一种消除存储器件总剂量效应的数据取反方法技术

本发明专利技术属于计算机技术领域，具体涉及一种消除存储器件总剂量效应的数据取反方法，步骤如下：１）对计算机内部寄存器发送第一次取反指令；得到原始数据的取反数据；２）对计算机内部寄存器发送第二次取反指令，将取反后的数据恢复为原来数据；３）把外部存储器的原始数据读到主控计算机中；４）发送第一次写指令，给外部存储器的存储单元的每个字节写入“５５Ｈ”；５）发送第二次写指令，给外部存储器的存储单元的每个字节写入“ＡＡＨ”；６）把存入主控计算机中的原始数据又重新写入外部存储器，恢复原来数据。本发明专利技术对内部寄存器和外部存储器的存储单元中的数据进行取反操作的方法，可以有效消除总剂量效应对存储器件的影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于计算机
，具体涉及一种消除存储器件总剂量 效应的数据取反方法。 现有技术空间辐射环境中存在大量电子，会导致存储器件发生总剂量效 应，严重影响航天器的可靠性及在轨寿命。总剂量效应是指辐射在半 导体器件内部不同界面附近产生了界面态电荷和在氧化层中产生了 陷阱电荷，从而导致半导体器件的参数(主要是阈值电压)漂移，进 而引发器件故障。应对总剂量效应的方法主要有器件加固和工艺加固 两种。器件加固主要采取备份冗余和冷备份两种方法。备份冗余是指 在系统中设置一些冗余单元，备份关键存储单元中的数据，当某存储 单元出现故障时，调用冗余备份单元中的数据，保证系统的正常运行。 冷备份是指在系统中设置一些处于不加电状态的存储器件，这些器件 不工作；当某个存储器件出现问题时，启用这些器件。这样，可以提 高系统的抗总剂量效应的能力。工艺加固是在器件的生产工艺过程中 采取一些加固措施提高器件的抗总剂量效应的能力。然而，器件出厂 以后，其抗总剂量效应的能力就确定了。目前尚无消除总剂量效应的 方法。
技术实现思路
针对现有技术中尚无消除存储器件中总剂量效应的方法的实际 情况，本专利技术提出一种本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种消除存储器件总剂量效应的数据取反方法，其特征在于，包括：　ａ．对内部寄存器的数据取反：　①对计算机内部寄存器发送第一次取反指令；得到原始数据的取反数据；　②对计算机内部寄存器发送第二次取反指令，将取反后的数据恢复为原来 数据；　ｂ．对外部存储器的数据取反：　①把外部存储器的原始数据读到主控计算机中；　②发送第一次写指令，给外部存储器的存储单元的每个字节写入“５５Ｈ”；　③发送第二次写指令，给外部存储器的存储单元的每个字节写入“ＡＡＨ ”，将“５５Ｈ”变成“ＡＡＨ”，对于二进制来说，即将“０１０１０１０１Ｂ”变成...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：贺朝会，李永宏，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：87[中国|西安]