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本发明提供一种闪存存储电路的抗总剂量效应加固方法，包括：步骤一、提供闪存存储阵列；步骤二、将初始信息编译为编码信息，并输入闪存存储阵列，编码信息中的二进制代码“0”和“1”的数量相等；步骤三、对闪存存储阵列中的编码信息进行判读，并将判读得到...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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