The present application discloses a method for manufacturing semiconductor devices, which relates to the field of semiconductor technology. The fabrication method includes: forming an etchable material layer on the substrate; forming multiple openings on the etchable material layer by patterning to determine the position of the core; etching the substrate at the bottom of multiple openings to make the bottom of multiple openings penetrate into the substrate; depositing core material to fill multiple openings; etching core material to expose the etchable material layer; and removing the etchable material layer. Etching material layer, leaving multiple cores; depositing isolators; over-etching isolators, so that multiple cores are exposed and part of the substrate is etched, the etching depth of the substrate is the same as the depth of the opening into the substrate; removing multiple cores. This method can solve the problem of distance deviation between spacers.
【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制造方法
本申请涉及半导体
,特别涉及一种半导体器件的制造方法。
技术介绍
随着半导体技术的发展,对半导体器件制造工艺精细程度的要求越来越高。例如,工艺节点的大小已经缩小到了14nm甚至更小,可以采用自对准双重图案化工艺配合氟化氩193nm光刻工艺来制造半导体器件。
技术实现思路
本申请的专利技术人发现上述现有技术中存在如下问题:在形成隔离物时,隔离物之间的开口往往存在距离偏差,即各个开口的深浅不一致,从而导致刻蚀偏差或者过刻蚀中的刻蚀中止层损耗。针对上述问题中的至少一个问题,本专利技术人提出了解决方案。本申请的一个目的是提供一种半导体器件制造的技术方案,能够解决间隔物之间空隙的距离偏差问题。根据本申请的第一方面,提供了一种半导体器件的制造方法,包括:在衬底上形成可刻蚀材料层;通过图案化处理以在所述可刻蚀材料层上形成多个开口来确定核的位置;对所述多个开口底部的衬底进行刻蚀,使得所述多个开口的底部深入所述衬底;沉积核的材料以填充所述多个开口;刻蚀所述核的材料,使得露出所述可刻蚀材料层;去除所述可刻蚀材料层,留下多个核;沉积隔离物;过刻蚀所述隔离物,使得露出所述多个核,并刻蚀掉部分所述衬底,所述衬底的刻蚀深度与所述开口深入衬底的深度相同;移除所述多个核。可选地,所述可刻蚀材料层包括:无定型碳层和低温氧化物层。可选地,所述确定核的位置包括:在所述可刻蚀材料层上形成底部抗反射涂层;光刻所述底部抗反射涂层,以形成所述图案化所需的掩模图案;刻蚀所述可刻蚀材料层以形成所述多个开口。可选地,通过回刻和灰化去除所述可刻蚀材料层,留下所述多个核。可选地,所述回刻 ...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的制造方法,包括:在衬底上形成可刻蚀材料层;通过图案化处理以在所述可刻蚀材料层上形成多个开口来确定核的位置;对所述多个开口底部的衬底进行刻蚀,使得所述多个开口的底部深入所述衬底;沉积核的材料以填充所述多个开口;刻蚀所述核的材料,使得露出所述可刻蚀材料层;去除所述可刻蚀材料层,留下多个核;沉积隔离物;过刻蚀所述隔离物,使得露出所述多个核,并刻蚀掉部分所述衬底,所述衬底的刻蚀深度与所述开口深入衬底的深度相同;移除所述多个核。
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法,包括:在衬底上形成可刻蚀材料层;通过图案化处理以在所述可刻蚀材料层上形成多个开口来确定核的位置;对所述多个开口底部的衬底进行刻蚀,使得所述多个开口的底部深入所述衬底;沉积核的材料以填充所述多个开口;刻蚀所述核的材料,使得露出所述可刻蚀材料层;去除所述可刻蚀材料层,留下多个核;沉积隔离物;过刻蚀所述隔离物,使得露出所述多个核,并刻蚀掉部分所述衬底,所述衬底的刻蚀深度与所述开口深入衬底的深度相同;移除所述多个核。2.根据权利要求1所述的制造方法,其中,所述可刻蚀材料层包括:无定型碳层和低温氧化物层。3.根据权利要求1所述的制造...
【专利技术属性】
技术研发人员:张城龙,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司,中芯国际集成电路制造北京有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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