【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种利用微型可调混液装置对碱性抛光液抛光铜后产生的铜绿进行清洗的工艺方法。
技术介绍
1、随着集成电路器件特征尺寸的缩小，晶圆尺寸不断增大，半导体制造工艺变得越来越复杂和精细。为了提高器件的可靠性和使用寿命，芯片金属互连由铝互连向铜互连转移。而铝互连与铜互连层均需平坦化，化学机械抛光(cmp)工艺技术是目前唯一能够实现芯片全局平面化的实用技术和核心技术。对铜进行化学机械抛光，国际上通常采用酸性抛光液。但随着集成电路的发展，酸性铜抛光液中含有的多种腐蚀抑制剂，如具有毒性的苯并三唑(bta)等，易残留在铜布线表面，只有在强机械作用下才能去除，极易造成划伤、有机物污染和薄膜脱落等问题。故为解决实际应用中低机械压力要求与酸性铜抛光液易残留问题之间的矛盾，碱性抛光液重新应用于铜的化学机械抛光工艺中。但铜在碱性条件下抛光易生成氧化物、氢氧化物，这些副产物(简称铜绿)不易溶解，并随着加工片数的增加，副产物在抛光垫上不断堆积，会进一步影响铜的抛光速率和抛光垫寿命，严重影响抛光效果和生产效率。
2、目前对...
【技术保护点】
1.一种微型可调混液装置，其特征在于，包括：可编程控制器，微型混合器和流量控制器(1)，流量控制器(2)及流量控制器(3)；所述可编程控制器分别与流量控制器(1)，流量控制器(2)及流量控制器(3)相连，可编程控制器用于设定流量控制器(1)，流量控制器(2)及流量控制器(3)的流进及流出的流量及浓度值。
2.如权利要求1所述的微型可调混液装置，其特征在于，设定流量控制器(3)的流量值等于流量控制器(1)的流量值与流量控制器(2)的流量值之和，设定流量控制器(3)的浓度值等于流量控制器(2)的浓度值与流量控制器(1)的浓度值之比。
3.一种利用权...
【技术特征摘要】
1.一种微型可调混液装置，其特征在于，包括：可编程控制器，微型混合器和流量控制器(1)，流量控制器(2)及流量控制器(3)；所述可编程控制器分别与流量控制器(1)，流量控制器(2)及流量控制器(3)相连，可编程控制器用于设定流量控制器(1)，流量控制器(2)及流量控制器(3)的流进及流出的流量及浓度值。
2.如权利要求1所述的微型可调混液装置，其特征在于，设定流量控制器(3)的流量值等于流量控制器(1)的流量值与流量控制器(2)的流量值之和，设定流量控制器(3)的浓度值等于流量控制器(2)的浓度值与流量控制器(1)的浓度值之比。
3.一种利用权利要求1-2所述的微型可调混液装置进行碱性抛光液化学机械抛光铜后铜绿清洗的工艺方法，其特征在于，包括：
4.如权利要求3所述的铜绿清洗的方法，其特征在于，所述s1中，清洗液为柠檬酸溶液，第一流量为500ml/min，第一浓度为质量百分比浓度10％的柠檬酸溶液，10倍稀释后的浓度。
5.如权利要求3所述的铜绿清洗的方法，其特征在于，所述s...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐彦廷，杜铭宇，钱宁开，
申请(专利权)人：安集微电子科技上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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