针对总剂量辐射效应进行加固的数字缓冲器电路制造技术

本实用新型专利技术涉及微电子学中的抗辐射集成电路设计领域，为实现针对TID进行加固的数字缓冲器电路，本实用新型专利技术采用的技术方案是，针对总剂量辐射效应进行加固的数字缓冲器电路，包含4个PMOS晶体管MP1、MP2、MP3和MP4，以及两个NMOS晶体管MN1和MN2；VIN和NVIN是两个互补的输入信号端口，接受反相的输入信号，VOUT和NVOUT是两个互补的输出信号端口，输出两个反相的信号；其中，VOUT和NVOUT端口的输出电平值分别与VIN和NVIN同相。本实用新型专利技术主要应用于抗辐射集成电路设计。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及微电子学中的抗辐射集成电路设计领域，尤其涉及使用设计方法 对数字电路中的缓冲器电路进行总剂量辐射效应加固。 针对总剂量辐射效应进行加固的数字缓冲器电路
技术介绍
总剂量辐射效应（Total Ionizing Dose，TID)是引发空间环境中应用的集成电路 失效的主要原因之一。TID的主要物理机理，是辐射（电子、伽马射线等）对芯片的氧化层 进行电离，并在氧化层中留下正电荷。对不同部分的氧化层，TID造成的辐射损伤形式有所 不同，主要包括三种形式：1)TID在M0S晶体管的栅氧化层中引起正电荷堆积，导致N沟道 晶体管（NM0S)和P沟道晶体管（PM0S)的阈值都发生负向漂移；2)TID在场氧化层或浅沟 槽隔离氧化层中引入正电荷，导致NM0S沟道两侧出现寄生沟道，引发NM0S的源区和漏区 之间的漏电，这一过程称为器件内部漏电（intra device leakage) ;3)TID在场氧化层或浅 沟槽隔离氧化层下方形成寄生沟道，导致本应互相隔离的两个N型区域之间漏电，这一过 程称为器件间漏电（inter device leakage)。目前，随着集成电路工艺的不断进步，晶体管 的栅氧化层厚度不断减薄，上述由TID引发的第一种辐射损伤已经不再成为主要因素。然 而，器件内部漏电和器件间漏电依然存在。针对器件间漏电，目前主要的方法是使用高浓 度P型掺杂区进行隔离，即使用保护环结构。对于器件内部漏电，主要是采用封闭栅晶体管 (Enclosed Gate NM0S，EGNM0S)结构。使用EGNM0S对器件内部漏电进行隔离的基本思路是 切断寄生沟道，这一方法已经被证明是对TID进行加固的有效方法。然而，EGNM0S结构存 在着诸多问题，包括最小宽长比的限制、较慢的开关速度和较大的面积等。
技术实现思路
为克服现有技术的不足，实现针对TID进行加固的数字缓冲器电路，本技术 采用的技术方案是，针对总剂量辐射效应进行加固的数字缓冲器电路，包含4个PM0S晶体 管MP1、MP2、MP3和MP4,以及两个NM0S晶体管MN1和MN2 ;VIN和NVIN是两个互补的输入 信号端口，接受反相的输入信号。V0UT和NV0UT是两个互补的输出信号端口，输出两个反相 的信号；其中，V0UT和NV0UT端口的输出电平值分别与VIN和NVIN同相；各晶体管的连接 关系如下：MP1的源端、漏端和栅端分别连接地、NV0UT和NVIN ;MP2的源端、漏端和栅端分 别连接地、V0UT和VIN ;MP3的源端、漏端和栅端分别连接电源、NV0UT和VOUT ;MP4的源端、 漏端和栅端分别连接电源、V0UT和NVOUT ;MN1的源端、漏端和栅端分别连接至NVIN、NV0UT 和VOUT ;MN2的源端、漏端和栅端分别连接至VIN、V0UT和NV0UT。 本技术的技术特点及效果： 1、该数字缓冲器基于电路结构针对TID效应进行加固，只采用普通NM0S晶体管就 能够消除器件内部漏电，简化了设计流程； 2、该数字缓冲器电路能够提供互补输出。 【附图说明】 图1为本技术提出的数字缓冲器。 