一种化学机械抛光液制造技术

本发明专利技术提供了一种化学机械抛光液，其特征在于，所述化学机械抛光液包含氧化铈磨料低聚糖及pH调节剂。本发明专利技术还提供了一种采用上述配方的化学机械抛光液在二氧化硅介质表面抛光中的应用。采用上述配方的化学机械抛光液，能够保持低的缺陷度的同时显著提高氧化铈磨料对二氧化硅介质材料的抛光速率。

A Chemical Mechanical Polishing Fluid

The invention provides a chemical mechanical polishing fluid, which is characterized in that the chemical mechanical polishing fluid comprises a cerium oxide abrasive oligosaccharide and a pH regulator. The invention also provides an application of the chemical mechanical polishing solution using the above formula in the surface polishing of silicon dioxide medium. The chemical mechanical polishing fluid with the above formulation can maintain low defect degree and significantly improve the polishing rate of ceria abrasive on silica dielectric materials.

【技术实现步骤摘要】
一种化学机械抛光液
本专利技术涉及化学机械抛光液领域，尤其涉及一种含有β-环糊精分子的化学机械抛光液。
技术介绍
氧化铈是一种重要的CMP抛光液磨料。相比于传统硅溶胶磨料，由于氧化铈更高效的抛光特性，已被广泛应用于STI和LID的CMP抛光液中。目前，用于CMP抛光的氧化铈磨料主要分为两种：一种是传统的高温焙烧合成氧化铈粉体，经过球磨分散制备得到的氧化铈磨料分散液；另一种是水热合成制备得到的溶胶型纳米氧化铈磨料。两种氧化铈磨料具有不同的抛光特性：传统高温焙烧合成的氧化铈磨料可以通过添加吡啶甲酸(picolinicacid)等化合物提高其对二氧化硅介质层的抛光速率(见文献：Carteretal.,ElectrochemicalandSolid-StateLetter(vol8(8),pageG218-G221,year2005)；而对于溶胶型氧化铈而言，吡啶甲酸的添加不仅不能提高其对二氧化硅介质层的抛光速率，反而会抑制氧化铈的抛光活性。(见案例1)。文献中提及不同氧化铈制备方法对抛光活性以及化学化合物对其影响不同(见文献：Srinivasanetal.,ECSJournalofSoli本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种化学机械抛光液，其特征在于，所述化学机械抛光液包含氧化铈磨料、低聚糖及pH调节剂。

【技术特征摘要】
1.一种化学机械抛光液，其特征在于，所述化学机械抛光液包含氧化铈磨料、低聚糖及pH调节剂。2.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述低聚糖选自β-环糊精或葡聚糖。3.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述低聚糖选自β-环糊精。4.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述氧化铈磨料包含溶胶型氧化铈磨料。5.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述氧化铈磨料的粒径为30-90nm。6.如权利要求1所述的化学机械抛光液...

【专利技术属性】
技术研发人员：李守田，尹先升，贾长征，王雨春，
申请(专利权)人：安集微电子科技上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31