存储器系统及其操作方法技术方案

本发明专利技术提供一种存储器系统及其操作方法。存储器系统可包括：存储器控制器；以及通过多个通道联接到存储器控制器的多个存储器装置。存储器控制器可包括：功耗测量单元，其被配置成以预定时间段的间隔测量存储器系统的功耗并基于所测量的功耗生成第一信号；以及性能调节控制单元，其被配置成响应于第一信号执行改变存储器系统的性能的操作。性能调节控制单元可被配置成在预定时间段内多次执行改变存储器系统的性能的操作。

【技术实现步骤摘要】
存储器系统及其操作方法相关申请的交叉引用本申请要求于2017年7月17日提交的申请号为10-2017-0090345的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
本公开的各个实施例总体涉及一种存储器系统。特别地，实施例涉及一种能够优化地控制其性能和温度的存储器系统。
技术介绍
半导体存储器装置可被分为易失性半导体存储器装置和非易失性半导体存储器装置。易失性半导体存储器装置的优点在于可高速执行读取操作和写入操作，而其劣势在于当电力供应中断时会丢失所存储的信息。相反地，即使电力供应中断，非易失性半导体存储器装置也可保持存储在其中的信息。因此，非易失性半导体存储器装置被用于存储无论是否供电都需被保持的信息。非易失性半导体存储器装置的示例可包括掩模只读存储器(MROM)、可编程只读存储器(PROM)、可擦除可编程只读存储器(EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)等。非易失性半导体存储器装置的示例可包括闪速存储器装置。闪速存储器装置已被广泛地用作诸如以下的电子装置的音频和视频数据存储介质：计算机、移动电话、个人数字助理(PDA)、数码相机、便携式摄像机、录音机、MP3播放器、手持式个人计算机(PC)、游戏机、传真机、扫描仪和打印机。近来，随着对高集成度存储器装置的需求增加，多个位存储在单个存储器单元中的多位闪速存储器装置已经普及。当前的非易失性存储器系统通常配备有性能调节功能。该性能调节功能降低存储器系统的性能，以降低存储器系统的功耗或降低存储器系统的温度。该功能主要用于使存储器系统保护其系统本身不超过表示允许功耗的功率阈值。然而，性能调节功能可能会偶尔成为过度劣化存储器系统的性能的因素。
技术实现思路
本公开的各个实施例涉及一种存储器系统及操作该存储器系统的方法，其可以优化存储器系统的温度和性能。本公开的实施例可提供一种存储器系统。存储器系统可包括存储器控制器和通过多个通道联接到存储器控制器的多个存储器装置，其中存储器控制器可包括：功耗测量单元，其被配置成以预定时间段的间隔测量存储器系统的功耗并基于所测量的功耗生成第一信号；以及性能调节控制单元，其被配置成响应于第一信号执行改变存储器系统的性能的操作，其中性能调节控制单元被配置成在预定时间段内多次执行改变存储器系统的性能的操作。本公开的实施例可提供一种存储器系统。存储器系统可包括存储器控制器和通过多个通道联接到存储器控制器的多个存储器管芯，其中存储器控制器可包括：温度测量单元，其被配置成以预定时间段的间隔测量存储器系统的温度并基于所测量的温度来调整存储器系统的目标性能；以及激活管芯数量控制单元，其被配置成响应于目标性能来执行改变存储器管芯之中的激活存储器管芯的数量的操作。激活管芯数量控制单元可被配置成在预定时间段内多次执行改变激活存储器管芯的数量的操作。本公开的实施例可提供一种操作存储器系统的方法。方法可包括以预定时间段的间隔测量温度，基于温度测量的结果以预定时间段的间隔调整目标性能，以及基于目标性能执行控制激活存储器管芯的数量的操作，其中控制激活存储器管芯的数量的操作在预定时间段内被执行多次。本公开的实施例可提供一种包括一个或多个存储器管芯的存储器系统的操作方法。方法可包括：在第一时间段，一次或多次地测量存储器系统的功耗和温度；以及在第二时间段，基于测量通过选择性地使存储器管芯中的每一个激活或不激活来调整存储器管芯的性能，其中第二时间段与第一时间段相同或比第一时间段短。附图说明图1是示出根据本公开的实施例的存储器系统的示图。图2是示出图1的存储器装置的示图。图3是示出根据本公开的实施例的存储器系统的示图。图4是描述根据存储器系统的温度升高的性能调节的示图。图5是示出根据本公开的实施例的存储器控制器的示图。图6是示出根据本公开的实施例的存储器控制器的示图。图7是描述激活存储器管芯的数量与存储器系统的性能之间的关系的示图。图8是示出根据本公开的实施例的性能调节方法的示图。图9是更详细地示出图8的性能调节方法的示图。图10是示出根据本公开的实施例的性能调节方法的示图。图11是更详细地示出图10的性能调节方法的示图。图12是示出根据本公开的实施例的性能调节方法的流程图。图13是示出包括图5或图6的存储器控制器的存储器系统的实施例的示图。图14是示出包括图5或图6的存储器控制器的存储器系统的实施例的示图。图15是示出包括图5或图6的存储器控制器的存储器系统的实施例的示图。图16是示出包括图5或图6的存储器控制器的存储器系统的实施例的示图。具体实施方式现在将参照附图在下文中更全面地描述示例性实施例；然而，其可以不同的形式来实施，并且不应被解释为限于在此阐述的实施例。相反地，提供这些实施例以便使本公开彻底且充分，并且将示例性实施例的范围全面地传达给本领域的技术人员。附图不一定按比例绘制，在一些情况下，为了清楚地示出实施例的特征，可以夸大比例。本文使用的术语仅是以描述特定实施例为目的，并不旨在限制本专利技术。将理解的是，当元件被称为“联接”或“连接”到特定元件时，其可直接联接或连接到该特定元件，或者可间接联接或连接到该特定元件，其间存在中间元件。在说明书中，除非在上下文中具体指出相反的描述，否则当一个元件被称为“包括”或“包含”一个部件时，其不排除其它部件，而可进一步包括其它部件。在以下描述中，为了提供本专利技术的全面理解，阐述了许多具体细节。可在没有一些或全部这些具体细节的情况下实施本专利技术。在其它情况下，为了不使本专利技术被不必要地模糊，未详细地描述公知的进程结构和/或进程。在下文中，将参照附图详细描述本专利技术的各个实施例。图1是示出根据本公开的实施例的存储器系统1000的示图。参照图1，存储器系统1000可包括用于存储数据的存储器装置1100和用于在主机2000的控制下控制存储器装置1100的存储器控制器1200。主机2000可使用诸如以下的接口协议与存储器系统1000进行通信：高速外围组件互连(PCI-E)、高级技术附件(ATA)、串行ATA(SATA)、并行ATA(PATA)或串列SCSI(SAS)。另外，被提供用于主机2000与存储器系统1000之间的数据通信的接口协议不限于上述示例，并且可以是诸如以下的接口协议：通用串行总线(USB)、多媒体卡(MMC)、增强型小型磁盘接口(ESDI)或电子集成驱动器(IDE)。存储器控制器1200可控制存储器系统1000的整体操作，并且可控制主机2000与存储器装置1100之间的数据交换。例如，存储器控制器1200可响应于来自主机2000的请求，通过控制存储器装置1100来编程或读取数据。进一步地，存储器控制器1200可存储包括在存储器装置1100中的主存储块和子存储块的信息，并且可选择存储器装置1100，使得根据为编程操作而加载的数据量而对主存储块或子存储块执行编程操作。在实施例中，存储器装置1100的示例可包括双倍数据速率同步动态随机存取存储器(DDRSDRAM)、低功率双倍数据速率4(LPDDR4)SDRAM、图形双倍数据速率SDRAM(GDDRSDRAM)、低功率DDR(LPDDR)SDRAM、Rambus动态随机存取存储器(RDRAM)或闪速存储器。存储器装置1100可在存储器控制器1200的控制本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器系统，其包括：存储器控制器；以及多个存储器装置，其通过多个通道联接到所述存储器控制器，其中所述存储器控制器包括：功耗测量单元，其被配置成以预定时间段的间隔测量所述存储器系统的功耗并基于所测量的功耗生成第一信号；以及性能调节控制单元，其被配置成响应于所述第一信号执行改变所述存储器系统的性能的操作，其中所述性能调节控制单元被配置成在所述预定时间段内多次执行改变所述存储器系统的性能的操作。

