一种化学机械抛光液制造技术

本发明专利技术提供了一种化学机械抛光液，包含氧化铈磨料颗粒、聚季铵盐及pH调节剂。本发明专利技术中的聚季铵盐可控制氧化硅的抛光速率，使得在高压下达到高的氧化硅抛光速率，在低压下实现低的氧化硅的抛光速率，从而取得较低碟形凹陷(dishing)。

A Chemical Mechanical Polishing Fluid

The invention provides a chemical mechanical polishing fluid, which comprises cerium oxide abrasive particles, polyquaternary ammonium salts and pH regulators. The polyquaternary ammonium salt in the invention can control the polishing rate of silicon oxide, so that the polishing rate of silicon oxide can reach high under high pressure, and the polishing rate of silicon oxide can be achieved low under low pressure, thereby achieving lower dishing.

【技术实现步骤摘要】
一种化学机械抛光液
本专利技术涉及化学机械抛光领域，尤其涉及一种化学机械抛光液。
技术介绍
氧化铈是一种重要的CMP抛光液磨料，相比于传统硅溶胶磨料，氧化铈对二氧化硅材质具有更高效的抛光特性，已广泛应用于STI和ILD的CMP抛光。但是，在STI的CMP抛光应用中，通常要求具备高的二氧化硅介质层的抛光速率，而低的氮化硅介质层的抛光速率，最好氮化硅介质层的抛光速率可以接近于零。也就是说，要求高的二氧化硅对氮化硅的选择比。有机分子能够有效地抑制氮化硅的抛光速率已有许多报道，比如，ElectrochemicalandSolid-StateLetter(vol8(8),pageG218-G221,year2005)报道吡啶甲酸(picolinicacid)等化合物能够提高抛光液对二氧化硅介质层的抛光速率，同时抑制氮化硅的抛光速率，相比普通抛光液减小至少20倍，使得抛光液对二氧化硅和氮化硅的选择比超过200。但是，在STI应用中，除了抑制氮化硅的抛光速率，同时还要控制碟形凹陷(dishing)。其中一种取得低碟形凹陷数值的方式是在高的压力下(比如，4psi或5psi下)，采用高的氧化硅的抛光速本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种化学机械抛光液，包含氧化铈磨料、聚季铵盐及pH调节剂。

【技术特征摘要】
1.一种化学机械抛光液，包含氧化铈磨料、聚季铵盐及pH调节剂。2.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述的聚季铵盐选自聚季铵盐-10。3.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述氧化铈磨料浓度为0.1wt％～2wt％。4.如权利要求2所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述的聚季铵盐-10浓度为5ppm～150ppm。5.如权利要求4所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述的聚季铵盐-10浓度为50ppm-100ppm。6.如权利要求1-5任一所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李守田，尹先升，贾长征，王雨春，
申请(专利权)人：安集微电子科技上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31