The invention provides a thin film transistor and a manufacturing method thereof. The thin film transistor includes: a substrate substrate, a first gate and a second gate spaced on the substrate, a gate insulating layer covering the substrate substrate, a first gate and a second gate, an active layer on the gate insulating layer, and a first source/drain, a second source/drain and a third source/drain spaced on the active layer. The first channel area above the gate, the second channel area above the second gate, and the conductor area on both sides of the first channel area and the second channel area. The invention can form a double channel structure without setting etching barrier layer, reduce the production cost of thin film transistors and simplify the fabrication process, reduce the contact resistance between the first source/drain, the second source/drain and the third source/drain and the active layer, and improve the binding force between the first source/drain, the second source/drain and the third source/drain and the active layer.
【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制作方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法。
技术介绍
薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)是目前液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay，LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置(ActiveMatrixOrganicLight-EmittingDiode，AMOLED)中的主要驱动元件，直接关系平板显示装置的显示性能。现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(backlightmodule)。液晶显示面板的工作原理是在薄膜晶体管阵列基板(ThinFilmTransistorArraySubstrate，TFTArraySubstrate)与彩色滤光片(ColorFilter，CF)基板之间灌入液晶分子，并在两片基板上分别施加像素电压和公共电压，通过像素电压和公共电压之间形成的电场控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线透射出来产生画面。铟镓锌氧化物(IGZO)等氧化物半导体材料由于具有高的迁移率和开态电流，被广泛应用到显示行业TFT器件中。...
【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上并间隔设置的第一栅极(21)及第二栅极(22)、覆盖所述衬底基板(10)、第一栅极(21)及第二栅极(22)的栅极绝缘层(30)、设于所述栅极绝缘层(30)上的有源层(43)以及设于所述有源层(43)上并间隔设置的第一源/漏极(51)、第二源/漏极(52)及第三源/漏极(53)；所述有源层(43)包括位于所述第一栅极(21)上方的第一沟道区(431)、位于所述第二栅极(22)上方的第二沟道区(432)以及位于所述第一沟道区(431)和第二沟道区(432)两侧的导体区(433)。
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上并间隔设置的第一栅极(21)及第二栅极(22)、覆盖所述衬底基板(10)、第一栅极(21)及第二栅极(22)的栅极绝缘层(30)、设于所述栅极绝缘层(30)上的有源层(43)以及设于所述有源层(43)上并间隔设置的第一源/漏极(51)、第二源/漏极(52)及第三源/漏极(53)；所述有源层(43)包括位于所述第一栅极(21)上方的第一沟道区(431)、位于所述第二栅极(22)上方的第二沟道区(432)以及位于所述第一沟道区(431)和第二沟道区(432)两侧的导体区(433)。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一源/漏极(51)位于第一沟道区(431)与第二沟道区(432)之间并与所述导体区(433)接触；所述第二源/漏极(52)远离第一源/漏极(51)一侧并与所述导体区(433)接触；所述第三源/漏极(53)远离第一源/漏极(51)另一侧并与所述导体区(433)接触。3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一栅极(21)、第一沟道区(431)、第一源/漏极(51)及第二源/漏极(52)构成第一薄膜晶体管(T1)；所述第二栅极(22)、第二沟道区(432)、第一源/漏极(51)及第三源/漏极(53)构成第二薄膜晶体管(T2)。4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述导体区(433)的厚度大于5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一栅极(21)和第二栅极(22)的材料均为钼、铝、铜及钛中的一种或多种；所述第一源/漏极(51)、第二源/漏极(52)及第三源/漏极(53)的材料均为钼、铝、铜及钛中的一种或多种。6.如权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一栅极(21)和第二栅极(22)均为金属钼层与金属铜层的层叠结构；所述第一源/漏极(51)、第二源/漏极(52)及第三源/漏极(53)的材料均为铜。7.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层(43)的材料为铟镓锌氧化物及铟镓锡氧化物中的一种。8.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1，提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成一层第一金属层(20)，对该第一金属层(20)进行图案化处理形成间隔设置的第一栅极(21)和第二栅极(22)；步骤S2、形成覆盖所述衬底基板(10)、第...
【专利技术属性】
技术研发人员：夏慧，谭志威，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44
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