据本专利技术一实施例，静态随机存取存储器还可包括利用逆变器链延迟(inverterchaindelay)来使上述整合接地电压浮动后将所浮动的上述整合接地电压转换为负电压的电路保护部。根据本专利技术一实施例，当上述电路保护部将上述整合接地电压转换为上述负电压时，静态随机存取存储器可打开上述第一晶体管、上述第二晶体管、上述第三晶体管及第五晶体管，并可关闭上述第四晶体管、第六晶体管及第七晶体管。根据本专利技术一实施例，，转换为上述负电压后，静态随机存取存储器可通过将字线的电压从低电平转换为高电平来执行与从上述位单元部中选择的位单元有关的读取动作。根据本专利技术一实施例，在静态随机存取存储器的控制方法中，上述静态随机存取存储器包括：位单元部，包括连接在第一接地电压节点及第二接地电压节点之间的至少一个位单元；以及控制部，包括用于对上述第一接地电压节点与上述第二接地电压节点之间的连接进行控制的第一晶体管、使上述第一接地电压节点的第一接地电压浮动的第二晶体管以及使上述第二接地电压节点的第二接地电压浮动的第三晶体管，上述控制部可利用上述第一晶体管、上述第二晶体管及上述第三晶体管来对供给至上述位单元部的上述第一接地电压及上述第二接地电压进行控制。根据本专利技术一实施例，静态随机存取存储器可利用辅助电路控制基于列的接地电压来提高读取动作及写入动作的效率性。并且，根据本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种静态随机存取存储器，其特征在于，包括：位单元部，包括连接在第一接地电压节点及第二接地电压节点之间的至少一个位单元；以及控制部，包括用于对上述第一接地电压节点与上述第二接地电压节点之间的连接进行控制的第一晶体管、使上述第一接地电压节点的第一接地电压浮动的第二晶体管以及使上述第二接地电压节点的第二接地电压浮动的第三晶体管，并利用上述第一晶体管、上述第二晶体管及上述第三晶体管来对供给至上述位单元部的上述第一接地电压及上述第二接地电压进行控制。

【技术特征摘要】
2017.07.18 KR 10-2017-00909811.一种静态随机存取存储器，其特征在于，包括：位单元部，包括连接在第一接地电压节点及第二接地电压节点之间的至少一个位单元；以及控制部，包括用于对上述第一接地电压节点与上述第二接地电压节点之间的连接进行控制的第一晶体管、使上述第一接地电压节点的第一接地电压浮动的第二晶体管以及使上述第二接地电压节点的第二接地电压浮动的第三晶体管，并利用上述第一晶体管、上述第二晶体管及上述第三晶体管来对供给至上述位单元部的上述第一接地电压及上述第二接地电压进行控制。2.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器，其特征在于，当执行与从上述位单元部中选择的位单元有关的写入动作时，上述控制部通过关闭上述第一晶体管、开启上述第二晶体管、关闭上述第三晶体管来使上述第二接地电压节点的第二接地电压浮动。3.根据权利要求2所述的静态随机存取存储器，其特征在于，当执行与所选择的上述位单元有关的写入动作时，上述控制部使上述第二接地电压节点的第二接地电压浮动后，将与所选择的上述位单元相连接的字线的电压从低电平转换为高电平。4.根据权利要求2所述的静态随机存取存储器，其特征在于，当执行与所选择的上述位单元有关的写入动作时，上述控制部向与上述位单元部相连接的第一位线施加电源电压，并向与上述位单元部相连接的第二位线施加接地电压。5.根据权利要求4所述的静态随机存取存储器，其特征在于，上述控制部还包括用于切断与输入于上述位单元部的上述第一接地电压及述第二接地电压相关的整合接地电压的第四晶体管。6.根据权利要求5所述的静态随机存取存储器，其特征在于，还包括相邻位单元部，上述相邻位单元部包括连接在第三接地电压节点及第四接地电压节点之间的至少一个相邻位单元。7.根据权利要求6所述的静态随机存取存储器，其特征在于，上述控制部还包括：第五晶体管，用于对上述第三接地电压节点与上述第四接地电压节点之间的连接进行控制；第六晶体管，使上述第三接地...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑盛旭，吴世爀，郑汉蔚，朴胄炫，
申请(专利权)人：延世大学校产学协力团，
类型：发明
国别省市：韩国,KR