【技术特征摘要】
2017.07.17 KR 10-2017-00903451.一种存储器系统，其包括：存储器控制器；以及多个存储器装置，其通过多个通道联接到所述存储器控制器，其中所述存储器控制器包括：功耗测量单元，其被配置成以预定时间段的间隔测量所述存储器系统的功耗并基于所测量的功耗生成第一信号；以及性能调节控制单元，其被配置成响应于所述第一信号执行改变所述存储器系统的性能的操作，其中所述性能调节控制单元被配置成在所述预定时间段内多次执行改变所述存储器系统的性能的操作。2.根据权利要求1所述的存储器系统，其中改变所述存储器系统的性能的操作包括改变所述存储器装置中激活存储器装置的数量的操作。3.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述第一信号指示所述存储器系统的目标性能。4.根据权利要求3所述的存储器系统，其中所述性能调节控制单元被配置成响应于所述第一信号，在所述预定时间段内多次执行改变所述存储器装置中激活存储器装置的数量的操作。5.根据权利要求3所述的存储器系统，其中如果所述目标性能大于在所述存储器装置中所述激活存储器装置的数量为N时给定的目标性能，并且小于在所述激活存储器装置的数量为(N+1)时给定的目标性能，则所述性能调节控制单元被配置成在所述预定时间段的第一时间期间将所述激活存储器装置的数量控制为N，并且在所述预定时间段的第二时间期间将所述激活存储器装置的数量控制为(N+1)，其中所述N为0或更大的整数。6.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述性能调节控制单元被配置成通过延迟对所述存储器装置施加命令的操作来执行改变所述存储器系统的性能的操作。7.根据权利要求6所述的存储器系统，其中：所述功耗测量单元包括定时器，所述定时器以所述预定时间段的间隔生成第二信号，温度测量单元响应于所述第二信号测量所述存储器系统的温度。8.根据权利要求2所述的存储器系统，其中改变所述激活存储器装置的数量的操作包括使所述多个通道的一部分不激活的操作。9.一种存储器系统，其包括：存储器控制器；以及多个存储器管芯，其通过多个通道联接到所述存储器控制器，其中所述存储器控制器包括：温度测量单元，其被配置成以预定时间段的间隔测量所述存储器系统的温度，并且基于所测量的温度调整所述存储器系统的目标性能；以及激活管芯数量控制单元，其被配置成响应于所述目标性能执行改变所述存储器管芯中激活存储器管芯的数量的操作，其中所述激活管芯数量控制单元被配置成在所述预定时间段内多次执行改变所述激活存储器管芯的数量的操作。10.根据权利要求9所述的存储器系统，其中所述激活管芯数量控制单元被配置成：当在所述预定时间段期间所述存储器系统的性能大于所述目标性能时，在所述预定时间段之后的时间段期间减少所述激活存储器管芯的数量。11.根据权利要求9所述的存储器系统，其中如果调整后的目标性能大于在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：金敏基，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR