The invention provides a total dose effect hardening method for a flash memory storage circuit, which includes: step 1, providing a flash memory array; step 2, compiling the initial information into encoding information and inputting it into the flash memory array, the number of binary codes \0\ and \1\ in encoding information is equal; step 3, interpreting and judging the encoding information in the flash memory array. The number of binary codes \0\ and \1\ is counted; Step 4: Comparing the statistical results, when the number of binary codes \0\ and \1\ is equal, the coded information is decoded and read out; when the number of binary codes is different, the reading voltage of flash memory storage array is adjusted until the number of binary codes \0\ and \1\ is equal. The invention can effectively maintain the stability of the flash memory storage circuit by adjusting the reading voltage.
【技术实现步骤摘要】
一种闪存存储电路的抗总剂量效应加固方法
本专利技术涉及总剂量效应抑制
,尤其涉及一种闪存存储电路的抗总剂量效应加固方法。
技术介绍
闪存(Flash)存储器具有在线可编程、数据信息掉电不丢失、读写速度高、抗震动性好等优势,近年来,已经广泛应用于航天电子系统中。空间中的各种高能粒子会对包括Flash存储器的各种电子元器件造成严重的影响,引起各种辐射效应。其中,总剂量效应是Flash存储器在空间应用中需要面对的最重要的问题之一。总剂量效应是累积剂量的电离辐射效应,是一个长期的辐射剂量累积导致器件失效的过程。总剂量效应对器件的损伤机理主要是在MOS器件的氧化层中产生大量的电子空穴对,在电子和空穴迁移以及复合的作用下形成氧化层陷阱电荷和界面态陷阱电荷,这些陷阱电荷会引起器件的阈值电压漂移、漏电增加以及跨导变化等结果,从而导致MOS器件的性能退化甚至功能失效。对于Flash存储器来说,总剂量效应可能会导致其存储单元阈值电压漂移和电路漏电流的增加、功耗电流增大、读写延迟增大甚至造成芯片不能进行正常擦写和读操作。因此,通常在空间环境中应用的闪存存储器需要进行加固设计,避免其因空间辐射而过早失效。目前,存在EDAC(ErrorDetectionAndCorrection电路纠检错)等存储器电路的抗辐照加固设计技术。在数据写入时,根据写入的数据生成一定位数的校验码,与相应的数据一起保存;当读出时,同时也将校验码读出进行判决。如果出现一位错误则自动纠正,将正确的数据送出,并同时将改正的数据写回覆盖原来出错的数据,如果出现两位错误则产生中断报告,通知CPU进行异常处理。但 ...
【技术保护点】
1.一种闪存存储电路的抗总剂量效应加固方法,其特征在于,包括:步骤一、提供闪存存储阵列;步骤二、将初始信息编译为编码信息,并将所述编码信息输入所述闪存存储阵列,其中所述编码信息中的二进制代码“0”和“1”的数量相等;步骤三、对所述闪存存储阵列中的所述编码信息进行判读,并将判读得到的二进制代码“0”和“1”的数量进行统计;步骤四、比较所述判读得到的二进制代码“0”和“1”的数量统计结果,当所述判读得到的二进制代码“0”和“1”的数量相等,则将所述编码信息译码读出;当所述判读得到的二进制代码“0”和“1”的数量不等,则调整所述闪存存储阵列的读取电压,直至所述判读得到的二进制代码“0”和“1”的数量相等。
【技术特征摘要】
1.一种闪存存储电路的抗总剂量效应加固方法,其特征在于,包括:步骤一、提供闪存存储阵列;步骤二、将初始信息编译为编码信息,并将所述编码信息输入所述闪存存储阵列,其中所述编码信息中的二进制代码“0”和“1”的数量相等;步骤三、对所述闪存存储阵列中的所述编码信息进行判读,并将判读得到的二进制代码“0”和“1”的数量进行统计;步骤四、比较所述判读得到的二进制代码“0”和“1”的数量统计结果,当所述判读得到的二进制代码“0”和“1”的数量相等,则将所述编码信息译码读出;当所述判读得到的二进制代码“0”和“1”的数量不等,则调整所述闪存存储阵列的读取电压,直至所述判读得到的二进制代码“0”和“1”的数量相等。2.根据权利要求1所述的抗总剂量效应加固方法,其特征在于,在所述步骤二中,所述编码信息的二进制位数是所述初始信息的二进制数位数的两倍。3.根据权利要求2所述的抗总剂量效应加固方法,其特征在于,在所述步骤二中,所述编码信息使用两位二进制数“01”代替所述初始信息的一位二进制数“0”。4.根据权利要求2所述的抗总剂量效应加固方法,其特征在于,在所述步骤二中,所述编码信息使用两位二进制...
【专利技术属性】
技术研发人员:戴茜茜,毕津顺,李梅,刘明,李博,习凯,
申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所,
类型:发明
国别省市:北京,11
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。