【具体实施方式】 本技术提出一种新颖的针对TID效应进行抗辐射加固的思路，不经由切断漏 电路径，而是通过避免NM0S晶体管源漏之间产生电压差来消除NM0S源漏之间的漏电流，并 基于这一构思设计了一种针对TID进行加固的数字缓冲器电路。 本技术提出的针对TID效应进行加固的数字缓冲器电路如图1所示。该数字 缓冲器电路包含4个PM0S晶体管MP1、MP2、MP3和MP4,以及两个NM0S晶体管丽1和丽2。 VIN和NVIN是两个互补的输入信号端口，接受反相的输入信号。V0UT和NV0UT是两个互 补的输出信号端口，输出两个反相的信号。其中，V0UT和NV0UT端口的输出电平值分别与 VIN和NVIN同相。各晶体管的连接关系如下：MP1的源端、漏端和栅端分别连接地、NV0UT 和NVIN ;MP2的源端、漏端和栅端分别连接地、V0UT和VIN ;MP3的源端、漏端和栅端分别连 接电源、NV0UT和VOUT ;MP4的源端、漏端和栅端分别连接电源、V0UT和NVOUT ;MN1的源端、 漏端和栅端分别连接至NVIN、NV0UT和VOUT ;MN2的源端、漏端和栅端分别连接至VIN、V0UT 和 NVOUT。 以VIN = 0、NVIN = 1的情况来说明该数字缓冲器的工作过程。由于VIN = 0，MP2 导通将VOUT拉至低电平，因为PM0S管下拉电平会产生阈值损失，因此VOUT开始时尚无法 被下拉到地。由于V0UT被下拉到低电平，因此MP3会导通并对NV0UT进行上拉。NVIN = 1 使得MP1关断。因此，NV0UT被上拉到VDD，并导通MN2。MN2管导通后对VOUT进行进一步 地下拉，致其被彻底下拉至地。此时VOUT = 0、NV0UT = 1，MN1和MN2的源漏电压相等，因 此即便其内部存在寄生漏电沟道，也不会产生漏电流。VIN = 1、NVIN = 0的情况与上述分 析过程类似，此处不再赘述。 在图1中，为保证MP1和MP2管能够对NV0UT和V0UT节点分别进行有效的下拉， MP3管和MP4管沟道宽度采用制造工艺能够提供的最小沟道宽度。另外，在版图设计上，MN1 和丽2之间，以及丽1和丽2与其他电路部分间需要使用P型保护环进行隔离，以防止器件 间漏电的发生。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种针对总剂量辐射效应进行加固的数字缓冲器电路，其特征是，包含4个PMOS晶体管MP1、MP2、MP3和MP4，以及两个NMOS晶体管MN1和MN2；VIN和NVIN是两个互补的输入信号端口，接受反相的输入信号，VOUT和NVOUT是两个互补的输出信号端口，输出两个反相的信号；其中，VOUT和NVOUT端口的输出电平值分别与VIN和NVIN同相；各晶体管的连接关系如下：MP1的源端、漏端和栅端分别连接地、NVOUT和NVIN；MP2的源端、漏端和栅端分别连接地、VOUT和VIN；MP3的源端、漏端和栅端分别连接电源、NVOUT和VOUT；MP4的源端、漏端和栅端分别连接电源、VOUT和NVOUT；MN1的源端、漏端和栅端分别连接至NVIN、NVOUT和VOUT；MN2的源端、漏端和栅端分别连接至VIN、VOUT和NVOUT。

【技术特征摘要】
1. 一种针对总剂量辐射效应进行加固的数字缓冲器电路，其特征是，包含4个PMOS晶 体管MP1、MP2、MP3和MP4,以及两个NM0S晶体管MN1和MN2 ;VIN和NVIN是两个互补的输入 信号端口，接受反相的输入信号，V0UT和NV0UT是两个互补的输出信号端口，输出两个反相 的信号；其中，V0UT和NV0UT端口的输出电平值分别与VIN和NVIN同相；各晶体管的连接 关系...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚素英，李渊清，徐江涛，高静，史再峰，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：新型
国别省市：天津;12